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掺杂对氧化镓紫外探测器特性的影响研究  CNKI文献

宽禁带半导体材料氧化镓(β-Ga_2O_3)具有禁带宽度较大(4.9 eV)、理化性质稳定等优势。近年来,氧化镓因其独特的性质引起了研究者的广泛关注。目前氧化镓材料已经被广泛应用于日盲紫外探测、气体检...

侯爽 导师:刘兴钊 电子科技大学 2019-04-01 硕士论文

掺杂Ga_2O_3薄膜晶相、载流子调控及日盲探测器件研究  CNKI文献

氧化镓作为一种新型的直接带隙宽禁带半导体,主要应用于光电探测器、气敏传感器、信息存储器、晶体场效应管,近年来引起极大的研究兴趣。由于氧化镓有5种同分异构体,即α、β、γ、δ、ε,所以研究每种相...

赵晓龙 导师:唐为华 北京邮电大学 2018-04-03 博士论文

关键词: 氧化镓 / 薄膜 / 相变 / 载流子输运

下载(426)| 被引(2)

氧化镓薄膜光电导日盲紫外探测器的研制  CNKI文献

近年来,日盲紫外探测技术因其抗干扰能力强、灵敏度高的优点被广泛关注。而基于宽禁带半导体的日盲紫外探测器则因其体积小、寿命长、功耗低等优点,逐步取代真空光电管成为了当前的主流研究方向。相较于Al Ga N、Zn M...

盛拓 导师:刘兴钊 电子科技大学 2015-04-08 硕士论文

关键词: β-Ga2O3 / 分子束外延 / 日盲紫外探测 / 光电导

下载(913)| 被引(16)

半导体氧化镓与金属的接触特性研究  CNKI文献

单斜结构的氧化镓是一种直接带隙的宽禁带氧化物半导体材料,其禁带宽度约为4.8 eV~4.9 eV,其吸收带边对应深紫外光波段,非常适合制作深紫外光学器件,同时,理论上其巴利加优值因子(εμEb3)仅次于金刚石,将...

岳超 导师:刘兴钊 电子科技大学 2014-04-02 硕士论文

关键词: 分子束外延 / 氧化镓薄膜 / 紫外探测器 / 肖特基二极管

下载(809)| 被引(8)

掺杂对L-MBE法异质外延Ga_2O_3薄膜光电特性的...  CNKI文献

21世纪半导体材料的一个研究热点就是在半导体材料中掺杂少量的金属离子,通过掺入不同的金属离子可以得到P型或N型半导体。直接带隙宽禁带半导体材料—Ga_2O_3,应用范围广泛。Ga_2O_3在深紫外区和可见光区的透过率较...

孔德敏 导师:刘爱华 山东师范大学 2013-04-10 硕士论文

关键词: β-Ga_2O_3薄膜 / 激光分子束外延 / ZnO纳米夹层 / Sn掺杂

下载(254)| 被引(4)

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