半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回顾国...
近年来,经济社会和武器装备的信息化对半导体光电子学器件提出了更高的要求,无论是国防还是民用工程都需要有自己的关键器件。光电探测器组件作为关键器件之一,世界各国都给予了高度重视,也取得了很大的进展。文中主要...
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器———GaN蓝光激光器的发展状况 .对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述 .阐明了GaN激光器的一些技术路线 ,如GaN同质生长衬底的发展 ,侧向外...
半导体异质结及其在光电子学中的应用——2000年诺贝尔物理... CNKI文献
瑞典皇家科学院 2 0 0 0年 10月 10日宣布 ,将 2 0 0 0年度诺贝尔物理奖授予三位科学家 ,他们是俄罗斯科学院圣彼得堡约飞技术物理研究所的Zh .I.Alferov、美国加利福尼亚大学的HerbertKroemer和美国德克萨斯仪器公司...
半导体异质结及其在电子和光电子中的应用——2000年诺贝尔... CNKI文献
瑞典皇家科学院２０００年１０月１０日宣布，将本年度诺贝尔物理学奖授予三位科学家，他们是俄罗斯科学院圣彼得堡约飞技术物理研究所的阿尔费罗夫（ZhoresI．Alferov）、美国加利福尼亚大学的克勒默（HerbertKroeme...
量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成 CNKI文献
光电子技术发展推动着信息时代的变革 ,作为其心脏的半导体光电子器件正带动着一个新兴产业———光电子产业。量子阱激光器是半导体激光器发展的第三里程碑。因为其性能优越 ,成为一代理想的激光器 ,在光通信、光存储...
总结了DVD用半导体激光器规模化生产的关键问题:外延结构设计问题;前工艺问题;后工艺问题和规模化生产中的产品性能检测和老化筛选问题。
目的:探讨人性化护理服务模式在母婴同室病房的应用效果。方法:选取100例母婴同室病房产妇为试验对象,将产妇随机分为试验组和对照组两组,对试验组产妇采取人性化的护理服务措施,对照组产妇采取常规的临床护理措施,对...
几何课程在初中数学中占着很重要的地位."三教"教育理念指导下的数学教学,重在培养学生的数学思维、促进学生的数学领悟、强化学生的数学交流,也就是说要学生在初中阶段的几何学习中,做到:会做、会想、会说...
素质教育已成为当今教育改革的主旋律,而素质教育的出发点和归宿点,都在于培养具有良好心理素质的人才。当前,中学生在繁重的学习压力与沉重的生活压力面前,最需要的是提供及时的心理帮助。如何培养他们自我缓解心理压...
信息技术的展在通信、计算机以及影视娱乐业方面都带来以数字化为核心的技术革命,数字摄像机、数字电话、数字相机、数字电视、数字通信以及计算机的数字式数据存储等,已广泛进入人们工作和生活,数字化生活方式已成为...
半导体光电子技术目前已成为引人瞩目的高新材术而仅到了广泛应用，它首先驱动信』又领域的根本性变革，这包括光通信技术、光信息处理、光计算等新兴学科的发展，在近代战争中广泛应用的激光雷达、激光陀螺和激光制导...
在详细分析国内外半导体照明产业发展现状和趋势的基础上,提出了我国发展半导体照明的技术路线,给出了不同发展情景下,我国中长期半导体照明节能潜力的预测结果,并对我国半导体照明发展战略提出了若干政策建议。
作为初中历史教师,面对一群心理发展尚不成熟,且对历史课不感兴趣的农村初中学生,该怎么办呢?并且他们注意力难稳定,持续时间短,听课注意力稍纵即逝;加之历史学科在初中属于"边缘学科"地位,家长们不重视,学...
GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制(英文) CNKI文献
报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性 .用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料 ,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料 .GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线 (0 0 0 2 ...
采用张弛法数值求解静电势的泊松方程 ,得出垂直腔面发射激光器 (VCSEL)中 N型和 P型分布布拉格反射体 (DBR)中一个周期单元的精确能带图。并以此为依据 ,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电...
对微机械光开关的特点和应用作了简要的论述 ,并对近年国外几种典型微机械光开关的结构、原理和研制方法作了简要的介绍和评述。这类新型的开关器件的主要优点是串话小 ,插入损耗小 ,消光比高 ,对波长和偏振不敏感 ,且...
AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验 CNKI文献
本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了...
采用分子束外延技术生长了两个叠层结构的双色量子阱红外探测器结构,并经过光刻和湿法刻蚀制作成两端结构的量子阱红外探测器单元器件.通过改变量子阱势垒高度,势阱宽度,掺杂浓度,重复周期数等器件参数,可以使总电压在...
