作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

时效对SiCw/2024Al复合材料应力腐蚀开裂行为的影响  CNKI文献

采用双悬臂梁试验方法研究了经时效处理的SiCw/2 0 2 4Al复合材料在 3 5 %NaCl溶液中的应力腐蚀行为 ,用透射电子显微镜对时效处理后复合材料的微观组织形貌进行了观察与分析 ,用扫描电子显微镜观察应力腐蚀试样的裂纹...

胡津 孔海宽... 《中国腐蚀与防护学报》 2003年06期 期刊

关键词: 时效 / 复合材料 / 应力腐蚀

下载(131)| 被引(4)

用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究  CNKI文献

SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料。本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS...

高攀 刘熙... 《人工晶体学报》 2013年05期 期刊

关键词: SiC晶体 / 原料 / 粒径 / 堆积密度

下载(435)| 被引(10)

LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布  CNKI文献

采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验。实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同。根据腐蚀坑可以判定,其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴...

黄庆捷 孔海宽... 《功能材料》 2003年02期 期刊

关键词: La3Ga5SiO14 / 化学腐蚀 / 缺陷 / 提拉法

下载(151)| 被引(1)

热挤压变形对亚微米Al_2O_(3p)/Al复合材料组织性能的影响  CNKI文献

利用金相显微镜、扫描电镜、透射电镜和万能拉伸试验机等手段考察了粒度为0.3μm的Al2O3颗粒(体积分数为26%)增强6061Al复合材料在热挤压前后的显微组织及室温拉伸性能。结果表明:以10∶1的挤压比热挤压后复合材料组织...

栾佰峰 姜龙涛... 《中国有色金属学报》 2003年02期 期刊

关键词: 热挤压变形 / Al2O3p/Al / 金属基复合材料 / 显微组织

下载(338)| 被引(58)

Si_3N_4晶体的压电性能第一性原理研究  CNKI文献

Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究.对于α相,计算得晶格常数a=0.7678nm、c=0.5566nm,弹性刚度系数c11=4.232×1...

曾一明 郑燕青... 《无机材料学报》 2011年02期 期刊

关键词: Si3N4 / 压电性能 / 第一性原理 / 晶体结构

下载(366)| 被引(5)

高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征  CNKI文献

采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀件,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、...

涂小牛 郑燕青... 《无机材料学报》 2010年12期 期刊

关键词: 高掺镁铌酸锂晶体 / 紫外吸收边 / OH吸收峰 / 畴结构

下载(239)| 被引(4)

Photoluminescence in fluorescent 4H-SiC single crystal...  CNKI文献

This paper reports the sensitive effect of photoluminescence peak intensity and transmittance affected by B, Al, and N dopants in fluorescent 4H-SiC single crystals. The crystalline type, doping conc...

卓世异 刘学超... 《Chinese Physics B》 2019年01期 期刊

关键词: photoluminescence / property / luminescence / adjustment

下载(30)| 被引(2)

物理气相输运法生长AlN六方微晶柱(英文)  CNKI文献

采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700~1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200~400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽;扫描电子显微镜和原子力显...

王华杰 刘学超... 《无机材料学报》 2017年02期 期刊

关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 / 氮化铝(AlN)晶体 / 六方微米柱 / 物理气相输运(PVT)

下载(84)| 被引(0)

Nd:LuVO_4晶体的生长及其性能研究  CNKI文献

采用提拉 (Czochralski)法生长了Nd :LuVO4晶体。利用液相反应法 ,以V2 O5和NH4OH生成NH4VO3 ,Nd2 O3 、Lu2 O3 和HNO3 生成Nd(NO3 ) 3 和Lu(NO3 ) 3 反应制备多晶料 ;所生长Nd0 .0 1Lu0 .99VO4晶体为 16× 2 0&#...

赵守仁 张怀金... 《人工晶体学报》 2004年03期 期刊

关键词: Nd / LuVO4 / 提拉法 / 分凝系数

下载(144)| 被引(16)

升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响  CNKI文献

本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由"倒温度差"区间的温度、持续时间和"倒温度差"绝对值综合决定。在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加...

刘熙 高攀... 《人工晶体学报》 2013年05期 期刊

关键词: 碳化硅 / 生长速率 / 有限元

下载(137)| 被引(0)

Effect of vanadium on the room temperature ferromagnet...  CNKI文献

This study focuses on the effect of V-doping on the ferromagnetism(FM) of 6H-SiC powder.The X-ray diffraction results indicate that V is inserted into the 6H-SiC lattice.The Raman spectra reveal that...

