JAMP—10型扫描俄歇电子能谱仪——显示部分常见故障检修 

日本产JAMP—10型扫描俄歇电子能谱仪在七十年代末进口,经过几年使用以后,故障逐渐增多。本文就显示部分电路结构、功能以及常见的几种故障现象和排除方法作简要叙述。一.电路结构、功能图1是显示部分的电路图。扫描发生器产生的水平扫描锯齿波(H—SCAN),由JC4/1进入显示单元DU—BC—8上IC1的反相端,经波...
《第五次全国电子显微学会议论文摘要集》  1988-10-01 下载次数(5)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱仪中场发射电子枪发射电流的稳定措施 

场发射电子枪具有束斑直径小,能量色散小,亮度大等优点。它已广泛使用在扫描电子显微镜中。法国里昂第一大学材料物理系与里贝尔公司联合试制了一台俄歇电子能谱仪,所采用的电子源为场发射枪。使用场发射枪可使仪器体积缩小,但是获得稳定的场发射电子束流比较困难。发射电流大小与发射体的逸出功,灯丝形状和施
《第四次全国电子显微学会议论文摘要集》  1986-08-01 下载次数(16)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱仪自动加热装置的研制及应用 

本文介绍了俄歇电子能谱分析仪自动加热装置的设计、制造及Fe-Cr合金的原位俄歇分析。加热装置采用了专用的小电炉、高纯度三氧化铝窗口,选用了红外线测温、控温系统,该装置加热温度达1050℃,使俄歇能谱分析仪实现了动态分析或原位分析的功能。Fe-Cr合金的原位俄歇分析表面:Fe-Cr合金的氧化开始主要是O和Fe发生作用,随...
《2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研…》  2000-06-30 下载次数(29)| 被引次数(0)

铀与UO_2表面铝薄膜生长行为的俄歇电子能谱分析 

主要利用俄歇电子能谱(AES)原位分析了室温下铀与UO2表面铝薄膜的生长行为。在俄歇电子能谱仪超高真空室中,利用Ar+枪溅射铝靶,使其沉积到铀基体上,然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱, 原位分析铝薄膜的生长过程。在UO2表面沉积铝膜时,先往真空室中充入氧气,将清洁铀表面氧化成UO2, 然后再溅射铝靶原位沉积...
《中国工程物理研究院科技年报(2005)》  2005-12-01 下载次数(22)| 被引次数(0)

铀与表面铝薄膜界面反应的俄歇电子能谱分析 

主要利用俄歇电子能谱(AES)研究了室温下铀、UO2与表面铝薄膜之间的界面反应,以及退火对界面反应的影响。在俄歇电子能谱仪超高真空室中,利用Ar+枪溅射铝靶,使其分别逐步沉积到铀基体与UO2 表面上,然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱,研究膜基界面反应。
《中国工程物理研究院科技年报(2005)》  2005-12-01 下载次数(32)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱在薄膜催化剂材料研究中的应用 

俄歇电子能谱具有很高的表面灵敏度,适用于表面元素定性和定量分析及表面元素化学价态的研究,具有很强的深度分析和界面分析能力。因此,对研究薄膜材料与基底的界面化学状态和相互作用起到了关键作用。目前,对于利用俄歇电子能谱研究TiO_2薄膜光催化剂、Gd_2CuO_4薄膜与基底界面作用情况的尚未见报道。本研究组利用俄歇电...
《中国分析测试协会科学技术奖发展回顾》  2015-07-01 下载次数(36)| 被引次数()

俄歇电子能谱实验中Al_2O_3的荷电现象及其消除办法 

研究了俄歇电子能谱实验中入射电子束在Al_2O_3表面引起的荷电现象及荷电机制,并找到有效的解决办法,即氧环境俄歇电子能谱方法。能带扭曲机制可以很好地解释Al_2O_3表面的荷电现象和氧环境的电荷补偿效果。
《2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研…》  2000-06-30 下载次数(30)| 被引次数(2)

俄歇电子谱仪及其对快离子导体的表面研究 

介绍了一台用于表面分析的俄歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu2O-MoO3-P2O5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上而随电子轰击时间迅速改变。
《中国真空学会科技进步奖(1994-2000)得奖人员论文集》  2000-06-30 下载次数(15)| 被引次数(0)

