β-Ga_2O_3单晶材料及其肖特基二极管的快重离子辐照... CNKI文献
β-Ga_2O_3是一种新型的超宽禁带半导体材料,它的禁带宽度达到4.8-4.9 eV,远高于Si(1.1 eV)、SiC(3.3 eV)、GaN(3.4 eV)的禁带宽度。而且β-Ga_2O_3的理论击穿场强为8 MV/cm,几乎是Ga N和Si C的三倍。这使β-Ga_2O_3基...
艾文思
导师:刘杰
中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所)
2021-06-01
博士论文
单层和少层MoS_2的快重离子辐照效应研究 CNKI文献
近几年单层和少层MoS_2迅速发展并应用于纳米电子器件和光电子器件等领域,本文采用微机械力剥离法制备SiO_2/Si基底上的1-4层MoS_2,通过光学显微镜和Raman光谱仪确定MoS_2的层数,利用兰州重离子加速...
郭航
导师:孙友梅
中国科学院研究生院(近代物理研究所)
2016-04-01
博士论文
荷能重离子辐照在白云母中引起的结构损伤及改性研究 CNKI文献
白云母是一种二维层状结构材料,由于拥有优良的物理性能,白云母在地质考古、固体径迹探测器等方面均有着非凡表现,另外,由于白云母具有较高的介电常数,云母电容器在精度、稳定性、可靠性要求极高的航天、航空、航海、...
张胜霞
导师:刘杰
中国科学院研究生院(近代物理研究所)
2016-04-01
博士论文
快重离子引起的潜径迹研究的新进展 CNKI文献
快重离子与物质的相互作用已经成为一个重要的诱人的领域。快重离子能够在几个纳米园柱体内有效地引起相变。在电子阻止体制下荷能离子引起的径迹可以在很多科学和技术领域中有广泛的应用。本文评述了径迹形成物理机制...
侯明东
刘杰...
固体核径迹论文集——第八届全国固体核径迹学术会议论文集
2004-10-01
中国会议