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大功率氮化镓高电子迁移率晶体管可靠性研究  CNKI文献

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为第三代半导体的典型器件,在微波大功率方面表现出了优异的性能。已经初步在第四代移动通讯和雷达技术中发挥了重要作用,国内外对此非常重视,但是ALGaN/GaN HEMT在高压大功率条件下,...

张力江 导师:张彤 东南大学 2018-12-02 博士论文

关键词: GaN基HEMT / 可靠性 / 大功率器件

下载(347)| 被引(0)

L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制  CNKI文献

基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料。室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950 cm~2/(V·s),方块电阻为350Ω,电阻均...

张力江 默江辉... 《半导体技术》 2018年06期 期刊

关键词: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) / L波段 / 大功率 / 高效率

下载(125)| 被引(4)

TCTA在外电场下的双分子发光现象  CNKI文献

制备了三苯胺化合物4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)的单层器件ITO/MoO_3/TCTA/LiF/Al和TCTA/TPBi双层异质结器件ITO/NPB/TCTA/TPBi/Bphen/LiF/Al,研究了TCTA的双分子发光现象。通过测试器件的光电性能和薄膜的稳...

张力江 赵饶缘... 《发光学报》 2020年06期 期刊

关键词: TCTA / electromer / eletroplex / 双分子激发态

下载(47)| 被引(0)

中药蓝玉簪颗粒对慢性哮喘小鼠气道重建的影响及机制  CNKI文献

目的:观察中药蓝玉簪颗粒对慢性哮喘小鼠气道重建的抑制作用并探讨其机制.方法:将32只雌性BABL/c小鼠随机分成正常对照组(A组),慢性哮喘模型组(B组),蓝玉簪颗粒组(C组,1.0g生药/3.0kg体质量)和地塞米松干预组(D组,2.0...

张力江 陈卫强... 《第四军医大学学报》 2007年21期 期刊

关键词: 慢性哮喘 / 气道重建 / 动物模型 / 小鼠

下载(168)| 被引(12)

蓝玉簪颗粒治疗慢性哮喘小鼠气道重建的实验研究  CNKI文献

研究背景:哮喘是由多种细胞和细胞组分参与的气道慢性炎症性疾病。有证据表明哮喘患者气道慢性炎症反复发作可以导致气道重建。气道重建是指由于哮喘反复发作而导致的气道壁重新塑形,主要表现为气道上皮细胞增生和化生...

张力江 导师:李焕章 第四军医大学 2008-04-01 硕士论文

关键词: 慢性哮喘 / 气道重建 / 动物模型 / 小鼠

下载(179)| 被引(3)

蓝玉簪颗粒抑制慢性支气管哮喘小鼠气道黏液高分泌及Bcl-2表...  CNKI文献

目的观察蓝玉簪颗粒对慢性支气管哮喘(简称哮喘)小鼠气道上皮杯状细胞化生及黏液高分泌的抑制作用并探讨其机制。方法32只BABL/C小鼠随机分成正常对照组(A组)、慢性哮喘模型组(B组)、蓝玉簪颗粒组(C组,0.33g生药/kg体...

张力江 李焕章... 《中华哮喘杂志(电子版)》 2009年02期 期刊

关键词: 慢性支气管哮喘 / 黏液高分泌 / 小鼠 / 蓝玉簪颗粒

下载(110)| 被引(6)

ICP腔体压力对直流偏压的影响  CNKI文献

基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况。发现在各种不同的功率下都存在一个特定的腔体压力,当...

张力江 幺锦强... 《半导体技术》 2010年08期 期刊

关键词: 感应耦合等离子体 / 直流偏压 / 腔体压力 / 干法刻蚀

下载(198)| 被引(3)

ICP刻蚀在GaAs p-i-n工艺中的应用  CNKI文献

基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响。分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法...

张力江 幺锦强... 《微纳电子技术》 2010年08期 期刊

关键词: GaAs / 感应耦合等离子体 / p-i-n二极管 / 湿法腐蚀

下载(225)| 被引(0)

层状钙钛矿锰基氧化物(SrO)(La_((2/3)Sr_(1/3)MnO...  CNKI文献

本文以Mn3+:Mn4+=2:1的Ruddlesden-Popper(RP)结构锰氧化物SrO(La2/3Sr1/3MnO3)n为研究对象,系统的研究了利用溶胶-凝胶法制备的n=∞的La2/3Sr1/3MnO3和n=2的La4/3Sr5/3Mn2O7两个系列样品的结构和电磁性质,主要内容包...

张力江 导师:袁松柳 华中科技大学 2004-05-08 硕士论文

关键词: 溶胶-凝胶 / Ruddlesden-Popper(RP)结构 / Mn基氧化物 / 颗粒边界

下载(224)| 被引(0)

La_(4/3)(Sr_(1-x)Ba_x)_(5/3)Mn_2O_7的电输运性质研究  CNKI文献

本文主要介绍用溶胶 凝胶法制备的Ba离子掺杂的双层钙钛矿锰基氧化物La4 /3(Sr1-xBax) 5/3Mn2 O7(0 <x <1)在液氮温区的电输运性质 .在Ba离子掺杂x≤ 0 .2时 ,金属 绝缘体的转变温度 (Tp)随着掺杂量的增加向低...

