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考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型  CNKI文献

该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75&#...

杨银堂 王凤娟... 《电子与信息学报》 2013年12期 期刊

关键词: 集成电路 / 锥型硅通孔 / 寄生电容 / MOS效应

下载(174)| 被引(5)

BCD集成电路技术的研究与进展  CNKI文献

飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、...

杨银堂 朱海刚 《微电子学》 2006年03期 期刊

关键词: BCD / 智能功率集成电路 / DMOS / 射频集成电路

下载(684)| 被引(60)

一种WSN中的能耗优化动态路由算法  CNKI文献

根据无线传感器网络中因节点有效传输半径对路由选择的制约,提出基于最小生成树(MST)的改进分簇多跳路由算法,改善因路由选择对网络能耗的影响.该算法利用Voronoi图的泊松过程特性优化簇首节点数,并结合MST动态调整簇...

杨银堂 高翔... 《西安电子科技大学学报》 2010年05期 期刊

关键词: 无线传感器网络 / Voronoi图 / 分簇 / 泊松过程

下载(263)| 被引(25)

CMOS斩波稳定放大器的分析与研究  CNKI文献

对几种放大器失调消除技术的分析比较后,重点阐述了 CMOS斩波稳定放大器的调制方式,和放大器的增益与斩波频率和相移的关系,并分析了斩波调制后的噪声和失调电压的理论大小以及斩波的电路实现方法。最后,提出了几种减...

杨银堂 贺斌... 《电子器件》 2005年01期 期刊

关键词: 斩波稳定 / 放大器 / 低噪声 / 残余失调

下载(849)| 被引(55)

一种10位200kS/s 65nm CMOS SAR ADC IP核  CNKI文献

该文基于65nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核。在D/A转换电路的设计上,采用&...

杨银堂 佟星元... 《电子与信息学报》 2010年12期 期刊

关键词: 模数转换器(ADC) / 逐次逼近寄存器(SAR) / 触摸屏SoC / CMOS

下载(394)| 被引(14)

低压低功耗运算放大器结构设计技术  CNKI文献

低电压、低功耗、动态摆幅达到轨到轨(Rail-to-Rail)的运放是实现SOC设计的核心,而相关的输入输出模块是其中的关键技术。本文分析了两种分别工作于弱反型区和强反型区的恒跨导Rail-to-Rail输入级,同时给出了低压和极...

杨银堂 李晓娟... 《电路与系统学报》 2005年04期 期刊

关键词: 运算放大器 / 低压 / 低功耗 / Rail-to-Rail

下载(852)| 被引(28)

256MHz采样71dB动态范围连续时间ΣΔADC设计  CNKI文献

宽带连续时间ΣΔ型数模转换器大量用于无线通信领域.设计了采用三阶4bit连续时间调制器架构.为降低时钟抖动的影响,采用不归零数模转换器反馈脉冲,通过引入半个时钟周期延时来改善环路异步问题,以补偿环路延时对性能...

杨银堂 袁俊... 《西安电子科技大学学报》 2015年01期 期刊

关键词: 模数转换器 / 连续时间 / ΣΔ型数模转换器

下载(167)| 被引(4)

一种用于14位1.28MS/sΣΔADC的数字抽取滤波器设计  CNKI文献

设计了一种数字抽取滤波器,此滤波器由多级级联结构组成,对sigma-delta调制器的输出信号进行滤波和64倍的降采样,具有较小的电路面积和较低的功耗.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,工作电压1.8 V,流片测试结果表明:sig...

杨银堂 李迪... 《西安电子科技大学学报》 2010年02期 期刊

关键词: ΣΔ调制器 / 模数转换器 / 数字抽取滤波器 / FIR滤波器

下载(373)| 被引(16)

p型K:ZnO导电机理的第一性原理研究  CNKI文献

基于密度泛函理论,利用局域密度近似的第一性原理平面波赝势方法,对掺K以及含有氢填隙(Hi)、氧空位(VO)、锌填隙(Zni)和锌空位(VZn)的K:ZnO电子结构分别进行了研究.结果表明,1)单独掺K可引入浅受主,但系统总能增高;2)...

杨银堂 武军... 《物理学报》 2008年11期 期刊

关键词: 氧化锌 / p型 / 第一性原理 / 电子结构

下载(346)| 被引(16)

具有部分超结的新型SiC SBD特性分析  CNKI文献

提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析...

