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等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜  CNKI文献

采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜 ,通过 Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质 .结果表明 ,与单纯的热丝和等离子体技术相比 ,等离子体 -热丝CVD技术在...

刘丰珍 朱美芳... 《半导体学报》 2003年05期 期刊

关键词: 等离子体-热丝CVD / 多晶硅 / 薄膜结构 / 光学性质

下载(428)| 被引(31)

纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制  CNKI文献

采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合,可将0~1V的电压...

刘丰珍 崔介东... 《半导体学报》 2008年03期 期刊

关键词: 纳米硅薄膜 / 异质结电池 / 暗电流-电压特性 / 输运机制

下载(488)| 被引(8)

护理干预减轻静脉穿刺疼痛的探讨  CNKI文献

目的:为了减轻患者疼痛,提高穿刺成功率和患者的满意度。方法:将100例患者随机分分成两组传统组和实验组。传统组选择穿刺角度15°~30°,而实验组选择40°~60°。结果:两组方法穿刺疼痛调查发现,增大...

刘丰珍 郭秀芝 《医学理论与实践》 2009年06期 期刊

关键词: 静脉穿刺 / 角度 / 疼痛

下载(87)| 被引(9)

共溅射和离子注入制备的SiO_2(Eu)薄膜中Eu~(3+)到Eu~(2+)的...  CNKI文献

采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2 方法得到SiO2 (Eu)薄膜 ,Eu离子的浓度为 4%和 0 .5 % .对样品X射线吸收近边结构 (XANES)的研究和分析表明 ,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2 +的转变 .SiO2 (Eu)薄膜高温氮气退...

刘丰珍 朱美芳... 《物理学报》 2001年03期 期刊

关键词: SiO_2(Eu)薄膜 / XANES

下载(79)| 被引(2)

基于宽光谱利用的新型硅基薄膜吸收材料的研究报告  CNKI文献

该研究从有序调控带隙宽度(非晶和微晶硅锗薄膜)、改进硅基薄膜的光电特性(大晶粒薄膜多晶硅)和拆分带隙(中间带硅基材料)等方面,来构建和研究适合于叠层电池宽光谱利用的新型硅基薄膜吸收材料。通过在新型吸收材料基...

刘丰珍 《科技创新导报》 2016年06期 期刊

关键词: 硅基薄膜 / 宽光谱 / 硅锗材料 / 多晶硅薄膜

下载(35)| 被引(0)

孕17周胎膜早破保胎成功1例报告  CNKI文献

胎膜早破是指孕满28周而不满37周,胎膜在临产前自然破裂。其发生率各家报道不一,占分娩总数的2.7~17%,平均8%,发生在早产者为足月产的2.5~3倍,其对妊娠分娩的不利影响早,早产率升高[1]。去年我科收治1例孕17周胎膜早破...

刘丰珍 田科琼... 《医学理论与实践》 2007年10期 期刊

关键词: 胎膜早破 / 保胎

下载(38)| 被引(0)

化学气相沉积中影蔽效应对硅薄膜表面形貌和微结构的影响  CNKI文献

采用斜入射热丝化学气相沉积技术(OAD-HWCVD),研究了气流入射角度(θ)对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜表面和微结构的影响.实验发现,薄膜厚度为1μm时,均方根粗糙度与tanθ成指数关系;在入射角度为75°时,薄膜表面由自仿...

张海龙 刘丰珍... 《物理学报》 2014年17期 期刊

关键词: 影蔽效应 / mound表面 / 微空洞 / 表面形貌生长

下载(74)| 被引(1)

微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究  CNKI文献

采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在...

周炳卿 刘丰珍... 《物理学报》 2007年04期 期刊

关键词: X射线掠角反射 / 微晶硅薄膜 / 表面粗糙度 / 生长机制

下载(331)| 被引(6)

射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究  CNKI文献

采用射频(rf)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了rf激发HWCVD(rf-HWCVD)的光发射谱,比较了相同工艺条件下rf-HWCVD和等离子体增强CVD(PECVD)的光发射谱,分析了rf功率、热丝温度...

李天微 刘丰珍... 《物理学报》 2011年01期 期刊

关键词: HWCVD / OES / 微晶硅

下载(164)| 被引(2)

利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构  CNKI文献

采用x射线小角散射 (SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积 (rf PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积 (PE HWCVD)技术制备的微晶硅 (μc Si:H)薄膜的微结构 .实验发现 ,在相同晶态...

周炳卿 刘丰珍... 《物理学报》 2005年05期 期刊

关键词: 微晶硅薄膜 / 微结构 / 微空洞 / x射线小角散射

下载(357)| 被引(4)

Influence of ignition condition on the growth of silic...  CNKI文献

The influences of the plasma ignition condition in plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) on the interfaces and the microstructures of hydrogenated microcrystalline Si (μc-Si:H) thin fil...

