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关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究  CNKI文献

介绍了采用OPSC溶浸式湿法化学清洗工艺,同时使用串联的SC—1槽和兆声功能来去除颗粒,使用含O3的去离子水形成均匀硅氧化膜,最后用IPA干燥。整个系统采用多功能全自动的清洗,生产出的100 mm、125 mm、150 mm抛光硅片,...

齐旭东 熊诚雷... 2004年材料科学与工程新进展 2004-11-01 中国会议

关键词: OPSC工艺 / 抛光硅片 / IPA干燥 / PFA

下载(122)| 被引(3)

对集成电路用硅抛光片局部平整度的研究  CNKI文献

国际上集成电路制造已经使用300mm硅片,实现特征线宽45nm的生产技术,但对国内材料厂家而言,能够大批量生产的最大直径硅片仅有150mm、200mm以上直径硅片则主要依赖进口。本文着重介绍对集成电路用150mm硅抛光片关键几...

李科技 郭体强 第十届中国科协年会论文集(四) 2008-09-01 中国会议

关键词: 硅片 / 抛光 / 局部平整度 / 集成电路

下载(102)| 被引(2)

关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究  CNKI文献

本文介绍在我们的采用OPSC溶浸式湿法化学清洗,串联的SC-1槽和兆声去除颗粒,O3工艺形成均匀硅氧化膜,最后用IPA系统干燥。整个系统采用多功能全自动的清洗,达到较理想的清洗效果,生产出的100mm,125mm,150mm抛光硅片较...

齐旭东 熊诚雷... 2004年中国材料研讨会论文摘要集 2004-11-01 中国会议

关键词: OPSC工艺 / 抛光硅片 / IPA干燥 / PFA

下载(92)| 被引(0)

硅抛光片几何参数控制的工艺研究  CNKI文献

IC制程的成品率和产品质量越来越受到单晶硅片质量的影响,其中光刻技术对硅抛光片表面几何参数的要求也越来越严格。如何持续地提高硅片的几何参数水平,特别是总厚度变化(TTV)及局部平整度(STIR)的水平,成为了硅片供方...

史舸 邓德翼... 2004年中国材料研讨会论文摘要集 2004-11-01 中国会议

关键词: 几何参数 / 硅抛光片

下载(121)| 被引(1)

硅抛光片几何参数控制的工艺研究  CNKI文献

通过对影响抛光硅片的几何参数的因素的分析,从而导出一套对其进行有效控制的方法。

史舸 邓德翼... 2004年材料科学与工程新进展 2004-11-01 中国会议

关键词: TTV / STIR / 锥度

下载(39)| 被引(0)

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