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加氨砷压法气相外延生长GaAs_(1-x)P_x:N/GaP  CNKI文献

近年来发现,在磷化镓透明衬底上气相外延生长掺氮磷砷化镓时,由于等电子陷阱杂质氮这一发光中心的引进,使高x值的GaAs_(1-x)P_x(x>0.5)由低发光效率的间接跃迁型能带结构,转变为具有高发光效率的“类直接跃迁”型能...

方志烈 汪曼生... 《复旦学报(自然科学版)》 1983年01期 期刊

关键词: 外延层 / x)P_x / N/GaP / 气相外延生长

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磷砷化镓黄色发光二极管  CNKI文献

采用掺氨砷压法在磷化镓衬底上外延生长掺碲n型的GaAs0.15P0.85:N/GaP材料,制成磷砷化镓黄色发光二极管,测量了其光学和电学性能。讨论了影响器件发光效率的因素。

方志烈 倪林福... 《发光与显示》 1982年01期 期刊

关键词: 发光二极管 / 光谱分布曲线 / 磷砷化镓 / 发光效率

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