HgCdTe表面/界面光电特性研究  CNKI文献

化合物半导体材料Hg1-xCdxTe凭借其禁带宽度可调、波段覆盖整个红外波段、量子效率高等优点，已成为红外探测器制备最主要的材料。但是碲镉汞材料禁带宽度窄，晶体结构中的Hg-Te键较弱，汞原子易逸出，因而制备出的碲...

徐鹏霄 导师:李向阳 中国科学院研究生院（上海技术物理研究所） 2014-05-01 博士论文

nc-Si/a-Si:H柱状结构复合光导层液晶光阀的制备研究  CNKI文献

本文介绍了液晶光阀光导层的发展、液晶光阀的工作原理及应用，分析了非晶硅薄膜的生长机制以及载流子的横向扩散对分辨率的影响，详细研究了nc-Si／a-Si：H柱状结构复合光导层液晶光阀的制备工艺。...

于永红 导师:杜丕一 浙江大学 2003-03-01 硕士论文

Al/a-Si:H复合薄膜的低温晶化及性能研究  CNKI文献

本文首先对多晶硅薄膜的制备方法、应用前景进行了综述，同时对金属诱导非晶态硅晶化制备多晶硅的研究现状以及诱导机理与应用等进行了系统概述。 本研究中，成功设计了单反应室双沉积法复合镀膜...

王瑞春 导师:杜丕一 浙江大学 2002-02-01 硕士论文

掺Bi热蒸发CdS光导薄膜  CNKI文献

本文用三种方法制备了掺Bi的CdS光导薄膜。一种方法是将Bi粉和CdS粉均匀混合蒸发;第二种方法是将CdS薄膜在CdS掺杂的Bi气氛中扩散,扩散温度为400～450℃;第三种方法是在CdS膜外再镀上一层很薄的Bi膜...

顾培夫 陈惠广... 《光电子·激光》 1992年01期 期刊