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氧本征吸除低温退火工艺的研究和改进  CNKI文献

讨论了硅片中氧沉淀形成的机理,推荐一种本征吸除的改进技术,用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中,用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后,可增加...

郑国祥 闵靖... 《固体电子学研究与进展》 1994年02期 期刊

关键词: 本征吸除 / 氧沉淀 / 临界核 / 核生长速率

下载(32)| 被引(2)

硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术  CNKI文献

本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术:机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展,作了详细的评述。

胡才雄 《上海有色金属》 1994年01期 期刊

关键词: 硅片 / 吸除 / 机械损伤 / 激光辐照

下载(91)| 被引(1)

吸除技术  CNKI文献

本文详细地叙了各种硅吸除技术;阐明了非本征吸除、本征吸除和综合吸除的机理和工艺。举例说明了吸除技术的应用。

蒋荣华 梁李成... 《半导体光电》 1990年03期 期刊

关键词: 硅吸除技术

下载(36)| 被引(3)

用三氯乙烯氧化剥层吸除硅外延层微缺陷  CNKI文献

本文提出用三氯乙烯氧化剥层的方法,对硅外延层微缺陷进行吸除处理,并同其它吸除方法作了实验比较及分析讨论,表明这是吸除效果、可靠性和实用性都较好的方法。

朱作云 《西北电讯工程学院学报》 1985年01期 期刊

关键词: 微缺陷 / 硅外延层 / 三氯乙烯

下载(25)| 被引(0)

氧本征吸除工艺的实验研究  CNKI文献

通过红外吸收测量、带电粒子活化分析及腐蚀后的金相观察,证实了经三步热处理退火后的CZ硅片,表面层氧外扩散而形成“清洁区”,体内氧沉淀形成高密度的缺陷区。采用中子活化、C-T测量、p-n结试验等技术,证实了氧...

宗祥福 顾孝义... 《电子学报》 1985年01期 期刊

关键词: 吸收系数 / 氧浓度 / 带电粒子活化分析 / 氧沉淀

下载(14)| 被引(0)

激光损伤硅片背面对微缺陷吸除效果  CNKI文献

本文研究了cwCO_2激光器照射硅片背面产生辐射损伤对微缺陷的吸收效果:对MOS界面特性的影响,对表层少子寿命的影响,对PN结漏电流、晶体管电流放大系数h和击穿电压BV_(ce0)的影响:对集成电路成品率的影响。...

孙金坛 陈军宁 《合肥工业大学学报》 1984年03期 期刊

关键词: 微缺陷 / 金属杂质 / 电流放大系数 / 激光照射

下载(23)| 被引(0)

双重吸杂技术的研究  CNKI文献

本文介绍了“双重吸杂技术”的优点,它比目前常规“POGO”技术,减少了三次CVD 工艺过程,操作简便,有利于大批量生产;报导了具有双重吸杂机制的晶片之吸杂效果。实验证明,不仅可吸除外延层中的多种微缺

叶以正 周士仁... 《哈尔滨工业大学学报》 1982年02期 期刊

关键词: 吸杂技术 / 外延片 / 漏电流

下载(28)| 被引(3)

Si_3N_4对硅晶体中微缺陷吸除  CNKI文献

本文介绍了用CVD 技术通过SiH_4+H_2系统在硅片上沉积硬质Si_3N_4可吸除外延层和CZ 单晶中微缺陷的实验结果。证明在硅片背面生长上Si_3N_4可显著地吸除外延层中的“雾状”微缺陷,也可吸除

叶以正 周士仁... 《哈尔滨工业大学学报》 1982年01期 期刊

关键词: 吸除技术 / Si_3N_4 / 微缺陷 / 硅晶体

下载(23)| 被引(1)

集成电路制备中金属杂质与微缺陷的自吸除  CNKI文献

用高温扩散法制备集成电路,结区会造成金属杂质聚集与晶体缺陷大量导生,这将导致结电特性降低和集成电路失效。本文通过实验分析了在集成电路制备中快速扩散金属杂质和晶体缺陷的一些重要规律特性。根据这...

刘玉岭 《半导体技术》 1981年01期 期刊

关键词: 微缺陷 / 作用距离 / 隔离区 / 发射区

下载(35)| 被引(3)

集成电路制备中金属杂质与微缺陷吸除  CNKI文献

用高温扩散法制备集成电路,结区会造成金属杂质聚集与晶体缺陷大量导生,这将导致结电特性降低和集成电路失效。本文通过实验分析了在集成电路制备中快速扩散金属杂质和晶体缺陷的一些重要规律特性。根据这...

刘玉岭 《河北工学院学报》 1980年02期 期刊

关键词: 微缺陷 / 隔离区 / 金属杂质

下载(20)| 被引(0)

硅外延层中“雾状”微缺陷对器件性能的影响及改善措...  CNKI文献

通过实验,证明了n/n~+外延层经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所形成的“雾状”微缺陷,可导至p-n结的软击穿和低击穿,是降低器件成品率的重要原因之一.针对此种情况,提出了三种在外延层正面吸除杂质的方法:氧化-剥层...

周士仁 王贵华... 《半导体技术》 1980年02期 期刊

关键词: 外延片 / 成品率 / 微缺陷 / 器件性能

下载(110)| 被引(3)

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