应用于AMOLED显示的金属氧化物TFT行集成驱动电路研究与设计 

薄膜晶体管(TFT)是平板显示领域核心的有源寻址器件。近年来金属氧化物TFT由于其优良的器件特性和低成本的生产工艺而受到极大关注,有望代替传统的非晶硅TFT和低温多晶硅TFT,成为新一代背板技术。而有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示由于其具有众多的优点如可自主发光,高响应速度和可柔性弯曲等,是被誉为下一代可取代...
华南理工大学  硕士论文  2015年 下载次数(317)| 被引次数()

金属氧化物的钝化机理分析 

在半导体表面上,利用化学气相淀积法生长一层金属氧化物膜,或涂布掺有金属氧化物的糊状物(需经固化),均显示负电荷效应,具有良好的钝化保护性能。本文就其金属氧化物的负电荷效应及钝化机理进行了分析讨论。
《半导体技术》  1997年 第05期 下载次数(189)| 被引次数(3)

金属氧化物ZnO和In_2O_3的掺杂结构及其溅射靶材研究 

金属氧化物ZnO和In203是一类宽禁带材料,广泛应用于光学和光电子、自旋电子学、信息存储以及太阳能电池等众多高技术领域。掺杂改性是进一步提高这类光电子材料的光学、磁学和电学等综合性能最为有效的手段,持续成为研究热点。金属氧化物主要以薄膜形态来应用,利用氧化物陶瓷靶材溅射镀膜是薄膜制备最主要的手段,因此高性能靶材的获得...
福州大学  硕士论文  2013年 下载次数(45)| 被引次数(0)

金属氧化物/石墨烯复合材料在气体传感领域的研究进展 

作为一类重要的传感材料,半导体金属氧化物已被广泛应用于气体传感领域,其优异的电化学特性、催化特性以及阻抗变化特性使其适用于各种氧化-还原类的气体传感.同时,作为一种具有独特单原子层厚度的sp2碳原子杂化二维材料,石墨烯表现出独特的物理-化学特性,因此,基于石墨烯的复合材料成为近年来的研究热点.利用金属氧化物优异的气敏传...
《中国科学:技术科学》  2015年 第12期 下载次数(724)| 被引次数(1)

金属氧化物掺杂对ZnO气敏特性的影响 

掺杂金属氧化物可大大提高ZnO的气敏特性,目前对这种性质的研究成为了研究热点。本文综述了掺杂金属氧化物对ZnO气敏特性的主要影响及机理;总结了目前研究中所掺杂的多种金属氧化物,并就各种掺杂物对ZnO气敏特性的作用进行了具体分析。
《传感器世界》  2006年 第07期 下载次数(324)| 被引次数(5)

金属氧化物半导体气敏材料的研究进展 

金属氧化物是重要的半导体材料,具有较好的气敏特性,作为气敏材料被广泛应用。本文较系统地对金属氧化物气敏材料的研究现状作了阐述,重点介绍了复合氧化物气敏材料的研究状况,并对其气敏性质进行了概述。展望了金属氧化物半导体气敏材料今后的研究重点及发展方向。
《传感器世界》  2009年 第01期 下载次数(2043)| 被引次数(33)

金属氧化物气敏新材料的开发 

提出了开发n型金属氧化物气敏材料的理论,指出了禁带宽度Eg2 eV的材料都有可能研制薄膜气敏元件,通过Fe2O3/2%CeO2,TiO2/2%CeO2薄膜元件试制成功,论证了理论的正确性;发展了复合材料的开发理论,对ZnSnO3的气敏特性进行了测试。
《计测技术》  2010年 第S1期 下载次数(91)| 被引次数(1)

金属氧化物薄膜晶体管器件的稳定性研究 

薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)是场效应晶体管的一种,其制作方法是在衬底基板上沉积各种功能薄膜叠加而成,如绝缘层、半导体有源层及金属电极层。薄膜晶体管是液晶和有源矩阵有机发光二极管显示器的核心部件,其对显示器件的工作性能起到至关重要的作用。薄膜晶体管的背板技术中,非晶硅TFT迁移率较低,...
华南理工大学  博士论文  2014年 下载次数(1753)| 被引次数(7)

