SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
用微机械加工技术开发出一种微型方杯压阻式压力传感器。文中介绍了微型压力传感器的设计思想和研制工艺中的关键技术，并给出了该传感器的参数。测试结果表明该传感器的主要性能已达到国内先进水平。
在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积...
公路勘察设计是公路建设的前期工作,山区公路的选线往往由于其复杂的地形、地质条件而受到多方限制,已成为很多地区阻碍基础交通运输与社会经济发展的一大瓶颈,勘察设计的质量对公路的建设及今后的运营意义巨大。文章...
文中对压力传感器中用扩散法和离子注入法制作的电阻的温度系数进行了研究。实验结果表明，同扩散法制备的电阻相比，采用离子注入法制备的电阻，其温度系数更小，且阻值能够精确控制
在用不纯的氢氟酸浸泡过的硅片表面,吸附了大量的有害杂质,很难将其清洗干净。本文用实验数据说明其对半导体器件性能的影响,并提出了改进的方法。
我国早期建成的高等级公路桥梁进入了大修期,桥面普遍出现了一定程度的病害,如何在最短的时间内,高质量的完成桥面铺装维修加固将是一个重要的课题。本文结合作者多年的桥面高程控制施工经验,重点针对这个问题进行了研...
绝对压力传感器大量应用于环境压力检测、海拔高度测量、大气数据处理、地球物理研究、海底测量等领域.尤其是近年来在汽车行业中的大量应用,使性能好、价格低、通用
我国早期建成的高等级公路桥梁进行大修和加固改造期间,如何对过往交通进行科学有效的交通组织成为我们面临的重要课题。文章以东明黄河大桥为例进行了分析探讨。
外延生长时的气流状态对硅外延生长有重要的影响。本文根据对气流状态的分析和实验,提出加放气流板和HCl逆腐蚀两种方法,用以改善外延层厚度均匀性,收到了明显的效果。
一、又红又专的提出及其意义我們党所有的方針、政策、口号等,都是在一定历史条件下,根据革命进程的实际要求,为指导革命实践,推动历史前进,使工人阶級、劳动人民和革命干部明确斗争目标、方向、道路而提出的。毫无疑...
学习毛泽东同志关于建立广泛的革命统一战线打倒美蒋反动派... CNKI文献
一“毛泽东选集”第四卷,是中国人民第三次国内革命战爭偉大胜利的历史記录和宝貴經驗的深刻总結。中国革命的胜利,是馬克思列宁主义的胜利,是毛泽东思想的胜利。毛泽东同志正确地和生动地把馬克思列宁主义普遍真理与...
SBS改性沥青是我国高速公路沥青路面最重要的改性形式,文章对比讨论了SBS改性剂种类、SBS改性剂结构以及原材料老化对SBS改性沥青性能的影响,并分析了某省90#进口沥青组分多年变化情况,说明了控制加工改性沥青原材料质...
本文提出用三氯乙烯氧化剥层的方法,对硅外延层微缺陷进行吸除处理,并同其它吸除方法作了实验比较及分析讨论,表明这是吸除效果、可靠性和实用性都较好的方法。
蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析 CNKI文献
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底...
彭军 朱作云... 《西安电子科技大学学报》 2000年02期 期刊
关键词： 蓝宝石/氮化铝复合衬底 / X射线衍射 / 晶格失配
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介绍了高温半导体压力传感器的应用和国内外研究发展现状 ,论述了几种主要的高温半导体压力传感器的工作原理和关键技术 ,比较了不同传感器结构和制作工艺之间的优缺点 ,重点介绍了新型SiC高温压力传感器
本文就 P~+重掺杂硼扩散自动终止腐蚀技术进行了研究,得到了腐蚀速率比随杂质浓度变化的曲线。并用氧化-还原反应理论对实验结果进行了解释。
信息技术是由信息采集、传输和处理构成。信息采集又是信息技术的前提和基础,而传感器就是信息采集的最基本功能器件,其应用市场的发展是信息技术水平的最终体现。本文就力敏传感器国内外市场发展状况和国内市场发展趋...
对于全寿命周期公路,绿色施工是可持续绿色发展的关键一环,是绿色公路理念的实施阶段,是绿色设计的执行阶段。在保证公路施工质量,生产安全的前提下,本文从节地、节水、节材、节能、环境保护、服务提升等六个方面,通过...
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法在硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品...
赵策洲 朱作云... 《红外与毫米波学报》 1996年03期 期刊
关键词： GaAs／GaAsAl／GaAs／Si结构 / MOCVD / 光波导
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