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BCl_3/H_2外延生长P型硅反应机理的理论研究  CNKI文献

本论文采用Guassian98程序,密度泛函BHandHLYP/6-311G**方法,首次在理论上对以BCl_3作为掺杂源,在常压氢气氛下实际外延生长P型硅的整个过程的微观反应机理进行了理论研究。计算得到了各反应通道中的反应物、中...

马琳 导师:孙仁安 辽宁师范大学 2007-05-01 硕士论文

关键词: 三氯化硼 / 外延生长 / 过渡态 / 理论研究

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