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液晶显示技术发展轨迹  CNKI文献

介绍了TFT LCD技术发展的评估结果、集成技术、材料及液晶显示新模式等。评估结果表明TFT LCD发展速度为4.1~5.1倍/3年,其发展速度是以基板玻璃尺寸、屏尺寸及分辨率等发展速度相乘而得的,略快于微电子的发展速度(4倍...

黄锡珉 《液晶与显示》 2003年01期 期刊

关键词: TFTLCD / 发展速度 / 液晶显示新模式

下载(2414)| 被引(133)

平板显示技术的发展  CNKI文献

介绍了平板显示发展动态 ,重点介绍液晶显示发展动态。TFT LCD发展速度符合西村 北原规则 ,其规则指出TFT LCD增长速度为 3年增长 4倍 ,其数值是玻璃基板尺寸增长速度为 1 8倍 /3年 ,屏幕尺寸增长速度为 1 44倍 /3年...

黄锡珉 《液晶与显示》 2002年05期 期刊

关键词: 平板显示 / TFT-LCD / 西村-北原规则

下载(574)| 被引(81)

有源矩阵OLED  CNKI文献

介绍了OLED的工作原理、器件结构、有源驱动等,有机发光器件由ITO阳极、金属阴极和多层有机薄膜构成,其中各有机层分别起电子、空穴传输、复合发光及缓冲作用,讨论了发光效率和器件寿命及可靠性等问题。

黄锡珉 《液晶与显示》 2003年03期 期刊

关键词: OLED / 有源驱动 / 发光效率

下载(744)| 被引(57)

显示技术新进展  CNKI文献

叙述了 CRT、 LCD、PDP、 FED及OEL技术发展和趋势。在显示领域里 TFT LCD的技术进步是最快的,例如:在6~7年时间里,分辨率由CGA(320×240)发展到UXGA(1600×1200);像素密度超过 200dpi;用光学补偿膜或IPS、 ...

黄锡珉 《液晶与显示》 2000年01期 期刊

关键词: 显示技术 / TFT LCD / 前景

下载(689)| 被引(102)

TFT LCD技术的进步  CNKI文献

叙述近年来TFTLCD品质的改善和技术进步以及信息系统集成在TFTLCD屏上的新技术。

黄锡珉 《液晶与显示》 1999年02期 期刊

关键词: TFT / LCD / 显示品质 / 技术进步

下载(634)| 被引(38)

液晶显示技术的开发和产业化——庆祝中国科学院长春光学精...  CNKI文献

介绍中国科学院原长春物理所1969年国内首次开展研究液晶显示技术以来TN、STN、a SiTFT及低温p SiTFT LCD的研究和取得的科研成果,并叙述了科技成果与吉林省液晶产业、联信STN LCD产业结合的情况。

黄锡珉 《液晶与显示》 2002年06期 期刊

关键词: TN / STN / TFT / LCD产业

下载(343)| 被引(27)

LCOS技术的发展  CNKI文献

介绍了LCOS器件结构 ,应用中的关键问题。描述了投影显示关键参数 (分辨率、对比度、投影光学、系统的光通量、彩色化、灯及屏幕 )及优化方法。讨论了有待于研究开发的问题 ,主要有液晶显示的各种电光效应

黄锡珉 《液晶与显示》 2002年01期 期刊

关键词: LCOS / 器件结构 / 关键问题

下载(353)| 被引(34)

无阈值铁电液晶  CNKI文献

简要介绍铁电、反铁电液晶的发现、发展、显示应用中遇到的问题以及近来发展起来的无阈值铁电液晶的研究结果。最后讨论无阈值铁电液晶应用前景。

黄锡珉 《液晶与显示》 2001年02期 期刊

关键词: 无阈值 / 铁电液晶 / 聚合物网络

下载(191)| 被引(25)

液晶显示技术的回顾和展望  CNKI文献

本文简要地回顾并展望了液晶显示技术的发展。液晶显示技术的发展可分为三个阶段:液晶显示技术完善和开拓阶段;向CRT技术挑战阶段;向印刷技术挑战阶段。液晶显示最终发展成书本式多媒体终端显示,人们用它可随时...

黄锡珉 《液晶与显示》 1996年04期 期刊

关键词: 液晶显示 / CRT技术 / 印刷技术 / 多媒体终端

下载(397)| 被引(5)

显示技术的发展  CNKI文献

日本产业界把电子器件分为电子管、IC(集成电路)、分立器件与FPD(平板显示器件)四类,随着时代的发展,四大类产品的市场发生了很大的变化,目前,从大至小依次是:IC、FPD、分立器件、电子管,可见FPD已越居第二位。FPD的发...

