作  者

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验...  CNKI文献

提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外延层质量的两个重要的参数.并且发现:不同类...

张友渝 《半导体学报》 1980年01期 期刊

关键词: 外延层 / MESFET / GaAs / MESFET

下载(56)| 被引(5)

提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法  CNKI文献

本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Si镇流电阻法,提高了Spindt型场发射冷阴极阵列的发射均匀性

张友渝 江泽流... 《半导体学报》 1998年06期 期刊

关键词: 发射均匀性 / 阴极阵列 / Spindt / 阴极电流密度

下载(75)| 被引(1)

原位确定GaAsMESFET沟道的掺杂浓度分布和迁移率分布  CNKI文献

本文提出一种原位测定GaAsMESFET沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法.建立了测试模型.推导出测量计算公式.用最优化方法处理实验数据,由机助测试系统和计算程序可方便地获得结果.

张友渝 程兆年... 《半导体学报》 1998年07期 期刊

关键词: 沟道电阻 / GaAsMESFET / 掺杂浓度

下载(34)| 被引(0)

四川石油勘察规划设计院获得压力容器设计单位批准书  CNKI文献

石油工业部压力容器设计单位资格审查小组,于1984年10月27日~11月4日对四川石油勘察规划设计院进行了压力容器设计资格复查工作,于1984年12月14日经石油工业部批准,1985年1月7日劳动人事部锅炉压力容器安全监察局备案...

张友渝 《天然气工业》 1985年02期 期刊

关键词: 压力容器设计 / 石油工业部

下载(9)| 被引(0)

GaAs MESFET基本参数的确定  CNKI文献

本文描述了一种确定砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)有源沟道基本性质的新方法。有效栅长、沟道厚度以及载流子浓度是根据器件直流参数确定的。给出了测量直流参数的一种正确方法。用不同样品制作的器件证...

H.Fukui 张友渝 《半导体情报》 1980年03期 期刊

关键词: MESFET / 沟道电流 / 栅偏压 / 沟道电阻

下载(28)| 被引(1)

用于FET器件的GaAs高阻汽相外延层的杂质鉴别  CNKI文献

采用 Ga/AsCl_3/H_2汽相外延在掺杂半绝缘衬底上生长 FET 的缓冲层。用霍耳、光霍尔、阴极荧光以及新的深能级瞬态电流法(DLTS)研究了缓冲层的双层结构。此双层结构由上层的高纯 n~-层(10~(13)≤n≤10~(15)cm~(-3);70...

C.Hurtes 张友渝 《半导体情报》 1981年02期 期刊

关键词: 汽相外延 / 外延层 / 本底掺杂浓度 / 瞬态电流谱

下载(6)| 被引(0)

一种直接在GaAsMESFET上测定有源层载流子迁移率分布的方法  CNKI文献

本文提出了一种可以直接在GaASMESFET上测定有源层迁移率分布的方法。这种测定迁移率分布的方法是基于半导体的磁阻效应。推导了测定迁移率的计算公式。给出了典型器件有源层迁移率分布的实验结果。并与Sites法的测量...

王云生 张友渝 《半导体情报》 1982年04期 期刊

关键词: 有源层 / GaAsMESFET

下载(23)| 被引(0)

计算机计算的C(V)剖面测定法  CNKI文献

一、引言本文叙述采用微处理机或高级的可编程序计算器,使众所周知的 C(V)剖面测定法提高精度、扩大用途和方便使用的方法。建立此方法以帮助表征高效率的 GaAsIMPATT,而且具有十分广泛的应用。本文的结构如下:在引言...

P.A.Blakey 张友渝 《半导体情报》 1981年01期 期刊

关键词: 二极管 / 肖特基势垒 / 测定法 / 击穿电压

下载(3)| 被引(0)

具有局部p型漏区的GaAs MESFET  CNKI文献

已经研究了在GaAs MESFET漏极上设置的p型区的作用。从这个p型区注入的空穴,补偿了沟道-衬底界面空间电荷区中的负电荷,因而将不希望存在的衬底效应减至最小。与标准的n型漏极GaAs MESFET相比,具有p型漏区MESFET(称为...

C.P.Lee 张友渝 《半导体情报》 1983年04期 期刊

关键词: MESFET / 空间电荷区 / 底界面 / 背栅效应

下载(7)| 被引(0)

0.35微米门孔宽度的劈形场发射冷阴极  CNKI文献

本文介绍一种用普通光学曝光法制作亚微米门孔宽度的真空微电子器件劈形场发射冷阴极的方法及实验结果。

张友渝 中国电子学会真空电子学分会第十届年会论文集(下册) 1995-11-13 中国会议

关键词: 场发射冷阴极 / 真空微电子器件

下载(3)| 被引(0)

金刚石镶嵌非晶碳膜的场致电子发射研究  CNKI文献

用微波CVD方法在钼衬底上沉积出金刚石镶嵌非晶碳薄膜,对其场致电子发射特性和机理进行了研究,使该薄膜的场致发射电子激发荧光屏,并观察到发光。

何金田 李运钧... 《半导体技术》 1996年05期 期刊

关键词: 金刚石镶嵌非晶碳膜 / 场致电子发射 / 负电子亲和势

下载(25)| 被引(0)

12GHz平面型低噪声GaAs MES FET  CNKI文献

本文从考虑了GaAs外延层与衬底的界面陷阱效应的等效电路出发,对影响器件噪声的主要因素进行了理论分析,给出了器件设计范围内的噪声系数与等效电路参数、器件结构参数、材料参数和工作频率的关系曲线。提出了氧离子注...

邓先灿 庄燮彬 ... 《电子学报》 1980年02期 期刊

关键词: FET / GaAs / MES / FET

下载(20)| 被引(0)

最优化方法分析GaAs MESFET串联电阻  CNKI文献

提出了由实测数据采用最优化分析技术给出 GaAs MESFET串联电阻的新方法.在数据处理中,考虑了部份沟道电阻贡献与栅电流有关.使用本方法计算程序的机助测试系统可迅速正确地给出结果.

程兆年 杨悦非... 《半导体学报》 1986年05期 期刊

关键词: MESFET / 栅电流 / GaAs / MESFET

下载(13)| 被引(0)

激光直接布线技术在GaAsMMIC中的应用  CNKI文献

业已开发了一种用激光直接描绘淀积W薄膜的技术。它是一种在电路制成之后,可以方便而又灵活地修正GaAsMMIC的方法。用一个微米级定位精度的聚焦氩离子激光束诱导的气相化学反应,在GaAs衬底上淀积电阻率为30μΩ·...

C. L. Chen 张友渝 《半导体情报》 1989年01期 期刊

关键词: 激光淀积 / 微带线 / 布线技术 / 放大器

下载(14)| 被引(0)

采用全反应离子腐蚀工艺制作的高性能单片功率放大器  CNKI文献

业已用成品率极高的平面离子注入和全反应离子腐蚀(RIE)工艺制作了一个高性能X波段单片功率放大器。采用RIE/WET(反应离子腐蚀/湿法腐蚀)工艺制成独特的栅凹槽腐蚀剖面,改进了器件的性能。用此法做成的两级功率放大器...

T. Y. Chi 张友渝 《半导体情报》 1988年05期 期刊

关键词: 单片功率放大器 / RIE / 功率附加效率 / 工艺制作

下载(7)| 被引(0)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势
时间的形状