作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

Si片多线切割技术与设备的发展现状与趋势  CNKI文献

介绍了Si片的多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包Cu会造成Si片表面金属残留,钢线磨损影响Si片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在...

任丙彦 王平... 《半导体技术》 2010年04期 期刊

关键词: 多线切割 / 硅片 / 半导体材料 / 钢线张力

下载(724)| 被引(31)

AFORS-HET软件模拟N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池  CNKI文献

运用AFORS-HET程序模拟计算了不同本征层厚度、能隙宽度、发射层厚度、能带失配以及不同界面态密度等参数对N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明,在其它参数条件不变的情况下,插入较薄本征层,...

任丙彦 王敏花... 《太阳能学报》 2008年02期 期刊

关键词: AFORS-HET / 异质结太阳电池 / 光伏性能

下载(899)| 被引(27)

背接触硅太阳电池研究进展  CNKI文献

高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发...

任丙彦 吴鑫... 《材料导报》 2008年09期 期刊

关键词: 背接触 / 硅太阳电池 / 少子寿命 / 接触电极

下载(756)| 被引(22)

N型单晶硅衬底上非晶硅/单晶硅异质结太阳电池计算机模拟  CNKI文献

采用德国HMI研发的AFORS-HET软件模拟了N型衬底非晶硅/单晶硅异质结太阳电池的特性,结果表明随着发射层厚度的增加,短路电流下降,电池的短波响应变差。在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入不同的界面态密度(Dit),发现当D...

任丙彦 张燕... 《太阳能学报》 2008年09期 期刊

关键词: 异质结 / 太阳电池 / 计算机模拟

下载(623)| 被引(17)

工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响  CNKI文献

工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45~1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜。研究...

任丙彦 刘晓平... 《人工晶体学报》 2007年04期 期刊

关键词: 磁控溅射 / ITO薄膜 / 溅射气压 / 低温

下载(573)| 被引(18)

HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能  CNKI文献

采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池。分析了薄膜的结构、光电特性。结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10-4Ω.cm、在350~800...

任丙彦 刘晓平... 《太阳能学报》 2007年05期 期刊

关键词: 氧化铟锡薄膜 / 射频磁控溅射 / 陶瓷靶 / HIT太阳电池

下载(546)| 被引(15)

大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟  CNKI文献

为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分...

任丙彦 刘彩池... 《人工晶体学报》 2000年04期 期刊

关键词: 直拉硅单晶 / 热场 / 加热器 / 热对流

下载(499)| 被引(24)

Φ200mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究  CNKI文献

介绍了Φ200mm的太阳能用直拉硅(CZ Si)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0.6 mm/min提高到0.9 mm/min。用有限元法模拟了氩气的流场及单...

任丙彦 羊建坤... 《半导体技术》 2007年02期 期刊

关键词: 太阳能直拉硅 / 热屏 / 双加热器 / 有限元法

下载(389)| 被引(11)

热退火对太阳电池用多晶硅特性的影响  CNKI文献

对多晶硅片进行三步退火处理,用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测硅片退火前后氧碳含量及少子寿命,并对单晶硅片做同样处理进行比较。实验发现:经三步退火后,多晶硅比单晶硅氧碳含量下降的幅度大...

任丙彦 勾宪芳... 《太阳能学报》 2007年04期 期刊

关键词: 太阳电池 / 多晶硅 / 氧沉淀 / 少子寿命

下载(506)| 被引(7)

直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究  CNKI文献

为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的...

任丙彦 霍秀敏... 《太阳能学报》 2004年05期 期刊

关键词: 间隙氧 / 掺杂 / 光衰减 / 太阳电池

下载(295)| 被引(9)

硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响  CNKI文献

通过对 40 6 m m热场中氩气的流动方式及流速进行调整 ,得到了氧碳含量不同的硅单晶 ,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来 ,对实验结果进行了分析 ,得到了降低氧碳含量的最佳氩气流场分布

任丙彦 张志成... 《半导体学报》 2001年11期 期刊

关键词: CZSi / 氩气流 / 数值模拟 / 氧碳含量

下载(239)| 被引(12)

复合式热屏对Φ200mmCZSi单晶生长速率和氧含量的影响  CNKI文献

对Φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进,施加了复合式热屏.对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析,并对该系统的氩气流场进行了数值模拟.研究了复合式热屏影响拉速和单晶氧含量的机理.实验表明...

任丙彦 赵龙... 《半导体学报》 2005年09期 期刊

关键词: 热屏 / 氧含量 / 温度梯度 / 拉速

下载(160)| 被引(11)

热退火对多晶硅特性的影响(英文)  CNKI文献

为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750~1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法测量退火前后的氧碳含量和少子寿命的变化.为了比较,对有相同氧碳含量的直拉硅片进行...

任丙彦 勾宪芳... 《半导体学报》 2005年12期 期刊

关键词: 多晶硅 / / 寿命

下载(368)| 被引(5)

硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响  CNKI文献

采用 1 0 0 m m厚度 4 0 0 μm、电阻率为 0 .8~ 2 Ω· cm的 p(1 0 0 ) CZ硅片制作硅光单体电源 ,并对 RTP和铝背场烧结工艺进行了研究 .实验发现 :快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响 .铝背场烧结和适...

任丙彦 左燕... 《半导体学报》 2004年08期 期刊

关键词: RTP / 氧沉淀 / 少子寿命 / 吸杂

下载(349)| 被引(5)

φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究  CNKI文献

利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场.研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,固液界面趋于平...

任丙彦 褚世君... 《半导体学报》 2008年09期 期刊

关键词: 数值模拟 / 直拉硅单晶 / 结晶潜热 / 导流筒

下载(288)| 被引(3)

大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系  CNKI文献

通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度。

任丙彦 郝秋艳... 《半导体技术》 2002年03期 期刊

关键词: CZSi单晶 / 原生微缺陷 / 间隙氧

下载(128)| 被引(13)

Φ200mm CZSi复合式热场的数值模拟研究  CNKI文献

对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响,为提...

任丙彦 李洪源... 《稀有金属》 2008年02期 期刊

关键词: CZSi / 热场 / 有限元 / 双加热器

下载(113)| 被引(4)

热场分布对大直径CZSi单晶中氧含量的影响  CNKI文献

为了降低大直径 CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降,热对流减小,硅单晶中氧含量降低

任丙彦 张志成... 《材料研究学报》 2001年03期 期刊

关键词: CZSi / 氧含量 / 热场分布 / 热对流

下载(113)| 被引(2)

中子辐照直拉硅退火后的施主行为  CNKI文献

利用多种实验手段对中子辐照直拉硅退火过程中特有的施主效应进行了研究;探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响;报道了低于750℃热处理所产生的“施主平台”现象。崐实验结果表明,该施主在禁带中产生~...

任丙彦 李养贤... 《核技术》 1998年07期 期刊

关键词: 直拉硅 / 直拉硅中子嬗变掺杂 / 施主效应

下载(40)| 被引(6)

直径200mm太阳能CZSi复合式热场的数值模拟  CNKI文献

用直径18英寸复合式热系统生长了直径200mm的太阳能CZSi单晶,计算机数值模拟分析表明,该热系统能降低熔硅纵向温度梯度,从而有效抑制熔体的热对流,并增加了熔硅与坩埚的边界层厚度,减少了SiO的熔入,降低了硅中氧、碳的...

任丙彦 王猛... 《科学技术与工程》 2003年01期 期刊

关键词: CZSi / 热场 / 控制方程 / 有限元方法

下载(82)| 被引(0)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势
时间的形状