黄锡珉 《电子产品世界》 2002年13期 期刊

关键词: 显示技术 / 液晶显示 / 有机电致发光

下载(372)| 被引(5)

TFT LCD技术的发展  CNKI文献

本文介绍了近期TFTLCD技术发展幼态,简述TFTLCD发展趋势。

黄锡珉 《电子产品世界》 1999年09期 期刊

关键词: TFT / LCD

下载(202)| 被引(8)

宽禁带发光材料中的自补偿效应和避免自补偿的一些途径  CNKI文献

一、引言 为获得高效率的p-n结发光器件,在热平衡条件下掺杂时,会遇到自补偿效应,从而得不到反型导电性。因此,必须很好地了解自补偿效应并且寻找避免自补偿的途径。 自补偿,顾名思义,就是指当发光材料中因掺杂增加自...

黄锡珉 《发光与显示》 1980年06期 期刊

关键词: 离化能 / 杂质原子 / 价电子数 / 受主能级

下载(405)| 被引(0)

TFT LCD——未来主流显示技术  CNKI文献

有资料表明,未来10年不可能有在性能上优于TFT-LCD的显示器问世,TFT-LCD产品将会越来越成熟。所谓平板显示器时代,实际上就是液晶平板显示时代。我国也将在最近10年内成为世界上重要的液晶平板显示基地之一。

黄锡珉 《世界电子元器件》 2001年11期 期刊

关键词: TFT / LCD / 平板显示

下载(86)| 被引(2)

发光学讲座第四讲 发光二极管  CNKI文献

在收录机旁欣赏旋律悠扬的音乐时,同时欣赏到随着音乐声的高低闪烁的红、黄、绿光.这灯光就是由发光二极管发射的.发光二极管简称 LED(Light emitting diode)是在半导体的p-n结上加正向电压时,发射可见光或红外光的发...

黄锡珉 《物理》 1990年05期 期刊

关键词: 发光二极管 / LED / 发光效率 / 能带结构

下载(77)| 被引(1)

新型显示材料  CNKI文献

日本布里吉斯敦公司成功地研究开发了能取代液晶的新型显示材料。该公司在研究开发纳米材料的基础上又开发了具有微粒子和液体之间性能的新型状态物质 ,命名为“电子微粒流体”。它不仅具有悬浮体的高流动性 ,而且还具...

黄锡珉 《液晶与显示》 2002年03期 期刊

关键词: 显示材料

下载(112)| 被引(1)

ZnS_xSe_(1-x)单晶的生长和束缚激子谱线的识别  CNKI文献

本文通过用真空蒸馏法提纯的硫和硒作为原料,以控制组分分压的升华法生长了高纯的ZnS_xSe_(1-x)(0≤x≤0.125)单晶.以激发光谱,选择激发的光致发光,掺杂和熔融Zn中退火处理等方法鉴别了在低温光致发光中出现的束缚激子...

黄锡珉 《半导体学报》 1986年01期 期刊

关键词: 声子伴线 / 受主能级 / 束缚激子 / 激子复合

下载(26)| 被引(2)

ZnS_x Se_(1-x)单晶的霍尔迁移率  CNKI文献

用Vah der Pauw法在77~300K温度范围内测试了n-ZnS_xSe_(1-x)(x=0.15)单晶的霍尔迁移率,共最大值为2150cm~2/V·s迁移率随温度变化的实验结果与载流子散射的几种理论模型曲线相比较,得出在120K附近为界,在高温区...

黄锡珉 《发光学报》 1986年04期 期刊

关键词: 杂质散射 / 光学声子 / ZnS_x / Se

下载(71)| 被引(0)

平板显示专题系列介绍 液晶显示  CNKI文献

本文简述了液晶显示的工作原理,显示器的性能以及液晶矩阵显示.文中最后指出了液晶显示向挂壁式高清晰度彩色电视和投影式大屏幕电视方向发展的趋势.

黄锡珉 《物理》 1991年06期 期刊

关键词: 液晶分子 / 偏振轴 / 铁电液晶 / 液晶材料

下载(43)| 被引(0)

对气相外延GaN薄膜生长的研究  CNKI文献

氮化镓是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物的发光材料,属六方晶系,钎维锌矿结构,其禁带宽度岁3.5ev,具有直接跃迁型能带结构。适当掺杂的GaN在一定电场下可以发射红、黄、绿、兰紫色等发光光谱。

黄锡珉 富淑清... 《国外发光与电光》 1979年Z1期 期刊

关键词: GaN / 外延生长 / 生长速率 / 气相外延

下载(46)| 被引(1)

ZnSe单晶的生长及其激子光谱  CNKI文献

本文描述了甩升华法生长ZnSe单晶的生长情况和晶体品质。为了获得高纯高完整性单晶,由高纯Zn和Se反应合成了ZnSe,设计了特殊形状的成核室,保证了在一个晶核上单晶的生长;同时在生长过程中控制组分分压,减小了化学计量...

黄锡珉 井垣谦三 《发光与显示》 1984年04期 期刊

关键词: 激发态 / 特殊形状 / 激子光谱 / 光致发光光谱

下载(39)| 被引(0)

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