超晶格材料的俄歇电子能谱分析 

本文是以Cu/Nb系金属超晶格材料和Si/SiN系半导体超晶格材料作为俄歇电子能谱进行超晶格材料多层结构分析的初次入门,并获得了两种材料深度剖析结果,且观察到Si/SiN半导体超晶格材料的二次电子吸收电流像。
《真空电子技术》  1988年 第02期 下载次数(32)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱分析方法及其应用 

国内从1980年开始引进了多台俄歇电子能谱分析仪器。为了让从事电子材料及元器件科研和生产方面的科技人员了解这种分析方法的工作原理、仪器结构和具体应用,在工作中及时地应用这种方法,本文拟就上述几个方面作一些简要的介绍。
《电子元件与材料》  1989年 第03期 下载次数(738)| 被引次数(4)

俄歇电子能谱分析及其在金属材料研究中的应用 

材料微观结构的不均匀性往往对材料性质产生重大影响,例如杂质或(和)合金元素向界面(如自由表面,晶界等)狭窄区域偏聚,使韧性材料变脆或造成金属腐蚀。由于偏聚的范围一般只有几个原子层,所以电子探针、自射照相、化学浸蚀等技术均不能检测。近十年来,俄歇电子能谱分析(AES)已经发展成为研究材料表面性质的有力工
《兵器材料与力学》  1981年 第04期 下载次数(273)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱中背散射修正因子的计算 

利用经过我们修正并简化的“完全扩散”电子散射模型,计算了俄歇电子能谱定量分析中的背散射修正因子。得到的结果与志水隆一等人用复杂的蒙特-卡罗计算得到的结果很接近,并优于Reuter的经验公式和Love等人用简单的蒙特-卡罗计算得到的拟合公式。我们的计算方法很简便,可以方便地应用于各种实验条件,不需要像志水隆一等人那样进行...
《物理学报》  1984年 第03期 下载次数(35)| 被引次数(3)

AES与SEM在卤钨灯生产中的实用分析 

本文介绍了运用俄歇电子能谱仪(AES)与扫描电子显微镜(SEM)结合,对碘钨灯生产中出现的管壳沉积物表面成分和灯丝的形貌及组分进行分析,迅速而准确地找到了问题的根本原因,解决了碘钨灯生产中长期存在的质量问题。
《中国照明电器》  1995年 第01期 下载次数(20)| 被引次数(0)

用AES和XPS技术研究半绝缘多晶硅薄膜 

本文用俄歇电子能谱仪(AES)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜中硅的化学价态.通过对Si LVV俄歇谱谱线形状和位移以及Si(2p)芯态峰位移的分析,揭示了SIPOS膜是由元素Si、SiO和SiO_2组成.经过1100℃高温退火的SIPOS 膜经历了一个再结构过程——SiO_2成份增强和...
《半导体学报》  1986年 第06期 下载次数(57)| 被引次数(6)

芯片引线键合点失效的俄歇电子能谱分析 

采用俄歇电子能谱法(AES),对某芯片的正常引线键合点和失效引线键合点进行了分析.实验结果表明:失效引线键合点表面出现了Cl元素,其失效原因是在键合点处形成的氯化物腐蚀键合点,导致键合点失效;溅射20min后,键合点内发生Ni金属的迁移,这也是导致键合点失效的原因之一.
《材料研究与应用》  2013年 第03期 下载次数(83)| 被引次数(2)

动态离子束混合技术制备氧化铬薄膜的X射线光电子能谱俄歇电子能谱研究 

本文介绍的动态离子束混合技术制备氧化铬薄膜系在不锈钢基体上进行1keV氩离子束溅射沉积铬(同时通入一定量的O),并用100keV的氩离子束或氧离子束轰击该样品。对两种离子束轰击形成的氧化铬薄膜进行了X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)和俄歇电子能谱(Auger e...
《核技术》  2007年 第05期 下载次数(306)| 被引次数(5)

场发射俄歇电子能谱显微分析 

场发射俄歇电子能谱的显微分析是一项新的分析技术,可对微尺度样品进行点、线、面的元素组分及元素化学态分析。本文简要介绍这项新技术的功能原理和在微电子器件检测等方面的具体应用。
《现代仪器》  2005年 第03期 下载次数(609)| 被引次数(11)

铀铌合金真空热氧化膜的俄歇电子能谱研究 

用俄歇电子能谱(AES)研究了高真空下,环境温度对铀铌合金真空氧化膜的影响。当温度高于603K时,氧化膜表面结构发生明显改变,表面主要由铀碳化合物、金属态的U和Nb组成。利用Ar+溅射铀铌合金真空热氧化膜进行深度分布分析,发现在热氧化膜的表面氧含量很小,而在热氧化膜的内部有氧增多的现象。
《核化学与放射化学》  2004年 第04期 下载次数(164)| 被引次数(4)

金属铀与铝薄膜界面的俄歇电子能谱研究 

以磁控溅射沉积方法 ,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜。俄歇电子能谱分析结果表明 :循环氩离子轰击镀获得的铝薄膜和铀基体的界面扩散比未循环轰击镀的显著增强 ,且界面发生化学反应 ,生成了UAl3和Al2 O3相。
《原子能科学技术》  2002年 第03期 下载次数(250)| 被引次数(12)

PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析 

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。
《半导体技术》  2002年 第07期 下载次数(178)| 被引次数(3)

Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究 

在200℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发200nm的Ti膜,并在高真空中退火.首次利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析(XRD),研究了从200~850℃Ti与莫来石的固相界面反应,并用热力学解释了实验结果.结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti-O键,界面区很窄;450℃退火1h后,有...
《西安交通大学学报》  1998年 第04期 下载次数(74)| 被引次数(11)

俄歇电子能谱的数据分析系统和设计考虑 

本文介绍一种由微机控制、操作简便的俄歇电子能谱(AES)数据分析系统,及其设计考虑。谱图既可直接显示,也可打印输出,从而把成本降到最低限度。此外,软件全部采用FORTRAN语言和汇编语言混合编程,不仅提高了速度,也提供了各种强有力的图形功能。
《电子学报》  1990年 第02期 下载次数(36)| 被引次数(1)

利用俄歇电子能谱确定Au-Cu系统的互扩散系数及晶界扩散系数 

本文利用俄歇电子能谱(PHI-550)测得了经过不同时间间隔热处理的Au-Cu系统中铜在金薄膜内的浓度剖面。根据铜的浓度斟面及Hall公式,我们使用了两种方法——“中心梯度法”及“平坦区上升法”计算出Au-Cu系统的互扩散系数以及晶界扩散系数。本文还对上述计算结果进行了讨论。
《真空科学与技术》  1990年 第03期 下载次数(121)| 被引次数(1)

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