关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究 CNKI文献
介绍了采用OPSC溶浸式湿法化学清洗工艺,同时使用串联的SC—1槽和兆声功能来去除颗粒,使用含O3的去离子水形成均匀硅氧化膜,最后用IPA干燥。整个系统采用多功能全自动的清洗,生产出的100 mm、125 mm、150 mm抛光硅片,...
齐旭东
熊诚雷...
2004年材料科学与工程新进展
2004-11-01
中国会议
对集成电路用硅抛光片局部平整度的研究 CNKI文献
国际上集成电路制造已经使用300mm硅片,实现特征线宽45nm的生产技术,但对国内材料厂家而言,能够大批量生产的最大直径硅片仅有150mm、200mm以上直径硅片则主要依赖进口。本文着重介绍对集成电路用150mm硅抛光片关键几...
李科技
郭体强
第十届中国科协年会论文集（四）
2008-09-01
中国会议
关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究 CNKI文献
本文介绍在我们的采用OPSC溶浸式湿法化学清洗,串联的SC-1槽和兆声去除颗粒,O3工艺形成均匀硅氧化膜,最后用IPA系统干燥。整个系统采用多功能全自动的清洗,达到较理想的清洗效果,生产出的100mm,125mm,150mm抛光硅片较...
齐旭东
熊诚雷...
2004年中国材料研讨会论文摘要集
2004-11-01
中国会议
硅抛光片几何参数控制的工艺研究 CNKI文献
IC制程的成品率和产品质量越来越受到单晶硅片质量的影响,其中光刻技术对硅抛光片表面几何参数的要求也越来越严格。如何持续地提高硅片的几何参数水平,特别是总厚度变化(TTV)及局部平整度(STIR)的水平,成为了硅片供方...
史舸
邓德翼...
2004年中国材料研讨会论文摘要集
2004-11-01
中国会议
