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分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜折射...  CNKI文献

利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试.结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量,经数值拟合,导出表征薄膜厚度与薄膜生长条件、薄膜折射率与薄膜中的...

延凤平 郑凯... 《物理学报》 2007年07期 期刊

关键词: ZnMgO薄膜 / 偏振光椭圆率测量仪 / 折射率 / 分子束外延(MBE)

下载(168)| 被引(5)

在a-平面蓝宝石衬底上分子束外延生长的ZnO和ZnMgO材料结构...  CNKI文献

氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形...

李树玮 小池一步... 《光散射学报》 2004年01期 期刊

关键词: 氧化锌 / 分子束外延 / 光致发光 / 透射光谱

下载(206)| 被引(5)

垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长  CNKI文献

用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了 5个周期垂直堆垛的InAs量子点 ,在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。样品外延的主要结构是 5 0 0nm的GaAs外延层 ,15nm的Al0 ...

李树玮 小池一步... 《稀有金属》 2004年01期 期刊

关键词: 晶体生长 / 垂直堆垛的InAs量子点 / 分子束外延(MBE) / 光致发光

下载(114)| 被引(8)

垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长  CNKI文献

用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。样品外延的主要结构是500 nm的GaAs外延层,15 nm的Al0.5G0....

李树玮 小池一步... 第九届材料科学与合金加工学术会议专刊论文集 2004-06-30 中国会议

关键词: 晶体生长 / 垂直堆垛的InAs量子点 / 分子束外延(MBE) / 光致发光

下载(22)| 被引(0)

利用ICP法测定ZnMgO薄膜的Mg组分  CNKI文献

利用电感耦合等离子体(ICP)装置对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的Mg组分进行了测试.经理论分析,得到使用1次和2次检量式所确定的Zn1-xMgxO薄膜中的Mg组分的差异.将采用1次检量式的ICP测定与...

延凤平 简水生... 《物理学报》 2006年06期 期刊

关键词: ZnMgO薄膜 / Mg组分 / 分子束外延(MBE) / 电感耦合等离子体(ICP)

下载(132)| 被引(0)

MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用  CNKI文献

用MBE设备以Stranski Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光...

李树玮 缪国庆... 《发光学报》 2002年06期 期刊

ZnMgO薄膜的等离子体辅助分子束外延生长及其Mg组分分析  CNKI文献

利用电感耦合等离子体(ICP)及电子束探针微分析(EPMA)装置对等离子体辅助的分子束外延(MBE)法在蓝宝石衬底上生长的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的Mg组分进行了测试,经理论分析,导出适合于生长过程中Zn过剩和Zn不足两种情况下进...

延凤平 简水生... 《中国科学E辑:技术科学》 2004年03期 期刊

关键词: ZnMgO薄膜 / Mg组分 / 分子束外延(MBE)

下载(103)| 被引(0)

ZnO和ZnMgO材料的分子束外延生长及其光学性质  CNKI文献

氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在α-plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),在位地研究了生长时材料薄膜的表面形...

李树玮 小池一步... 中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30 中国会议

关键词: 分子束外延生长 / ZnMgO / 束缚激子 / 光学性质

下载(29)| 被引(0)

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