张力江 刘莉... 《低温物理学报》 2004年04期 期刊

关键词: 双层钙钛矿锰基氧化物 / 金属-绝缘体转变 / 磁电阻 / 结构相变

下载(101)| 被引(1)

新材料的产业化前景在哪?  CNKI文献

由中国材料研究学会和宁波市人民政府主办,宁波市科学技术局承办的中国(宁波)新材料与产业化国际论坛前不久在宁波举行。中国(宁波)新材料与产业化国际论坛邀请国内外40余位从事材料领域研究工作的专家参会。其中院士...

张力江 《宁波经济(财经视点)》 2011年01期 期刊

关键词: 钢铁工业 / 宁波市 / 磁性材料 / 新材料领域

下载(50)| 被引(1)

Ka波段GaN HEMT功率器件  CNKI文献

设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用Al N插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度。采用场板结构提高了器件击穿电压。采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益。采用钝化...

廖龙忠 张力江... 《半导体技术》 2015年07期 期刊

关键词: Ka波段 / 功率器件 / 细栅工艺 / 钝化

下载(158)| 被引(12)

兆声清洗在GaAs PHEMT栅凹槽工艺中的应用  CNKI文献

对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析。设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片模拟实际的栅凹槽...

周国 张力江 《半导体技术》 2017年03期 期刊

关键词: GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) / 栅凹槽 / 颗粒沾污 / 兆声清洗

下载(70)| 被引(0)

900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制  CNKI文献

制作了不同阳极尺寸和阴阳极间距900 V/10 A硅(Si)基AlGaN/GaN二极管,研究了不同阴阳极间距对二极管正向导通和反向关断特性的影响。不同规格的二极管其开启电压均为0.7 V@1 mA/mm,其中正向导通电流最大为13.8 A@1.5 ...

谭永亮 张力江... 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 肖特基二极管 / 异质结 / 阴阳极间距

下载(45)| 被引(0)

3mm波段低噪声放大器  CNKI文献

基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能。测试1~40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75~110 GHz器件的S参数,并采用外...

刘永强 张力江... 《半导体技术》 2014年06期 期刊

关键词: 3 / mm波段 / 单片式微波集成电路(MMIC) / 低噪声放大器(LNA)

下载(125)| 被引(3)

胸腔内序贯注射榄香烯和卡铂同步化疗治疗非小细胞肺癌性胸...  CNKI文献

非小细胞肺癌并发的胸腔积液虽然经过放化疗等能减少,但部分较为顽固难以控制,如果胸腔积液量较多将会压迫肺脏导致呼吸困难,或压迫腔静脉使回心血量减少引起心功能不全,严重时可危及生命。临床上常使用单纯胸腔穿刺或...

保鹏涛 张力江... 《西北国防医学杂志》 2015年05期 期刊

关键词: 胸腔积液 / 非小细胞肺癌 / 榄香烯 / 卡铂

下载(75)| 被引(3)

3mm频段InPHEMT低噪声器件研究  CNKI文献

通过优化设计材料纵向结构,得到了满足3 mm频段工作的In P外延材料结构,最终采用外延工艺制作了In P外延材料。设计了3 mm频段In P HEMT器件横向结构,确定合适源漏间距和单指栅宽,基于In P外延材料采用自主研发流片工...

廖龙忠 张力江... 《电子工艺技术》 2015年04期 期刊

关键词: 3 / mm频段 / 寄生电阻 / 低噪声

下载(51)| 被引(1)

GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究  CNKI文献

基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容...

王静辉 张力江... 《微纳电子技术》 2008年08期 期刊

关键词: 选择腐蚀 / 赝配高电子迁移率晶体管 / 腐蚀终止层 / 砷化镓

下载(99)| 被引(1)

2~8GHz宽带GaN功率放大器MMIC  CNKI文献

基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的2~8 GHz宽带功率放大器MMIC(单片微波集成电路)。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器...

王会智 高学邦... 《电子元件与材料》 2016年05期 期刊

关键词: 氮化镓 / 功率放大器 / 2~8 / GHz

下载(187)| 被引(4)

S波段GaN功率放大器MMIC  CNKI文献

基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款S波段Ga N功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该电路采用三级拓扑放大结构,提高了放大器的增益;采用电抗匹配方式,减小了电路输出级的损耗,提高了MMIC的功率和效率。输出级有源...

王会智 吴洪江... 《半导体技术》 2016年04期 期刊

关键词: 氮化镓 / 功率放大器 / S波段 / 单片微波集成电路(MMIC)

下载(189)| 被引(4)

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