利用俄歇电子能谱仪研究Al焊垫表面的F腐蚀 

Al焊垫的质量关系着半导体器件及封装的质量和可靠性。多项研究表明Al焊垫表面的沾污增强了Al焊垫腐蚀的可能性,特别是焊垫表面刻蚀后残留的F元素,极容易在焊垫表面引起各种类型得腐蚀。应用俄歇电子能谱仪,研究了两种发生在焊垫表面的腐蚀现象,结合其他失效分析手段,分析了Al焊垫表面的F腐蚀的成因。研究结果表明,被腐蚀的Al焊...
《半导体技术》  2009年 第10期 下载次数(245)| 被引次数(3)

俄歇电子能谱仪的设计与调试 

本文介绍一种用于分子束外延(MBE)装置中的俄歇电子能谱仪(简称AES)。为了尽量简化结构,首次采用了电子、离子复合同轴枪的设计方案。由于电子束和离子束是在同一对称轴上,从而很好地解决了一向认为很难实现的对中问题。借助于样品方位的改变,该AES仪器又可兼作中能电子衍射仪(MEED)用。当入射电子束的能量E_P=3keV...
《微细加工技术》  1988年 第01期 下载次数(57)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱仪中场发射电子枪发射电流的稳定措施 

场发射电子枪具有束斑直径小,能量色散小,亮度大等优点。它已广泛使用在扫描电子显微镜中。法国里昂第一大学材料物理系与里贝尔公司联合试制了一台俄歇电子能谱仪,所采用的电子源为场发射枪。使用场发射枪可使仪器体积缩小,但是获得稳定的场发射电子束流比较困难。发射电流大小与发射体的逸出功,灯丝形状和施
《电子显微学报》  1986年 第03期 下载次数(32)| 被引次数(0)

JAMP—10型扫描俄歇电子能谱仪——显示部分常见故障检修 

日本产JAMP—10型扫描俄歇电子能谱仪在七十年代末进口,经过几年使用以后,故障逐渐增多。本文就显示部分电路结构、功能以及常见的几种故障现象和排除方法作简要叙述。一.电路结构、功能图1是显示部分的电路图。扫描发生器产生的水平扫描锯齿波(H—SCAN),由JC4/1进入显示单元DU—BC—8上IC1的反相端,经波...
《电子显微学报》  1988年 第03期 下载次数(17)| 被引次数(0)

玻璃结构俄歇电子能谱仪及其应用 

近年来表面分析技术的迅速发展和广泛应用为阴极的深入研究开创了可能的途径。为了得到影响阴极发射的确切信息,在阴极工作的实际条件下进行分析,并在分析过程中尽量保持其表面的原始状态是十分重要的。这就要求能够在分析室内“就地”处理阴极,并在与阴极工作相近的真空条件和相同的工作温度下检测
《电子管技术》  1981年 第02期 下载次数(21)| 被引次数(0)

柔性电路粘结失效的研究 

俄歇电子能谱仪和傅里叶变换红外光学显微镜对柔性电路粘结失效部位的界面层、电路基片、导电层和粘结树脂等进行了测试与分析 ,探讨了粘结失效的原因
《华南理工大学学报(自然科学版)》  2000年 第03期 下载次数(80)| 被引次数(2)

俄歇电子能谱仪及其在微细加工技术中的应用 

(二)AES在微细加工技术中的应用 自从朗缪尔关于吸附物质对钨阴极热电子发射影响的研究以后、表面分析在电子工业中就开始占住了重要地位。当时的表面分析主要集中在与阴极表面电子发射有关的现象中。本世纪50年代出现了半导体技术,使得表面分析的重心逐步向着半导体技术方向转移。 随着微电子学的蓬勃发展,固体电子器件日益小...
《微细加工技术》  1985年 第03期 下载次数(53)| 被引次数(1)

