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Fe掺杂ZnO基稀磁半导体微结构和铁磁性的研究  CNKI文献

ZnO作为一种性能优良的宽带隙半导体材料,具有较高居里温度以及室温铁磁性而成为制备稀磁半导体的重要材料之一,因过渡金属掺杂的Zn O基稀磁半导体材料同时具备电子的电荷特性和自旋特性,使其在自旋电子学和光电...

更藏多杰 导师:马书懿 西北师范大学 2015-05-01 硕士论文

关键词: 稀磁半导体 / 磁控溅射 / ZnO / Fe薄膜

下载(134)| 被引(1)

铜掺杂氧化锌稀磁半导体的缺陷结构、磁学操纵与光电响应性...  CNKI文献

ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体,室温禁带宽度为3.37 eV,是少有的理论上被预测能够产生室温铁磁的半导体材料。与Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(如 GaAs、GaN)类似,通过掺杂、能带工程等方法,ZnO的光、电、磁学性质...

胡亮 导师:朱丽萍 浙江大学 2014-07-04 博士论文

关键词: 铜掺杂氧化锌 / 缺陷铁磁 / 磁操纵 / 光电响应

下载(469)| 被引(2)

过渡族金属掺杂ZnO薄膜的制备与铁磁性能的研究  CNKI文献

稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, DMS)结合了半导体的电荷输运特性和磁性材料的信息存贮特性,是构建新一代自旋电子器件的关键材料。由于磁性元素的引入,使得稀磁半导体拥有一系列不同于一般半导体的特性...

王丽伟 导师:徐叙瑢 北京交通大学 2010-06-01 博士论文

关键词: 稀磁半导体 / 磁控溅射 / 铁磁性 / ZnO

下载(511)| 被引(8)

ZnOMn稀磁薄膜杂质能级和铁磁特性分析  CNKI文献

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上制备了过渡族金属 Mn 掺杂 ZnO 薄膜。采用 X-射线衍射、紫外-可见光学吸收和 Raman 散射技术对薄膜结构和能级特性进行了分析,研究了薄膜结构对杂质能级和室温铁...

于威 杨丽华... TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集 2007-08-01 中国会议

关键词: 杂质能级 / ZnO / 室温铁磁性 / 铁磁特性

下载(37)| 被引(0)

掺杂ZnO薄膜及ZnO基异质结发光器件研究  CNKI文献

ZnO是具有高激子束缚能(~60 meV)的宽带隙(3.37 eV)半导体材料。它在紫外发光(激光)二极管、薄膜晶体管、紫外探测器、气体传感器、稀磁半导体等领域有广阔的应用前景。本论文针对目前ZnO研究中的热点问...

徐海阳 导师:刘益春 中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2006-05-01 博士论文

关键词: ZnO / Mn / 铁磁性 / ZnO

下载(1203)| 被引(4)

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