微纳尺度表征的俄歇电子能谱新技术 

随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术的重要组成部分。发展在纳米尺度下的各种检测与表征手段,以用于观测纳米结构材料的原子、电子结构,和测量各种纳米结构的力、电、光、磁等特性,日益引起人们的重视。针对目前广泛使用的各种光子谱技术、X射线衍射和精细吸收谱、高分辨的电子显微术等技术的局限...
厦门大学  博士论文  2009年 下载次数(635)| 被引次数(2)

俄歇电子能谱定量分析的进展 

本文扼要地评述了俄歇电子能谱定量分析的最新进展及其存在问题。首先评述了第一原理模型的俄歇电子能谱的物理基础,并分别对其中各种参数进行估算。同时,对以下专题进行了讨论。 1.利用俄歇电子能谱进行表面定量分析的方法;样品均匀性;强度的确定;带电效应;束流对样品的损伤。 2.对限制深度分布定量计算的各种现象进行了讨论。例如,...
《真空科学与技术》  1985年 第05期 下载次数(345)| 被引次数(0)

Monte Carlo方法计算定量俄歇电子能谱分析中的背散射因子(英文) 

本文通过Monte Carlo方法模拟计算了定量俄歇电子能谱分析(如对Ni的L3VV俄歇电子和Pt的M5N67N67俄歇电子)中的背散射因子。由于计算中结合了相关领域的各种最新进展,因此该新计算可以为定量俄歇电子能谱分析提供更为准确的参数。
《电子显微学报》  2005年 第06期 下载次数(113)| 被引次数(1)

俄歇电子能谱在薄膜催化剂材料研究中的应用 

俄歇电子能谱具有很高的表面灵敏度,适用于表面元素定性和定量分析及表面元素化学价态的研究,具有很强的深度分析和界面分析能力。因此,对研究薄膜材料与基底的界面化学状态和相互作用起到了关键作用。目前,对于利用俄歇电子能谱研究TiO_2薄膜光催化剂、Gd_2CuO_4薄膜与基底界面作用情况的尚未见报道。本研究组利用俄歇电...
《中国分析测试协会科学技术奖发展回顾》  2015-07-01 下载次数(36)| 被引次数()

角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展 

角分布俄歇显微术──俄歇电子能谱的新进展王志,张焕祯(河北轻化工学院环境工程系石家庄050018)角分布俄歇显微术(AngularDistributionAugerMicroscopy,简称ADAM) ̄[1]是俄歇电子能谱技术近三年来一个突破性的新进...
《化学通报》  1995年 第12期 下载次数(83)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱实验中Al_2O_3的荷电现象及其消除办法 

研究了俄歇电子能谱实验中入射电子束在Al_2O_3表面引起的荷电现象及荷电机制,并找到有效的解决办法,即氧环境俄歇电子能谱方法。能带扭曲机制可以很好地解释Al_2O_3表面的荷电现象和氧环境的电荷补偿效果。
《2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研…》  2000-06-30 下载次数(30)| 被引次数(2)

俄歇电子谱仪及其对快离子导体的表面研究 

介绍了一台用于表面分析的俄歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu2O-MoO3-P2O5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上而随电子轰击时间迅速改变。
《中国真空学会科技进步奖(1994-2000)得奖人员论文集》  2000-06-30 下载次数(15)| 被引次数(0)

Ni-Cr-Co合金中Mg的晶界非平衡偏聚 

采用俄歇电子能谱仪(AES)及透射电镜(TEM)对 Ni-Cr-Co 合金中 Mg 在晶界上的分布及微区能谱进行了分析,试验数据表明:在900℃恒温时效过程中以及在800℃,900℃和1000℃恒温时效100h 后均存在一个晶界浓度峰值。本文对试验结果分析后得出:Mg 的晶界浓度峰值是由非平衡晶界偏聚的临界时间现象引起...
《动力与能源用高温结构材料——第十一届中国高温合金年会…》  2007-05-01 下载次数(54)| 被引次数(0)

Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究 

采用 X 射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和 Ta 扩散阻挡层的阻挡效果。结果表明,Ta 阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111) 织构;同时,50nm 厚的 Ta 阻挡层能够有效阻止 Cu 原子向 Si 体内的扩散。
《中国数学力学物理学高新技术交叉研究学会第十二届学术年…》  2008-08-01 下载次数(68)| 被引次数(0)

其他 

TN204 2001010648光电材料的俄歇电子谱分析=AES analysis ofoptoelectronic materials[刊,中]/尹燕萍,罗江财,杨晓波,何伟全(重庆光电技术研究所.重庆(400060)) ∥半导体光电.-2000,21(增刊).-84-86俄歇电子能谱(AES)是测定固体表面...
《中国光学与应用光学文摘》  2001年 第01期 下载次数(5)| 被引次数(0)

超高真空俄歇电子能谱原位加热和GaN热效应研究(英文) 

建立一套基于超高真空俄歇电子能谱的原位加热系统,对GaN薄膜进行热效应研究.随着温度的增加,Ga LMM和Ga MVV的动能减小.利用第一性原理计算,获得理论的GaMVV俄歇谱.加热过程由于晶格热膨胀以及表面原子再构引起价电子态密度发生变化,从而导致价带俄歇谱负移.
《Chinese Journal of Chemical Physics》  2006年 第03期 下载次数(91)| 被引次数(0)

消除俄歇电子能谱实验中氧化物表面荷电的新方法 

为使俄歇电子能谱有效地用于分析氧化物,  引入环境俄歇电子能谱方法对于消除入射电子束 对氧化物表面的损伤-包括荷电现象和氧元素电子受激脱附-6×10-6Pa O2环境比中和电子枪和低能 正离子束优越,也比 1.3×10-2Pa 氩气环境有效
《材料研究学报》  2000年 第S1期 下载次数(76)| 被引次数(0)

磨损表面的俄歇电子能谱电子探针分析 

本文用俄歇电子能谱仪和电子探针X射线显微分析仪,对GC15钢球在含有不同添加剂的润滑油中的磨损情况进行了表面分析。提供了磨损后表面形貌和元素分布状况的数据;解释了含硫、氮添加剂的润滑油对抗磨性能的影响。
《理化检验.物理分册》  1984年 第02期 下载次数(1)| 被引次数()

磷的析出行为对含铌耐候钢组织形貌及冲击性能的影响 

耐候钢是指含有少量的合金元素,在大气中有良好耐侵蚀性的经济型低合金高强度钢。磷是提高钢材耐大气腐蚀性能最好的合金元素之一,通常当耐候钢中磷的含量达到0.08%~0.15%时,它的耐蚀性能最佳,而磷又是容易偏析,形成“冷脆”的残余元素,定性分析随磷含量增加耐候钢中的偏析行为,以及铌对其影响规律对于开发含铌耐候钢具有一定的...
内蒙古科技大学  硕士论文  2015年 下载次数(110)| 被引次数()

Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究 

用俄歇电子能谱详细研究了Ti/Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45,L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化,研究Ti-O,Al-O,Ti-Al等价键结合状态,同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰,进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti/Al2O3的界面已发...
《真空科学与技术》  1996年 第05期 下载次数(147)| 被引次数(3)

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