俄歇电子能谱仪高能量分辨率的获得 

一、引言 俄歇电子能谱仪(以下简称俄歇谱仪)是本世纪六十年代末出现的表面分析仪器。主要用于表面几个原子层内组成元素的定性、定量、价态和能级密度分析。它利用一束低能电子辐照固体,使其表面发射背散射 电子,随后分析其中的俄歇电子和等离子损失电子的能量和数量,
《真空》  1981年 第03期 下载次数(35)| 被引次数(0)

低能静电氩离子枪 

本文介绍一种专门为俄歇电子能谱仪而研制的新型氩离子枪。由于离子源的合理设计、引出透镜系统的改进及其同主聚焦透镜的良好匹配,所以取得了较好的实测结果。当加速电压为2KV、电离电子流(即阴极发射电流)为50mA及工作压强为3.4×10~(-5)托时,在距枪口30毫米处的离子束流密度为350μA/cm~2。经过在俄歇电子能谱...
《真空科学与技术》  1982年 第02期 下载次数(46)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱数据采集和处理 

本文介绍了微型计算机与俄歇电子能谱仪的接口软硬件及在微机控制下得到的铜样品的俄歇电子能谱,讨论了一次束流、调制电压等实验参数对谱图质量的影响,并总结出最佳实验条件。文中还着重研究了平均法、光滑样条法、积分、微分、卷积及去卷积等数值方法在谱线平滑化、本底扣除和峰形恢复等方面的作用,并建立了一整套俄歇谱线数据处理的算法及程...
《真空科学与技术》  1991年 第01期 下载次数(101)| 被引次数(1)

俄歇电子能谱及其在半导体中的应用 

一 引言 俄歇电子能谱(AES)是通过测定由电子束激发产生的俄歇电子的特征能量进行元素分析的一种固体表面薄层分析技术。近年来,发展非常迅速。它可以进行固体表面元素的点分析、线分析和二维分布的分析,如果配以离子腐蚀装置还可以进行元素的三线分布分析。由于它充分利用了固体表面激发出的各种可测信息,除俄歇电子外,尚有反...
《微电子学》  1980年 第06期 下载次数(194)| 被引次数(1)

俄歇电子能谱定量分析的进展 

本文扼要地评述了俄歇电子能谱定量分析的最新进展及其存在问题。首先评述了第一原理模型的俄歇电子能谱的物理基础,并分别对其中各种参数进行估算。同时,对以下专题进行了讨论。 1.利用俄歇电子能谱进行表面定量分析的方法;样品均匀性;强度的确定;带电效应;束流对样品的损伤。 2.对限制深度分布定量计算的各种现象进行了讨论。例如,...
《真空科学与技术》  1985年 第05期 下载次数(346)| 被引次数(0)

Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究 

采用 X 射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和 Ta 扩散阻挡层的阻挡效果。结果表明,Ta 阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111) 织构;同时,50nm 厚的 Ta 阻挡层能够有效阻止 Cu 原子向 Si 体内的扩散。
《中国数学力学物理学高新技术交叉研究学会第十二届学术年…》  2008-08-01 下载次数(68)| 被引次数(0)

其他 

TN204 2001010648光电材料的俄歇电子谱分析=AES analysis ofoptoelectronic materials[刊,中]/尹燕萍,罗江财,杨晓波,何伟全(重庆光电技术研究所.重庆(400060)) ∥半导体光电.-2000,21(增刊).-84-86俄歇电子能谱(AES)是测定固体表面...
《中国光学与应用光学文摘》  2001年 第01期 下载次数(5)| 被引次数(0)

GaAs/(AlGaAs)双异质结激光二极管P面电极的俄歇电子能谱分析 

俄歇电子能谱广泛地应用于科学研究。本文叙述了用俄歇电子能谱来分析GaAs/(AlGaAs)DH LD P面电极的情况,对没有热合金和经过在高真空中450℃合金5分钟的两种样品进行了分析,得到与国外同行类似的测试结果。木文的分析结果表明,由于热合金而出现了很强的氧峰,大约为没有热合金样品的五倍,并使Au、Cr进入GaAs...
《半导体光电》  1981年 第02期 下载次数(21)| 被引次数(0)

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