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高Tc Nb_3Ge共蒸超导膜的透射电子显微研究  CNKI文献

超导材料的临界电流与其内部的微结构及各种缺陷如位错、晶界、异相粒子等有十分密切的关系。这些缺陷造成的超导性质的不均匀使磁通线运动受阻是强电磁超导材料载流能力的物理基础。最近,一种背面防护漂浮减薄新技术...

尹道乐 W.Schauer... 《电子显微学报》 1984年04期 期刊

关键词: 电子显微 / Tc / Nb_3Ge

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高Tc Nb_3Ge共蒸超导膜的透射电子显微研究  CNKI文献

超导材料的临界电流与其内部的微结构及各种缺陷如位错、晶界、异相粒子等有十分密切的关系。这些缺陷造成的超导性质的不均匀使磁通线运动受阻是强电磁超导材料载流能力的物理基础。最近,一种背面防护漂浮减薄新技术...

尹道乐 W.Schauer... 第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二) 1983-06-30 中国会议

关键词: 电子显微 / Tc / Nb_3Ge

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