金属氧化物阻变存储器性能提升的方法和机理研究 

随着半导体工艺技术的不断发展,市场对高密度、高速度、低功耗、低成本的非挥发存储器的需求日益增大。目前主流的Flash非挥发存储器由于自身结构的限制,在不断缩小的特征尺寸下面临严峻的挑战,比如浮栅氧化层厚度无法随器件尺寸的缩小而无限制的减薄等。因此,探索性能优越的下一代非挥发存储器成为存储器领域研究重中之重。新型存储器M...
复旦大学  硕士论文  2011年 下载次数(546)| 被引次数(1)

原子层淀积金属氧化物阻变存储器件研究 

随着闪存技术即将达到尺寸极限而面临无法等比例缩小的问题,一种基于材料电阻转变特性的电阻式存储器(RRAM)由于其结构简单、可缩微能力强、高速、高密度、可三维集成以及与CMOS工艺良好的兼容性等诸多优点,被研究者们广泛关注。研究已经发现了很多具有阻变特性的介质薄膜材料,然而在材料选择、制备工艺,以及器件阻变存储机理等方面...
复旦大学  博士论文  2012年 下载次数(1018)| 被引次数(5)

金属氧化物阻变存储效应及其机理研究 

目前主流的Flash非挥发性存储器由于自身结构的限制,正面临着尺寸无法继续缩小的瓶颈。因此,探索性能优越的下一代非挥发性存储器成为存储器领域研究重中之重。近年来,一种基于材料在电压激发下阻值发生可逆转变的存储器(RRAM)备受关注,有望成为下一代非挥发性存储器的主导者。RRAM不仅结构简单,而且速度快,密度高,与CMO...
浙江师范大学  硕士论文  2014年 下载次数(108)| 被引次数()

金属氧化物忆阻器件的制备及其阻变存储、神经突触仿生研究 

忆阻器被认为是除电阻、电容、电感之外的第四种基本无源电子器件。其阻值能够随流经电量而发生改变,并且记住它的状态。近年来,忆阻器以其独特的非线性电学性质而引起极大的研究兴趣并在许多领域有着广泛应用,特别是在阻变式随机存储器及神经突触仿生器件研究领域:忆阻器能够在高低阻状态之间进行相互转变,并因其高速度、高密度、低功耗等特...
东北师范大学  博士论文  2013年 下载次数(1045)| 被引次数(0)

二元金属氧化物阻变存储器的专利技术发展综述 

阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器。其存储材料层以二元金属氧化物最具有显著优势。它组分简单,工艺上同于控制,并且和CMOS工艺具有良好的兼容性。本文从专利文献作为切入口,...
《电子制作》  2014年 第21期 下载次数(70)| 被引次数()

基于二元金属氧化物阻变存储器的研究 

随着诸如手机、MP3、MP4、笔记本电脑等便携式个人设备的逐渐流行,以及近年来计算机技术、互联网技术以及新型大众化电子产品的高速发展,非挥发性存储器在半导体行业中扮演越来越重要的角色。非挥发性存储器最大的优点在于在无电源供应时存储的数据仍能长时间保持下来。目前市场上的非挥发性存储器以闪存(Flash)为主流,占半导体存...
兰州大学  博士论文  2011年 下载次数(892)| 被引次数(9)

ZnO基多元金属氧化物阻变开关的制备与研究 

随着存储器的快速发展,传统Flash存储器尺寸已经接近其物理限制。阻变存储器(RRAM)凭借其结构简单、功耗低、读写速度快、储存密度高以及与现有CMOS工艺相兼容等特点,被认为是下一代非易失性高密度存储器的有力竞争者。金属氧化物薄膜作为阻变开关介质层材料表现出了良好的阻变特性,是当前阻变存储器的研究热点,但要进一步实用...
电子科技大学  硕士论文  2016年 下载次数(42)| 被引次数()

基于二元金属氧化物的阻变存储器研究 

近年来,随着手机、数码相机、个人PC、平板电脑等便携式电了产品的普及,非易失性存储器的重要性日益凸显。Flash浮栅存储器是目前非易失性存储器市场上的主流器件。但是随着技术节点的不断推进,Flash浮栅存储器面临着严峻的技术挑战。为了适应未来技术对非易失性存储器的要求,多种新型存储器,如铁电存储器(FeRAM)、磁性存...
兰州大学  博士论文  2012年 下载次数(656)| 被引次数(11)

