无源UHF RFID电子标签模拟前端设计(英文) CNKI文献
提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的高性能无源UHF RFID电子标签模拟前端,在915MHz ISM频带下工作时其电流小于8μA.该模拟前端除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量.该RFID模拟前端包...
用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9(BT4)的介电陶瓷 ,研究用锰掺杂的BaTi4O9陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi4O9属正交晶系 ,空间群Pmmn ,晶格常数为a =1.45 3nm ,b =0 .3 79nm ,c=0 .62 9nm ,每个原胞有两个...
一种无源UHF RFID电子标签验证开发平台(英文) CNKI文献
提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的无源UHF RFID电子标签验证开发平台,其工作在915MHzISM频带下.该平台有效减少了设计开发时间及成本,并实现了电子标签的快速原型设计.该平台包括RFID模拟前端以及采用Altera ACEX...
一种用于无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法(英文) CNKI文献
提出了一种可以在915MHz ISM频带下工作的、符合ISO/IEC18000-6B标准的无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法.该UHF RFID应答器具有复数阻抗并从射频电磁场接收能量.该阻抗匹配方法利用天线的寄生电感,通过调整反向散射电...
低温烧结BaO-TiO_2-ZnO系陶瓷的研究 CNKI文献
将ZnO-H3BO3(ZB)玻璃作为烧结助剂添加到BaO-TiO2-ZnO系(BTZ)陶瓷中,以实现BTZ陶瓷的低温烧结。研究了ZB玻璃的加入及球磨时间对BTZ陶瓷的烧结性能和介电性能的影响。结果表明:ZB玻璃的加入,明显降低了BTZ陶瓷的烧结温...
黄刚 吴顺华... 《电子元件与材料》 2010年12期 期刊
关键词： BaO-TiO2-ZnO / LTCC / 球磨时间 / 介电性能
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SiCp/Al复合材料界面反应的XRD及热力学分析 CNKI文献
利用XRD分析了影响SiCp/Al系统界面反应的因素 ,得出以下结论 :铝合金中Si ,Mg元素越多界面反应越小 ;温度越高时间越长 ,界面反应越大。进一步从热力学的角度对界面反应进行了计算和分析 ,得到用XRD相同的结果。
低温烧结(Zn_(0.65)Mg_(0.35))TiO_3-CaTiO_3介电陶瓷的研究 CNKI文献
本文对(Zn0.65Mg0.35)TiO3-CaTiO3(ZMT-CT)系统的微观结构和介电性能进行了研究。研究结果表明,通过添加一定量H3BO3-ZnO-BaCO3(BZB)玻璃能够促进晶粒生长,有效降低烧结温度。同时,调节(Zn0.65Mg0.35)TiO3和CaTiO3比例...
关键词： 低温烧结 / (Zn0.65Mg0.35)TiO3 / CaTiO3 / LTCC
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Zn和Nb对BaO-TiO_2系统微波陶瓷介电性能的影响 CNKI文献
研究了添加ZnO 和Nb2O5的BaO-TiO2系统微波陶瓷。XRD表明其主晶相是Ba2Ti9O20(B2T9)/BaTi4O9(BT4)。加入ZnO 和Nb2O5,由Zn2+ 和Nb5+共同取代Ti4+,作为施主受主杂质,达到电价平衡,降低了烧结温度,改进了介电性能。该系...
首先研究了不同组成的MgO-TiO2-CaO(MTC)系统的介电性能。偏钛酸镁(MgTiO3)具有正温度系数。钛酸钙具有较大的负温度系数,用它来调整钛酸镁系统的温度系数以使其趋近于零。同时向系统中加入玻璃,玻璃在烧结中形成液相...
建立三维模型,用蒙特卡洛有限元法对两相复合介质的内部电场分布进行模拟,并由此计算出介质的宏观介电常数εm.发现由三维模型计算出的低介相中的电场能量占总能量的比例高于二维模型.三维模型符合实际复合介质中微粒...