王辉 严成锋... 《Chinese Physics B》 2013年02期 期刊

关键词: 6H-SiC / V-doping / ferromagnetism / vacancy

下载(29)| 被引(1)

用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究  CNKI文献

SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3]。本文采用高温合成炉,选择Si粉和C粉作为...

高攀 刘熙... 第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-11蓝宝石及衬底... 2012-10-21 中国会议

关键词: 晶体生长 / SiC

下载(66)| 被引(1)

低偏角6H-SiC同质外延生长研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)晶体具有宽禁宽度大、击穿场强高、热导率高、耐辐射、抗腐蚀等优异的特性,是制造大功率、高频、耐高温器件的优选材料。同质外延生长是实现SiC基元器件的关键制成技术之一,目前偏角(3.5o、4o、8o)SiC同质...

刘学超 石彪... 第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器... 2012-10-21 中国会议

关键词: 同质外延生长 / 外延薄膜 / 生长速率 / SiC

下载(75)| 被引(0)

Sr_3TaAl_(1.5)Ga_(1.5)Si_2O_(14)晶体生长及性能研究  CNKI文献

本文采用高温熔体拉法生长得到一种新型硅酸镓镧类晶体Sr_3TaAl_(1.5)Ga_(1.5)Si_2O_(14)(STAGS),并对所制得晶体的物相、结晶质量、组分、压电系数、高温电阻率、透过率开展了研究。所制得的STAGS晶体属于硅酸镓镧类...

孔海宽 曾一明... 第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集 2015-08-11 中国会议

关键词: 提拉法 / 硅酸镓镧 / 压电系数 / 高温电阻率

下载(22)| 被引(0)

近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究  CNKI文献

本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法...

郑燕青 施尔畏... 《人工晶体学报》 2005年04期 期刊

关键词: 双坩埚提拉法 / 近化学计量比 / 临界生长速率 / 组分过冷

下载(160)| 被引(3)

光学级硅酸镓镧晶体的生长初探(Ⅰ)——晶体原料、起始配比...  CNKI文献

根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体。根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和...

王继扬 张建秀... 《硅酸盐学报》 2004年11期 期刊

关键词: 硅酸镓镧 / 晶体生长 / 提拉法 / 晶体原料

下载(131)| 被引(3)

LGS和LGT晶体生长与性能表征  CNKI文献

硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体最早由前苏联科学家Kaminski等1在上世纪80年代初作为激光晶体基质材料进行了报道,随着Andree等2报道了LGS晶体具有零温度系数切型,近三十年来,围绕其压电性能人们开展了大量的研究工作...

孔海宽 郑燕青... 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集 2009-11-06 中国会议

关键词: 晶体生长 / LGS / LGT / 性能表征

下载(79)| 被引(0)

硅酸镓镧族晶体的理论筛选、生长与应用  CNKI文献

硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体最早由前苏联科学家Kaminski等1在上世纪80年代初作为激光晶体基质材料进行了报道,随着Andree等2报道了LGS晶体具有零温度系数切型,近三十年来,围绕其压电性能人们开展了大量的研究工作...

郑燕青 孔海宽... 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集 2009-11-06 中国会议

关键词: 硅酸镓镧 / 压电性能 / 化合物

下载(72)| 被引(0)

LGS基片的机械化学抛光与表征  CNKI文献

本文主要讲述硅酸镓镧(LGS)基片的机械化学抛光及其表征结果,并对机械化学抛光中产生的问题进行了讨论。LGS基片一般使用Y切、X面为基准边的小圆片,我们加工了一系列Φ12×0.25mm的LGS基片,并对其进行了测试表征。...

陈辉 郑燕青... 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集 2009-11-06 中国会议

关键词: LGS / 机械化学抛光

下载(69)| 被引(0)

高均匀性高掺镁铌酸锂晶体生长及表征  CNKI文献

铌酸锂晶体具有优异的电光、声光、压电及非线性光学性能,是一种广泛用于制作光学功能器件的铁电晶体,尤其在准相位匹配非线性光学应用中作为制作周期极化光栅的铁电基板材料,近年来激起了研究的热潮。对于电光和非线...

涂小牛 郑燕青... 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集 2009-11-06 中国会议

关键词: 掺镁铌酸锂晶体 / 高均匀性 / 非线性光学器件

下载(54)| 被引(0)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势
时间的形状