过渡族金属氧化物基阻变器件电阻转变特性及其机理研究 

电阻型随机存储器(RRAM)是一类非常有前途的新型非易失性半导体存储器。基于过渡金属氧化物材料的RRAM器件具有“价格低,功率小,速度快,与CMOS工艺兼容性更好及物理性能更丰富”等优点,是新一代非易失性存储器的有力候选者。经过十多年地发展,相关器件的制备和新材料体系的开发上有了明显进展。然而RRAM领域中仍然存在很多...
武汉理工大学  博士论文  2013年 下载次数(368)| 被引次数(1)

金属氧化物忆阻特性的增强与新型多功能生物忆阻器 

随着半导体技术的飞速发展,基于电荷存储的存储器尺寸已接近其物理极限,亟需寻找一种新型存储技术突破此技术瓶颈。忆阻器以其独特的非线性电学性质在基础电路扩展、逻辑电路设计及生物仿真等领域具有广泛应用,尤其是在存储器的研究领域具有巨大的潜在价值。本文以金属氧化物和DNA材料为基础,结合激光分子束外延、热蒸发和旋涂技术制备了A...
聊城大学  硕士论文  2015年 下载次数(85)| 被引次数(0)

复杂过渡金属氧化物的电阻开关行为研究 

在一些金属/绝缘体/金属的三明治结构组成的电阻式随机存储器(RRAM)中,人们只需通过不同电场脉冲就能控制器件的非挥发性状态(高阻态或者低阻态)。RRAM器件具有结构简单、功耗低、速度高、集成密度高等优良性能,受到越来越多的关注,被认为是下一代新型非挥发性存储器的强有力候选者之一。然而,目前这类器件因电阻开关存储机制不...
南京大学  博士论文  2011年 下载次数(148)| 被引次数(1)

过渡金属氧化物薄膜阻变存储材料研究 

随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战.阻变式存储器(RRAM)作为新一代存储器件,因其具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势受到广泛研究.针对过渡金属氧化物薄膜RRAM的研究概况,从RRA...
《华南师范大学学报(自然科学版)》  2013年 第06期 下载次数(243)| 被引次数(3)

透明及柔性金属氧化物薄膜阻变存储器研究 

随着半导体工艺不断向前推进,尤其是进入22nm工艺节点之后,浮栅、沟道和介电层等比例缩小带来物理和技术上的极限,将使得硅基flash半导体存储器面临巨大的挑战,发展新型非易失性存储器迫在眉睫。作为下一代非易失性存储器的有力竞争者,阻变存储器具有结构简单,擦写速度快,功耗低等特点而获得广泛关注。然而随着研究深入,阻变存储...
华中科技大学  博士论文  2015年 下载次数(269)| 被引次数()

过渡金属氧化物自旋和电荷相关信息存储 

信息技术的快速发展在某种程度上要求有高速度和大容量的非易失存储器.然而,随着晶体管尺度达到其量子极限,传统硅半导体器件的继续集成化发展遇到了瓶颈.因此,人们提出了一系列有潜力成为下一代更具功能性的存储器原型器件,并引起了广泛而持续的研究热潮.本文介绍3种基于新材料和新结构的新型存储原型器件:阻变开关器件、有机自旋阀和多...
《中国科学:物理学 力学 天文学》  2012年 第11期 下载次数(147)| 被引次数()

基于二元金属氧化物的阻变存储器研究 

随着半导体工艺技术的迅猛发展,器件特征尺寸不断缩小。当集成电路工艺技术节点达到32nm时,目前主流的基于电荷存储机制的存储器Flash的存储机理逐渐接近物理极限。主要原因是隧穿氧化层厚度越来越薄,漏电流越来越大,导致隧穿氧化层无法有效存储电荷。近年来,新型非挥发性存储器RRAM凭借其器件结构简单、集成度高、存储密度高、...
西安电子科技大学  硕士论文  2014年 下载次数(58)| 被引次数(0)

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