Ni-Cr-Co合金中Mg的晶界非平衡偏聚 

采用俄歇电子能谱仪(AES)及透射电镜(TEM)对 Ni-Cr-Co 合金中 Mg 在晶界上的分布及微区能谱进行了分析,试验数据表明:在900℃恒温时效过程中以及在800℃,900℃和1000℃恒温时效100h 后均存在一个晶界浓度峰值。本文对试验结果分析后得出:Mg 的晶界浓度峰值是由非平衡晶界偏聚的临界时间现象引起...
《动力与能源用高温结构材料——第十一届中国高温合金年会…》  2007-05-01 下载次数(54)| 被引次数(0)

Cu互连工艺中Ta扩散阻挡层的研究 

采用 X 射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和 Ta 扩散阻挡层的阻挡效果。结果表明,Ta 阻挡层能够促使铜薄膜生长出较强的(111) 织构;同时,50nm 厚的 Ta 阻挡层能够有效阻止 Cu 原子向 Si 体内的扩散。
《中国数学力学物理学高新技术交叉研究学会第十二届学术年…》  2008-08-01 下载次数(68)| 被引次数(0)

贫铀表面的Ar气脉冲辉光放电清洗 

由于贫铀特有的化学性质,其表面在大气中始终存在一层影响界面结合的氧化层。为了增强薄膜与铀基体之间的有效结合,需要采用先进的辉光放电技术对铀基体进行薄膜沉积前的原位清洗。铀样品经金相砂纸逐级打磨并抛光,将样品放入俄歇电子能谱仪(AES)预制室,充入Ar气进行辉光放电清洗,清洗后用俄歇电子能谱仪对表面进行分析。将样品放入磁...
《TFC'15全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》  2015-08-21 下载次数(4)| 被引次数(0)

Cs_2Te光电阴极的研制及其结构特性的探讨 

本文从叙述Cs_2Te光电阴极的制备工艺出发,进而说明该阴极采用金属碁底的必要性,并讨论该阴极结构对光电发射的影响,特别是多余Ca与0的存在会损坏Cs_2Te的日盲性。文章介绍了阴极的表面分析,把■底厚层Cs_2Te阴极■时暴露大气,立即装入俄歇电子能谱仪腔体中进行表面分析,得到俄歇电子烧谱图,根据测得的原子百分数可以...
《中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集》  1997-08-20 下载次数(13)| 被引次数(0)

汞系超导材料的表面特性研究 

本文采用溅射中性粒子质谱仪(SNMS)、俄歇电子能谱仪(AES)研究分析了(Hg_(0.69)Pb_(0.31))Ba_2Ca_2Cu_3O_(8-δ)超导体的表面状况,其中Hg元素的中性游离态存在,Pb元素的表面富集和Ca元素的氧化态等现象可以表明,汞系超导体形成表面钉扎中心和呈现表面不稳定性的表面特性。
《中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集》  1997-08-20 下载次数(10)| 被引次数(0)

俄歇电子能谱在金刚石金属化研究中的应用 

近年来随着纳米材料科学的迅猛发展,金刚石表面金属化的研究越来越受到重视。金刚石虽然是一种超硬材料,并具有很多优异的性能,但由于其表面能高及化学惰性,金刚石与金属胎体的结合较弱,使得金刚石工具的性能和寿命大大降低。由于目前研究方法上的困难,有关研究主要集中于金刚石表面金属化工艺及宏观切削性能的研究,而对金属与金刚石...
《中国分析测试协会科学技术奖发展回顾》  2015-07-01 下载次数(17)| 被引次数()

俄歇电子能谱在月壤纳米金属铁原位分析中的应用前景 

利用高放大倍数显微镜,在月壤的胶结质玻璃相中以及月壤颗粒表面非晶质环带里,都可以观察到很多圆形小球。其中,利用背散射电子成像(BSE-SEM)技术统计出胶结质玻璃相中圆形白色小球粒径主要在10nm到1500m之间,平均粒径约为138nm,由于受到背散射电子成像分辨率的制约,无法看到更小粒径的圆形小球;通
《中国矿物岩石地球化学学会第14届学术年会论文摘要专辑》  2013-04-21 下载次数(57)| 被引次数(0)

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