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晶态Si_3N_4/非晶SiO_2同轴纳米线的电子显微学研究  CNKI文献

Si3N4是一种用途广泛的功能材料,Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能。在没有催化剂情况下,我们在硅衬底上直接合成了Si3N4/SiO2同轴纳米线。生长条件:氮气氛,生长温度1250℃,1·5h,自然冷却。...

尤力平 冉广照 《电子显微学报》 2005年04期 期刊

关键词: 同轴纳米线 / SiO_2 / Si_3N_4 / 电子显微学

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晶态Si_3N_4/非晶SiO_2同轴纳米线的电子显微学研究  CNKI文献

Si3N4是一种用途广泛的功能材料,Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能。在没有催化剂情况下,我们在硅衬底上直接合成了Si3N4/SiO2同轴纳米线。生长条件:氮气氛,生长温度1250℃,1·5h,自然冷却。...

尤力平 冉广照 2005年全国电子显微学会议论文集 2005-06-30 中国会议

关键词: 同轴纳米线 / SiO_2 / Si_3N_4 / 电子显微学

下载(16)| 被引(0)

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