主  题

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

主  题

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

等离子体增强原子层沉积制备压电AlN薄膜  CNKI文献

采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在单晶硅衬底上成功制备了具有(002)晶面择优取向的氮化铝(AlN)晶态薄膜,为设计新型压电功能器件提供了思路。利用椭圆偏振光谱仪(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍...

乌李瑛 瞿敏妮... 《半导体技术》 2021年09期 期刊

关键词: 等离子增强原子层沉积(PEALD) / AlN / 晶态薄膜 / 结合能

下载(26)| 被引(0)

等离子体增强原子层沉积增透阻隔膜的研究  CNKI文献

高阻隔高透光率的柔性复合材料在包装和电子封装领域具有很高的应用价值。本文采用等离子增强原子层沉积技术在PET基体上制备了多层结构的增透阻隔膜,研究了等离子增强原子层沉积制备氧化硅和氮化硅的工艺...

林晶 于贵文... 《真空科学与技术学报》 2021年06期 期刊

关键词: 等离子体增强原子层沉积 / PET / 阻隔性 / 增透性

下载(34)| 被引(0)

等离子体增强原子层沉积技术制备过渡金属薄膜的研究...  CNKI文献

原子级的处理对应用于计算和数据存储的最先进的电子设备,以及与物联网、人工智能和量子计算相关的新兴技术正变得越来越重要。等离子体增强原子层沉积(PEALD)是一种原子级表面沉积技术,由于...

田旭 张翔宇... 《真空与低温》 2021年01期 期刊

关键词: 过渡金属薄膜 / 等离子体增强原子层沉积 / 低温

下载(479)| 被引(0)

不同衬底上高品质GaN薄膜的等离子体增强型原子层沉积  CNKI文献

以氮化镓(gallium nitride,GaN)为代表的第三代宽带隙半导体材料,由于其优良的光学(带隙宽度可调:0.67-6.2 eV)和电学(高击穿电场、高电子饱和漂移速率)特性,已在发光二极管、激光器以及高电子迁移率晶体管等器件中得...

刘三姐 导师:郑新和 北京科技大学 2020-04-24 博士论文

关键词: 氮化镓薄膜 / 等离子体增强型原子层沉积 / 氧杂质 / 高品质

下载(143)| 被引(0)

等离子体增强原子层沉积技术制备碳化钴薄膜  CNKI文献

报道了一种新型PE-ALD工艺用于沉积碳化钴薄膜。以脒基钴为前驱体,在氢等离子体作用下,成功制备了碳化钴薄膜。薄膜厚度与沉积循环关系显示薄膜生长为理想的逐层生长行为,100℃下薄膜生长速率为0.0...

樊启鹏 胡玉莲... 《真空》 2019年05期 期刊

关键词: 氢等离子体 / 原子层沉积 / 碳化钴薄膜 / 低温

下载(229)| 被引(2)

TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能  CNKI文献

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表...

王永平 丁子君... 《材料研究学报》 2019年01期 期刊

关键词: 材料表面与界面 / 原子层沉积 / 扩散阻挡层 / 退火

下载(127)| 被引(0)

等离子体增强原子层沉积技术制备铜薄膜  CNKI文献

集成电路的高速发展为铜互连提出诸多要求,其中,如何低温条件(≤150℃)下在大深宽比的通孔或沟槽中沉积保形性好、纯度高、导电性好的铜籽晶层是亟需解决的问题。本文利用等离子体增强原子层沉积技术,以脒...

樊启鹏 胡玉莲... 《真空科学与技术学报》 2018年04期 期刊

关键词: 射频等离子体 / 铜籽晶层 / 原子层沉积

下载(298)| 被引(1)

等离子体增强原子层沉积Al_2O_3钝化多晶黑硅的研究  CNKI文献

黑硅的纳米结构可以大大降低硅表面的入射光反射率,同时由于比表面积的增加使其钝化成为难题,从而影响其太阳电池的性能。等离子体增强原子层沉积(PEALD)法沉积的Al2O3钝化层具有良好的保型性和致密性,适...

蒋晔 沈鸿烈... 《真空科学与技术学报》 2015年01期 期刊

关键词: 等离子体增强原子层沉积 / 黑硅 / 钝化 / 减反射

下载(322)| 被引(0)

等离子体增强原子层沉积系统及其应用研究  CNKI文献

介绍了自行设计的等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统及其原位制备氮掺杂纳米TiO2可见光催化剂的实验结果。PEALD系统主要由远程脉冲感应耦合等离子体发生器、真空反应腔室、真空系统、前驱体输运系统、控...

万军 饶志鹏... 《真空科学与技术学报》 2014年02期 期刊

关键词: 等离子体增强原子层沉积 / 原位掺杂 / 氮掺杂TiO2 / 结构表征

下载(435)| 被引(7)

等离子体增强原子层沉积原理与应用  CNKI文献

等离子体增强原子层沉积(PEALD)是一种低温制备高质量超薄薄膜的有效手段,近年来正受到工业界和学术界广泛的关注。简要介绍了PEALD的发展历史和生长原理。描述了PEALD常见的三种设备构造:自由基增强原子层沉

曹燕强 李爱东 《微纳电子技术》 2012年07期 期刊

关键词: 等离子体 / 原子层沉积(ALD) / 薄膜沉积 / 金属薄膜

下载(1046)| 被引(15)

等离子体增强原子层沉积技术研究  CNKI文献

在集成电路的纳米级微型化趋势下,随着半导体科学技术不断更新换代,原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition, ALD)近年来备受关注。由于ALD技术具有沉积厚度纳米级可控,成膜均匀,保型性好等优点,所以在高...

刘新坤 导师:石建军 东华大学 2012-01-01 硕士论文

关键词: 原子层沉积 / 脉冲调制射频等离子体 / 沉积温度

下载(867)| 被引(1)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势
时间的形状