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4H-SiC隐埋沟道MOSFET理论和实验研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)是近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一。与广泛应用的半导体材料Si,Ge以及GaAs相比,SiC材料具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等等许多优点。而与GaN和金刚...

郜锦侠 导师:张义门 西安电子科技大学 2005-11-01 博士论文

关键词: 碳化硅 / 埋沟MOSFET / 工作模式 / C-V特性

下载(696)| 被引(14)

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度  CNKI文献

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实...

郜锦侠 张义门... 《物理学报》 2006年06期 期刊

关键词: C-V法 / SiC / 隐埋沟道MOSFET / 沟道载流子浓度

下载(240)| 被引(8)

表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响  CNKI文献

建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中...

郜锦侠 张义门... 《半导体学报》 2002年04期 期刊

关键词: SiC / PMOS / 界面态 / 阈值电压

下载(145)| 被引(9)

4H-SiC埋沟MOSFET的研制(英文)  CNKI文献

研制了 4 H - Si C热氧化生长氧化层埋沟 n MOSFET.用室温下 N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区 ,然后在 16 0 0℃进行激活退火 .离子注入所得到的埋沟区深度大约为 0 .2μm .从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约...

郜锦侠 张义门... 《半导体学报》 2004年12期 期刊

关键词: 4H-SiC / 埋沟 / MOSFET / 场效应迁移率

下载(107)| 被引(8)

基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性  CNKI文献

提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件...

郜锦侠 张义门... 《固体电子学研究与进展》 2007年02期 期刊

SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变  CNKI文献

用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串...

郜锦侠 张义门... 《半导体学报》 2006年07期 期刊

关键词: 埋沟MOS结构 / 夹断模式 / C-V特性 / SiC

下载(92)| 被引(2)

4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究  CNKI文献

在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在ND+/NA-≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈...

郜锦侠 张义门... 《功能材料与器件学报》 2006年02期 期刊

关键词: 等效沟道厚度 / SiC / 隐埋沟道 / MOSFET

下载(116)| 被引(1)

考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型  CNKI文献

在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .计算结果与实验结果符合得很好

郜锦侠 张义门... 《半导体学报》 2004年10期 期刊

关键词: 6H-SiC / PMOSFET / 源漏串联电阻 / 解析模型

下载(69)| 被引(2)

4H-SiC隐埋沟道MOSFET迁移率的研究(英文)  CNKI文献

研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响.提出了一个简单的模型用来定量分析串联电阻对迁移率的影响.串联电阻不仅会使迁移率降低,还会使峰值场效应迁移率所对应的栅压减小.峰值场效应迁移率和串联电阻...

郜锦侠 张义门... 《半导体学报》 2006年02期 期刊

关键词: 4H-SiC / 隐埋沟道 / MOSFET / 迁移率

下载(93)| 被引(0)

碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真  CNKI文献

鉴于CMOS具有十分重要的地位和SiC MOS器件的诱人前景,本文对6H-SiC PMOS器件的基本特性做了较为详细的研究,着重研究了界面态以及源漏寄生电阻对SiC PMOS器件特性的影响。 研究了SiC的晶体结构,分析...

郜锦侠 导师:张义门 西安电子科技大学 2002-01-01 硕士论文

关键词: 碳化硅PMOS器件 / 界面态 / 源漏串联电阻 / 有效迁移率

下载(0)| 被引(1)

界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响  CNKI文献

针对界面态密度在禁带中的不均匀分布 ,分析了界面态电荷对n沟 6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响 .分析结果显示 ,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低 .并给出了实验测定的场效应迁移率和反型层载流子...

汤晓燕 张义门... 《物理学报》 2003年04期 期刊

关键词: 碳化硅 / 界面态 / 反型层迁移率 / 场效应迁移率

下载(329)| 被引(10)

N型SiC的Ni基欧姆接触研究(英文)  CNKI文献

对n型SiC的Ni基欧姆接触的机理进行了研究.通过在p型4H-SiC外延层上使用N离子注入来形成N阱,并在此基础上制作Ni/n型SiC欧姆接触的TLM结构,得到的比接触电阻约为1.7×10-4Ω.cm2.合金化的高温退火过程导致了C空位...

郭辉 张义门... 《电子器件》 2007年02期 期刊

关键词: SiC / 欧姆接触 / Ni / N离子注入

下载(160)| 被引(9)

6H-SiC肖特基源漏n沟MOSFET的数值-解析模型  CNKI文献

分析了 6 H- Si C肖特基源漏 MOSFET的电流输运机制 ,并建立了数值 -解析模型 .模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响 ,能准确反映器件的特性 .模拟结果显示 ,源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素 ,随...

汤晓燕 张义门... 《半导体学报》 2004年09期 期刊

关键词: 碳化硅 / 肖特基势垒 / MOSFET

下载(151)| 被引(3)

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