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采用热纯水漂洗消除时间雾缺陷  CNKI文献

清洗工艺在抛光Si片加工中广泛使用,其纯水槽使用的纯水受区域和季节变化的影响,温度最大波动可以达到10℃以上。阐述了这种波动对清洗后Si片表面化学残留物浓度造成的影响,当冬季水温出现下降,Si片表面化学残留浓度上...

熊诚雷 齐旭东 《半导体技术》 2009年09期 期刊

关键词: Si抛光片 / IPA干燥器 / 时间雾 / 热纯水

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硅片缺陷自动检测分类方法探究  CNKI文献

作为电池发电实际效率的重要影响因素,硅片质量具有重要作用。生产硅片的过程中需要综合考虑多种因素,这是因为硅片生产本身具有一定的缺陷。其中,多晶硅片经常性的缺陷主要是纯度不高以及位错缺陷。单晶硅片当中产生...

邵奇 熊诚雷 《电子测试》 2015年13期 期刊

关键词: 硅片 / 缺陷 / 自动检测

下载(111)| 被引(2)

关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究  CNKI文献

介绍了采用OPSC溶浸式湿法化学清洗工艺,同时使用串联的SC—1槽和兆声功能来去除颗粒,使用含O3的去离子水形成均匀硅氧化膜,最后用IPA干燥。整个系统采用多功能全自动的清洗,生产出的100 mm、125 mm、150 mm抛光硅片,...

齐旭东 熊诚雷... 2004年材料科学与工程新进展 2004-11-01 中国会议

关键词: OPSC工艺 / 抛光硅片 / IPA干燥 / PFA

下载(123)| 被引(3)

关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究  CNKI文献

本文介绍在我们的采用OPSC溶浸式湿法化学清洗,串联的SC-1槽和兆声去除颗粒,O3工艺形成均匀硅氧化膜,最后用IPA系统干燥。整个系统采用多功能全自动的清洗,达到较理想的清洗效果,生产出的100mm,125mm,150mm抛光硅片较...

齐旭东 熊诚雷... 2004年中国材料研讨会论文摘要集 2004-11-01 中国会议

关键词: OPSC工艺 / 抛光硅片 / IPA干燥 / PFA

下载(92)| 被引(0)

不同精抛布种类及抛布使用时间对硅片LPD缺陷影响  CNKI文献

通过测试不同种类抛光布及不同的抛光布使用时间对LPD缺陷的影响, 导出了一种在抛光工序对LPD控制的有效方法。

史舸 刘振淮... 2004年材料科学与工程新进展 2004-11-01 中国会议

关键词: LPD / 精抛布

下载(38)| 被引(0)

不同精抛布种类及抛布使用时间对硅片LPD缺陷的影响  CNKI文献

日益缩小的电路特征尺寸对硅材料的质量提出越来越高的要求,亮点缺陷LPD(Light Point Defet)越来越成为一个硅片供、需双方评价硅片表面质量水准的重要指标。对粒径>0.3μm的LPD,主要是表面的颗粒,可通过湿法清洗或...

史舸 刘振淮... 2004年中国材料研讨会论文摘要集 2004-11-01 中国会议

关键词: LPD / 使用时间

下载(30)| 被引(0)

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