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采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的NiFe/FeMn薄膜。在NiFe/FeMn界面插入Pt,发现交换偏置场(Hex)随着插层Pt厚度(tPt)的增加而减小。一个重要的现象是当Pt插层厚度为0.4nm时,在Hex-tPt衰减曲线并非单纯指数...

金川 刘洋... 《真空科学与技术学报》 2008年S1期 期刊

关键词: 交换耦合 / Pt插层 / 磁死层

下载(147)| 被引(6)

Pt插层对NiFe/FeMn薄膜交换耦合的影响  CNKI文献

20世纪50年代,Meiklejion 和 Bean 首先发现由于铁磁和反铁磁间的交换耦合作用引起的交换偏置现象。由于交换偏置在自旋阀巨磁电阻及磁隧道结中的应用,多年来关于铁磁/反铁磁交换耦合的研究一直为人们广泛关注。尽管已...

金川 刘洋... TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集 2007-08-01 中国会议

关键词: NiFe/FeMn / 交换耦合

下载(25)| 被引(0)

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