无压渗透法制备SiC颗粒增强铝基复合材料的研究 CNKI文献
利用无压渗透法制备出SiCp/Al复合材料,研究了SiCp/Al系统的界面微观结构及复合材料的机械性能.研究表明:SiCp/Al系统的界面处存在着界面反应,生成Si、Al2O3和Al3C4等产物,在界面处存在着Si和Mg元素的富集;复合材料的...
石锋 钱端芬... 《天津大学学报》 2003年04期 期刊
关键词： 无压渗透法 / SiCp/Al复合材料 / 界面反应 / 微观结构
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BaO-TiO_2-ZnO-Nb_2O_5系统微波陶瓷的相转变机制与介电性能 CNKI文献
对采用传统电子陶瓷工艺制备的BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5(BTZN)微波介质陶瓷系统的相转变机制与介电性能进行了研究．XRD分析表明,系统的主晶相为Ba2Ti9O20、BaTi4O9．由Zn2+和Nb5+共同取代Ti4+,作为施主受主杂质达到电价平...
苏皓 吴顺华... 《天津大学学报》 2006年03期 期刊
关键词： BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5 / 相转变 / XRD / 微波
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(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷预烧和烧结工艺研究 CNKI文献
研究了预烧和烧结工艺对(Zr0.8Sn0.2)TiO4系统陶瓷材料介电性能的影响,发现预烧温度对介电常数ε影响不大,但预烧温度过高或过低会使介电损耗tanδ增大;在一定范围内提高烧结温度能使ε增加,但烧结温度过高或过低会使...
王国庆 吴顺华... 《压电与声光》 2003年04期 期刊
关键词： (Zr0.8Sn0.2)TiO4 / 预烧 / 烧结 / 介电性能
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添加剂对(Zr,Sn)TiO_4系统高频陶瓷介电性能的影响 CNKI文献
用一般的电子陶瓷工艺在中温 (115 0℃ )烧结条件下制备了 (Zr ,Sn)TiO4 系统多层陶瓷电容器 (MLCC)用高频陶瓷材料。通过向系统中加入CuO ,ZnO ,BaCO3 ,SrCO3 和G(玻璃 )等添加剂 ,达到了降低烧成温度并提高介电性能...
用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷。MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系。调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εro研究硼掺杂对MgTiO3系统...
无压渗透法制备SiC_p/Al复合材料中影响润湿与渗透的因素及... CNKI文献
分析了无压渗透法制备SiCp/Al复合材料中影响SiCp/Al系统润湿与渗透的因素。指出Mg、Si元素的存在有利于渗透 ;SiO2 膜的存在可改善润湿性 ;当过程时间、过程温度不小于临界时间tm、临界温度Tm 时 ,渗透会自发进行
石锋 钱端芬... 《宇航材料工艺》 2003年03期 期刊
关键词： 无压渗透法 / SiCp/Al复合材料 / 润湿 / 渗透
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BNT(BaO-Nd2O3-TiO2)系统陶瓷是一种介电性能优良的陶瓷材料。在BNT中添加一定量的B i2O3,可以得到介电性能更优的BNBT(BaO-Nd2O3-B i2O3-TiO2)陶瓷。该文分别研究了球磨时间、烧结温度和保温时间对BNBT陶瓷介电性能的...
研究了掺杂 Nb5+、Co2 +及玻璃的 Ba Ti O3陶瓷的介电性能。Nb5+、Co2 +和玻璃中的 Bi3+进入 Ba Ti O3晶格形成晶芯 -晶壳结构 ,其中晶芯由铁电相 Ba Ti O3组成 ,晶壳由含 Nb5+ 、Co2 + 、Bi3+ 的非铁电相 Ba Ti O3组...
Fe,Ni掺杂(Zr,Sn)TiO_4陶瓷的结构和介电性能 CNKI文献
用电子陶瓷工艺制备主晶相为(Ｚｒ,Ｓｎ)ＴｉＯ４的介电陶瓷,(Ｚｒ;Ｓｎ)ＴｉＯ４的结构属正交晶系,空间群Ｐｂｃｎ．研究用Ｆｅ,Ｎｉ掺杂对(Ｚｒ,Ｓｎ)ＴｉＯ４陶瓷的介电性能的影响:铁掺杂降低了瓷料的烧结温度,同时...
