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空位和B掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响  CNKI文献

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最稳定,Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质;空位和B替位掺杂均加强了Si在缺陷处的吸附...

戴宪起 李艳慧... 《物理化学学报》 2011年02期 期刊

关键词: 石墨烯 / 空位缺陷 / B掺杂 / 吸附

下载(898)| 被引(23)

空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响  CNKI文献

利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(铟)原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互...

戴宪起 孙永灿... 《新型炭材料》 2011年01期 期刊

关键词: 第一性原理 / 吸附 / 空位 / 掺杂

下载(422)| 被引(8)

Electronic properties of the SnSe–metal contacts:Firs...  CNKI文献

The geometries and electronic properties of Sn Se/metal contact have been investigated using first-principles calculation. It is found that the geometries of monolayer Sn Se were affected slightly wh...

戴宪起 王小龙... 《Chinese Physics B》 2015年11期 期刊

关键词: first-principles / monolayer / SnSe / metal–semiconductor

下载(53)| 被引(2)

Al含量对GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中激子态的影响  CNKI文献

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流...

戴宪起 黄凤珍... 《半导体学报》 2005年04期 期刊

关键词: 量子点 / 自发极化和压电极化 / 电子空穴复合率 / 激子结合能

下载(163)| 被引(22)

Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究  CNKI文献

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸...

戴宪起 王宁... 《河南师范大学学报(自然科学版)》 2014年06期 期刊

关键词: 石墨烯 / 拓扑绝缘体 / 吸附 / 掺杂

下载(148)| 被引(2)

缺陷对Pt在石墨烯上吸附影响的研究  CNKI文献

本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定位置是Pt吸附在桥位;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替位掺杂有利于Pt原子在杂...

戴宪起 唐亚楠... 《原子与分子物理学报》 2010年05期 期刊

关键词: graphene / 空位缺陷 / B掺杂 / 第一性原理

下载(83)| 被引(10)

Bi_2Te_3拓扑相变第一原理研究  CNKI文献

拓扑绝缘体是最近几年凝聚态物理学的一个新的研究领域,是一种新的量子物质态。本文应用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究了BiTe拓扑相变的机制。

戴宪起 赵宝 《郑州师范教育》 2012年04期 期刊

关键词: 拓扑绝缘体 / Bi2Te3 / 自旋轨道耦合 / 第一性原理

下载(229)| 被引(2)

Structures of Pt clusters on graphene doped with nitro...  CNKI文献

The structures of Pt clusters on nitrogen-,boron-,silicon-doped graphenes are theoretically studied using densityfunctional theory.These dopants(nitrogen,boron and silicon) each do not induce a local...

戴宪起 唐亚楠... 《Chinese Physics B》 2011年05期 期刊

关键词: first-principles / doping / clusters / structure

下载(46)| 被引(1)

Si低指数面氢吸附稳定性第一性原理研究  CNKI文献

利用局域密度近似第一性原理方法,研究了氢在Si低指数面(100)、(110)、(111)上的吸附结构.用两种不同的势(US-PP和PAW)对Si晶格常数优化,计算表明两种势对Si晶格常数的影响较小(仅为0.002 nm).US-PP势总能计算表明:对...

戴宪起 陈冬... 《河南师范大学学报(自然科学版)》 2006年03期 期刊

关键词: 第一性原理 / 再构 / 氢吸附 / 表面形成能

下载(145)| 被引(3)

氮化铟(0001)干净和缺陷表面结构研究  CNKI文献

利用第一原理研究了纤锌矿结构InN(0001)表面结构.用两种势(US-PP和PAW)对氮化铟晶格常数优化,用US-PP势计算值和实验值符合的更好.US-PP势总能计算表明氮吸附在InN(0001)面的(2×2)结构H3位最稳定,铟吸附在InN(0...

戴宪起 王建利... 《河南师范大学学报(自然科学版)》 2008年02期 期刊

关键词: 吸附 / 第一性原理 / InN / 形成能

下载(130)| 被引(2)

Si(001)表面In量子线的第一原理研究  CNKI文献

利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻...

戴宪起 琚伟伟... 《原子与分子物理学报》 2006年04期 期刊

关键词: 量子线 / / / 第一原理

下载(79)| 被引(3)

应变GaN量子点中激子态的研究(英文)  CNKI文献

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系。结果表明:对给定大小的量子点,随其高度...

