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金属纳米晶非挥发存储器存储特性的模拟  CNKI文献

当集成电路生产工艺节点进入50nm以下,传统浮栅结构的编程擦除速度和数据保持能力已经无法同时满足非挥发存储应用的要求。金属纳米晶存储器具有更高的速度和更好的可靠性,它将成为一种下一代浮栅结构非易失存储器件的...

顾怀怀 导师:程秀兰 上海交通大学 2008-01-01 硕士论文

关键词: 非挥发性存储器 / 金属纳米晶 / 浮栅 / 编程/擦除

下载(318)| 被引(5)

金属纳米晶存储器件数据保持能力建模与验证  CNKI文献

金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性,因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论了量子限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能级的影响后,发现库仑阻塞效应会严重削弱器件数...

顾怀怀 程秀兰... 《半导体技术》 2008年03期 期刊

关键词: 金属纳米晶 / 存储器 / 数据保持能力 / 量子限制

下载(93)| 被引(2)

DFT方法研究掺杂氮化硅对SONOS器件保持性能的作用  CNKI文献

可通过对氮化硅层掺杂来改变俘获电荷的缺陷种类和数量的方法,改善SONOS非挥发性存储器件的保持性能.建立无定形氮化硅和氧、硫、磷、氟或氯掺杂氮化硅中缺陷的簇模型;根据第一性原理的密度泛函理论(DFT),对缺陷的簇模...

房少华 程秀兰... 《物理学报》 2007年11期 期刊

关键词: SONOS器件 / 密度泛函理论 / 无定形氮化硅 / 掺杂

下载(155)| 被引(8)

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