张海龙 刘丰珍... 《Chinese Physics B》 2012年01期 期刊

关键词: plasma / enhanced / chemical / vapour

下载(44)| 被引(0)

高效率n-nc-Si:H/p-c-Si异质结太阳能电池  CNKI文献

采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释...

张群芳 朱美芳... 《半导体学报》 2007年01期 期刊

关键词: 纳米晶硅 / 异质结 / 太阳能电池 / 热丝化学气相沉积(HWCVD)

下载(892)| 被引(30)

后退火处理对铟锡氧化物表面等离激元共振特性的影响  CNKI文献

近年来,表面等离激元光子学发展迅速,并取得了众多新成果.重掺杂半导体材料的表面等离激元共振性质的研究,也得到了人们越来越多的关注.本文通过纳米球刻印技术制备准三维二氧化硅纳米球阵列,在阵列上沉积铟锡氧化物薄...

蒋行 周玉荣... 《物理学报》 2018年17期 期刊

关键词: 表面等离激元共振 / 纳米球阵列 / 铟锡氧化物 / 后退火处理

下载(81)| 被引(2)

低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究  CNKI文献

采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品 ,用原子力显微镜系统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化 .按照分形理论分析得到 :在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生...

谷锦华 周玉琴... 《物理学报》 2005年04期 期刊

关键词: 生长机制 / 微晶硅薄膜 / 表面形貌 / 热丝化学气相沉积

下载(392)| 被引(26)

热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性  CNKI文献

以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率...

汪六九 朱美芳... 《物理学报》 2003年11期 期刊

关键词: 多晶硅薄膜 / 热丝化学气相沉积 / 光电特性

下载(409)| 被引(28)

高效薄膜硅/晶体硅异质结电池的研究  CNKI文献

一引言用薄膜工艺在晶体硅衬底上制备非晶、纳米晶薄膜,可获得异质结电池,该类电池有以下优点:(1)材料消耗少;晶硅片厚度≤200μm,通常晶硅电池厚度为350μm;

张群芳 朱美芳... 《太阳能》 2006年04期 期刊

关键词: 异质结电池 / 晶体硅 / 氢稀释度 / 缓冲层

下载(366)| 被引(20)

热丝化学气相沉积n型nc-Si:H薄膜及nc-Si:H/c-Si异质结太阳...  CNKI文献

采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术制备n型纳米晶硅(nc-Si∶H)薄膜,系统地研究了沉积参数,特别是掺杂浓度对薄膜微结构、电学性质和缺陷态的影响,获得了器件质量的n型nc-Si∶H薄膜。制备了nc-Si∶H/c-Si HIT(Heterojun...

张群芳 朱美芳... 《太阳能学报》 2006年07期 期刊

关键词: 热丝化学气相沉积 / 纳米晶硅 / 异质结 / 太阳电池

下载(339)| 被引(8)

硅异质结太阳电池中单晶硅表面织构的优化研究  CNKI文献

采用新型的刻蚀剂,碳酸钠(Na_2CO_3)和磷酸钠(Na_3PO_4·12H_2O)实现了晶硅表面的织构。研究了刻蚀剂浓度、温度(T)、刻蚀时间(t_e)和添加剂对晶硅表面织构的影响,讨论了刻蚀机理。通过优化工艺,得到低的平均表面...

豆玉华 周玉琴... 第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代 2008-09-19 中国会议

关键词: 单晶硅 / 织构 / 碱液 / 反射率

下载(79)| 被引(0)

HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜  CNKI文献

采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(~30 nm)的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例R_H对薄膜的微结构和电学性能的影响。当R_H由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,...

郭宇坤 周玉荣... 《人工晶体学报》 2016年08期 期刊

关键词: 热丝化学气相沉积 / 硅薄膜 / 硼掺杂 / 电学性能

下载(69)| 被引(0)

铝诱导表面织构玻璃及其对硅薄膜陷光作用的影响  CNKI文献

采用铝诱导表面织构方法在玻璃衬底上制备了蜂窝状的凹坑结构;使用热丝化学气相沉积技术在该类衬底上制备了硅薄膜。扫描探针显微镜(SPM)图像表明,通过改变刻蚀时间、刻蚀溶液比例、Al膜厚度和退火时间等制备条件,可以...

刘勇 曹勇... 《人工晶体学报》 2015年08期 期刊

关键词: 铝诱导织构 / 热丝化学气相沉积 / 硅薄膜 / 陷光结构

下载(71)| 被引(0)

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