戴宪起 黄凤珍... 《功能材料》 2006年01期 期刊

关键词: GaN量子点 / 激子结合能 / 自发极化和压电极化

下载(116)| 被引(1)

GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响  CNKI文献

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光...

戴宪起 郑冬梅... 《河南师范大学学报(自然科学版)》 2005年04期 期刊

关键词: 类氢杂质 / 量子点 / 自发极化和压电极化 / 激子结合能

下载(60)| 被引(4)

掺杂晶体表面顶位、桥位和心位化学吸附的研究  CNKI文献

本文用Green函数方法研究了不同类型的杂质对简立方晶体(SCC)(100)面顶位、桥位和心位化学吸附的影响。并讨论了分裂态的产生与吸附位置。杂质(△ε)以及吸附原子和衬底之间的相互作用势(v)之间的关系。

戴宪起 张涛... 《河南师范大学学报(自然科学版)》 1987年04期 期刊

关键词: 化学吸附能 / 分裂态 / 表面复合物

下载(257)| 被引(1)

Pd对O吸附在ZnO(0001)面上的影响的第一性原理研究  CNKI文献

本文用第一性原理方法计算了Pd在ZnO(0001)面上的吸附、Pd对O吸附的影响及Pd替代表面Zn原子能量的变化.结果表明:(1)Pd的吸附位置不随覆盖度变化,Pd稳定吸附位为H3位;(2)Pd在1/4单层吸附时比1个单层吸附时稳定;(3)Pd的...

戴宪起 田勋康... 《原子与分子物理学报》 2009年01期 期刊

关键词: 覆盖度 / Pd / ZnO / 吸附

下载(31)| 被引(2)

S钝化InN(001)面第一性原理研究  CNKI文献

III族氮化物半导体是性能优越的半导体材料,在光电子器件方面已有重要的应用,特别是InN具有较小的有效电子质量,较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度,被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面...

戴宪起 韦俊红... 《河南师范大学学报(自然科学版)》 2008年01期 期刊

关键词: 钝化 / / / InN

下载(124)| 被引(2)

H、O、CO、NO在Ni、Pt(111)面上吸附结构研究  CNKI文献

利用紧束缚模型和单电子理论研究了H、O、CO和NO在Ni(111)和Pt(111)面上的吸附特性及吸附层结构,结果表明:在Ni、Pt面上吸附质间的间接相互作用能随着吸附质间的距离呈振荡性衰减趋势,在不...

戴宪起 危书义... 《原子与分子物理学报》 1998年S1期 期刊

关键词: 间接相互作用 / 吸附结构 / 覆盖度

下载(138)| 被引(1)

非极性SiC/GaN界面结构特性  CNKI文献

GaN是一种具有广泛应用前景的光电子材料,但是,用于制造器件的GaN都是在不同衬底上外延生长得到的.在常用的Al2O3和SiC衬底上沿[0001]方向直接生长的GaN外延膜存在有较高的缺陷密度(108~1010cm-2)[1],研究发现在SiC衬...

戴宪起 毕小群 《河南师范大学学报(自然科学版)》 2004年01期 期刊

关键词: 非极性面 / 赝势 / 第一原理 / SiC

下载(131)| 被引(3)

总能计算6H-SiC(0001)(3×3)表面结构特性(英文)  CNKI文献

本文用第一原理性的密度泛函理论 ,对 6 H- Si C(0 0 0 1 ) (3× 3)表面再构的原子结构进行了研究 .总能计算表明 ,再构层中的 Si原子存在扭转现象 ,扭转角度为 5 .4°;无扭转的驰豫模型是一个能量的亚稳结构...

戴宪起 毕小群 《河南师范大学学报(自然科学版)》 2003年03期 期刊

关键词: 第一原理 / LDA / 总能 / 再构

下载(66)| 被引(1)

氮化铟(0001)面氧吸附研究  CNKI文献

近年来,由于III族氮化物半导体InN及它的化合物在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已引起了人们极大的兴趣.是由于低的分解温度和高的氮平衡气相压力,使氮化铟的生长变得非常困难.直接生长的未掺杂InN薄膜都具有高...

戴宪起 吴新华 《河南师范大学学报(自然科学版)》 2005年03期 期刊

关键词: 吸附 / / InN / 第一原理

下载(98)| 被引(3)

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