杨银堂 耿振海... 《物理学报》 2010年01期 期刊

关键词: SiC肖特基二极管 / super / junction / 导通电阻

下载(333)| 被引(10)

异步超前进位加法器设计  CNKI文献

提出了一种新的高速加法器电路.该加法器采用混合握手协议,将超前进位与异步自定时技术相结合,根据进位链出现的概率大小来分配进位路径,可以在保持异步结构低功耗的同时提高运算速度.仿真结果表明,在SMIC 0.18μm工艺...

杨银堂 徐阳扬... 《西安电子科技大学学报》 2009年01期 期刊

关键词: 异步 / 并行 / 超前进位 / 加法器

下载(601)| 被引(10)

SiC上Ti/Ni/Au多层金属的欧姆接触特性  CNKI文献

采用Ti/N i/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transm ission LineMethod,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω.cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增...

杨银堂 贾护军... 《功能材料与器件学报》 2006年06期 期刊

关键词: 碳化硅 / 欧姆接触 / 离子注入 / 传输线法

下载(368)| 被引(12)

一种0.8V衬底驱动轨对轨运算放大器设计  CNKI文献

采用衬底驱动技术设计低压低功耗轨对轨运算放大器。输入级采用衬底驱动MOSFET,有效避开阈值电压限制,将电源电压降至0.8V,实现低压下轨对轨共模输入范围。增加衬底驱动冗余差分对及反折式共源共栅求和电路实现恒定跨...

杨银堂 李娅妮... 《固体电子学研究与进展》 2009年03期 期刊

关键词: 衬底驱动 / 低压低功耗 / 轨对轨 / 恒定跨导

下载(288)| 被引(6)

碳化硅半导体技术新进展  CNKI文献

介绍了SiC材料的生长及器件制备技术,分析了目前SiC器件及集成电路等方面的研究现状,并讨论了存在的各种问题.

杨银堂 高洪福... 《西安电子科技大学学报》 1998年04期 期刊

关键词: 碳化硅 / 化学气相淀积 / 器件 / 集成电路

下载(439)| 被引(15)

A full asynchronous serial transmission converter for ...  CNKI文献

Large transmission power consumptions and excessive interconnection lines are two shortcomings which exist in conventional network-on-chips.To improve performance in these areas,this paper proposes a...

杨银堂 管旭光... 《半导体学报》 2010年04期 期刊

关键词: network-on-chips / full / asynchronous / serial

下载(105)| 被引(6)

SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真  CNKI文献

为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模...

杨银堂 刘莉 《西南交通大学学报》 2010年02期 期刊

关键词: SiC / CMOS / OPAMP / 高温模型

下载(175)| 被引(3)

半导体器件材料应力性质的研究  CNKI文献

1 引言应力是表征微电子薄膜质量的关键指标 ,对器件的可靠性、性能和工艺成品率有着极其重要的影响。随着器件集成度的提高和新工艺的应用 ,薄膜应力对器件的影响越来越大。近几年来 ,材料应力的作用已成为国际上器...

杨银堂 《微电子技术》 2000年01期 期刊

关键词: 本征应力 / 压应力 / 总应力 / 半导体器件

下载(220)| 被引(10)

考虑温度分布效应的RLC互连延时分析  CNKI文献

基于等效Elmore延时模型和分段分布参数思想提出了一种RLC互连延时解析模型,该模型同时考虑了互连线温度分布效应和电感效应对延时的影响,更加贴近实际情况,在实际应用中具有重要意义.仿真结果表明,对于简单的RLC互连...

杨银堂 冷鹏... 《半导体学报》 2008年09期 期刊

关键词: 延时 / 温度分布 / RLC互连

下载(132)| 被引(8)

半导体基片上薄膜应力的测试装置  CNKI文献

半导体基片上薄膜应力的测试装置*杨银堂付俊兴周端孙青(西安电子科技大学西安710071)0引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着重要的影响[1],随...

杨银堂 付俊兴... 《仪器仪表学报》 1997年03期 期刊

关键词: 测试装置 / 电子科技大学 / 半导体器件 / 半导体基片

下载(242)| 被引(13)

混合信号集成电路的衬底耦合噪声分析  CNKI文献

本文系统分析了混合信号集成电路的衬底噪声耦合的研究进展。简要分析了衬底噪声的基本机理,及其对混合信号电路的影响,在此基础上分析比较了目前已提出的几种主要的衬底耦合噪声模型。通过分析不同类型衬底内的噪声耦...

杨银堂 付晓东... 《电路与系统学报》 2006年02期 期刊

关键词: 衬底耦合噪声 / 混合信号集成电路 / 电阻宏模型 / 保护环

下载(230)| 被引(4)

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