新型金属氧化物薄膜气敏元件基材料的开发 

根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度Eg2 eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe2O3/1 %Sb2O3和TiO2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.
《山东大学学报(工学版)》  2009年 第02期 下载次数(117)| 被引次数(0)

聚苯胺/半导体金属氧化物基光敏材料的制备及其光电器件的设计 

半导体纳米材料具有独特的光电特性,在各种光电功能器件方面(如光探测器,光开关,太阳能电池等)有着广泛的应用前景。探索并开发新的光敏性半导体材料,设计并制造新的光电子器件成为当前的研究热点之一。本论文中,以导电聚苯胺和金属氧化物半导体纳米材料为研究对象,利用固相法,水热法,界面法,静电纺丝法等,制备出优化的半导体材料或其...
东北师范大学  博士论文  2013年 下载次数(990)| 被引次数(2)

金属氧化物TFT驱动AMOLED显示研究进展 

金属氧化物薄膜晶体管(metal oxide thin film transistor,MOTFT)由于具有迁移率高、均匀性好、工艺简单、工艺温度低、成本低等优势,非常适合高分辨率、大尺寸液晶显示(LCD)和有源矩阵有机发光二极管显示(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,因此受到业界和学界的广泛关注.结合本课题组的...
《中国科学:化学》  2013年 第11期 下载次数(981)| 被引次数(6)

半导体金属氧化物的室温固相合成及其气敏特性研究 

以无机盐为原料,在遵守热力学及动力学限制的前提下,对一定摩尔比的反应物进行研磨,使其发生室温固相化学反应而合成了SnO2,In2O3,ZnO,Fe2O3等半导体金属氧化物的纳米粉体;用XRD,TEM测试手段对产物的物相和微观结构进行了表征和分析。结果表明,固相化学反应完全,所得产物为理论产物,且平均粒径小于100nm。...
《稀有金属材料与工程》  2002年 第05期 下载次数(180)| 被引次数(16)

半导体金属氧化物的制备、表征及其气敏性能研究 

半导体金属氧化物气体传感器因其具有结构简单、成本低廉、灵敏度高、工艺成熟等优点,使其在可燃气体、毒性气体的检漏报警,环境气体的监控等领域得到了广泛的应用。但到目前为止,半导体金属氧化物气敏元件仍然存在选择性差、功耗高、环境温湿度效应大等缺点,而且人们对其气敏机理的认识还不是十分清楚,从而限制了气体传感器的广泛发展和应用...
华南理工大学  博士论文  2011年 下载次数(1044)| 被引次数(7)

半导体金属氧化物(ZnO,ZnSnO_3)纳米材料的合成及其气敏性能研究 

半导体金属氧化物ZnO与ZnSnO3都是良好的气敏材料,ZnO与ZnSnO3纳米材料的合成与制备研究,是研究其特性与应用的基础,对于进一步加深理解晶体的形成过程与机理等物理和化学问题具有重要的意义。在传感领域内,对它们的气敏特性进行研究以及改良,探索其相成分、形貌、结构与敏感性质之间的内在联系,同样也具有重...
吉林大学  博士论文  2010年 下载次数(1192)| 被引次数(2)

三元金属氧化物透明导电薄膜的制备及特性 

介绍 Sn In Cu 三种金属合金的氧化物薄膜的合成,对各种元素的含量做了分析,证明薄膜的透过率可以和 ITO 薄膜持平,对紫外线有较高透过率。指出了退火过程对透过率的影响.通过对元素能谱的测量,发现薄膜中元素含量与金属的比含量有关.对比了薄膜和衬底的元素含量,清楚了测量中出现的疑点。同时也给出了各种元素在膜中的分布...
《红外与激光工程》  2006年 第S2期 下载次数(89)| 被引次数(0)

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