多孔硅/Alq光电特性  CNKI文献

自1990年Canham[1]首次发现了在室温下多孔硅强烈的可见光致发光以及1992年第一个多孔硅基的发光二极管[2]被研制出后,多孔硅的研究引起了人们的极大关注。但是单纯由多孔硅制备的发光二极管,由于多孔硅表面性能不稳定...

李东升 杨德仁... 2004年中国材料研讨会论文摘要集 2004-11-01 中国会议

多孔硅的光电特性研究及阵列化多孔硅的...  CNKI文献

硅材料是现代大规模集成电路的基础,是微电子学领域中最重要,应用最广泛的一种材料。但由于硅属于窄禁带、间接带隙材料,故其发光性能差、发光效率低,无法应用于光电器件,因此限制了硅材料在光电子学领域中的应用。19...

方斌 导师:杨德仁 浙江大学 2005-05-01 硕士论文

多孔硅反射镜基有机微腔器件的微结构和光电特性  CNKI文献

从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布 Bragg 反射镜(PS-DBR)/SiO2/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分 PS-DBR 由低成本、高效率的电化学腐...

熊祖洪 樊永良... 《中国科学E辑:工程科学 材料科学》 2005年03期 期刊

多孔硅与有机发光材料复合的光电特性  CNKI文献

用旋涂法实现了多孔硅(PS)与有机发光材料聚乙烯咔唑(PVK)和八羟基喹啉(Alq3)的复合,研究了PS/(PVK,Alq3)复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现,PS/PVK复合体系的PL同时具有PS和PVK的峰;在485nm的位置出现了...

赵毅 夏明哲... 《光电子·激光》 2003年09期 期刊

多孔硅与有机材料复合光电特性研究  CNKI文献

在硅基上实现场致发光是实现全硅集成电路的基础，然而由于硅的间接能带结构所带来的在光致发光(PL)和电致发光(EL)方面十分低下的量子效率(＜10~(-4)‰)以及窄小的能带隙(1.1eV)所产生的近红外区域光发射，硅材料在光...

赵毅 导师:阙端麟 浙江大学 2003-06-01 硕士论文

多孔硅基有机复合体系光电特性研究  CNKI文献

硅材料是现代大规模集成电路的基础，是微电子学领域中最重要且应用最广泛的一种材料。但由于硅属于窄禁带、间接带隙材料，故其发光性能差、发光效率低，无法应用于光电器件。因此，这限制硅材料在光电子学领域中的应...

周成瑶 导师:杨德仁 浙江大学 2004-06-01 硕士论文

用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性  CNKI文献

利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔...

熊卫华 熊祖洪... 《半导体学报》 2001年09期 期刊

多孔硅光电特性及其应用  CNKI文献

通过对金属铝、多孔硅及单晶硅样品在无光照和有光照两种不同条件下I-U特性的测试,研究了多孔硅光电特性及其应用.结果表明,多孔硅(PS)具有高的电阻率和敏感的光学特性

马丽珍 刘红军... 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 1999年04期 期刊

多孔硅的光电化学特性研究  CNKI文献

研究了多孔硅的光电化学特性和溶液中的光致电荷转移机理．由P型单晶硅制备的多孔硅具有P型半导体的光电性质，且光电流响应高于单晶硅．由于多孔硅表面态能级对光致电荷的陷阱作用，多孔硅呈现了独特的光电流响应和光...

王宝辉 王德军... 《高等学校化学学报》 1997年04期 期刊

新型多孔硅在空气环境中的电子发射和光电响应...  CNKI文献

以开发空气环境中低电压离子源和光电器件为目的,采取光照辅助电化学阳极腐蚀法结合水热铁钝化法制备了一种新型多孔硅。研究了此多孔硅在空气环境中的电子发射性能和光电响应特性.发现这种多孔硅在空气环境中有2～3 ...

沈成银 席晓琴... 《大气与环境光学学报》 2009年06期 期刊