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六方氧化锌与立方氧化物界面耦合研究  CNKI文献

ZnO基半导体作为当今光电子材料领域最为热门的材料之一,其高质量晶体生长与掺杂仍然是当今研究的热点问题,通过Mg原子的掺入可以使其能带连续可调,推动ZnO基材料在紫外与深紫外应用的进一步发展。同时,多元素的共同掺...

李亚平 导师:王惠琼 厦门大学 2018-06-30 博士论文

关键词: ZnO / MgZnO / NiO / 界面耦合

下载(26)| 被引(0)

掺镁氧化锌的光学性质和结构的研究  CNKI文献

在设计氧化锌(ZnO)材料的新型光电子器件时,通过带隙工程可以在器件异质结构中添加势垒层和量子阱,因此非常重要。要制作这样的光电子器件,需要满足两个重要的要求:一方面要实现ZnO的p型掺杂,另一方面就是禁带宽...

王芳泽 导师:杨庆怡 广西大学 2018-06-01 硕士论文

关键词: MgZnO合金 / 光致发光光谱 / 椭圆偏振光谱 / 拉曼散射光谱

下载(151)| 被引(1)

基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究  CNKI文献

发光波长在300nm以内的光源在食品消毒、临床诊断等方面有重要的应用。可是目前主要的这类光源主要是以氙灯、汞灯等为主,它们一般工作寿命短、稳定性比较差。MgZnO材料除了具备ZnO的高的激子结合能,环境友好...

胡光冲 导师:申德振 中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2014-12-01 硕士论文

关键词: MgZnO / 深紫外 / 等离子体 / MOCVD

下载(123)| 被引(0)

氧化锌基材料、异质结构及光电器件  CNKI文献

Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),是制造高效率短波长探测、发光和激光器件的理想材料。历经10年的发展,ZnO基半导体的研究...

申德振 梅增霞... 《发光学报》 2014年01期 期刊

关键词: 氧化锌 / 氧化镁锌 / 外延薄膜 / 表面/界面工程

下载(4513)| 被引(76)

电子束泵浦氧化锌基量子阱发光与器件研究  CNKI文献

国内外对紫外发光、激光器件的研发热潮不断。相对于电注入,电子束泵浦的方式具有规避电极接触困难,和不受p型掺杂瓶颈限制的优势;与光泵器件相比,更易集成小型化器件。此外,与光泵浦和电注入相比,电子束激励方...

尚开 导师:申德振 中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2013-05-01 博士论文

关键词: 电子束泵浦 / 氧化锌 / 量子阱 / 蒙特卡罗模拟

下载(291)| 被引(0)

锂氮共掺杂ρ型氧化锌基薄膜制备及其发光器件研究  CNKI文献

ZnO是直接带隙II-VI族化合物,具有宽的禁带宽度,高的激子结合能,环境友好,原料丰富等优势,作为一种新型的光电半导体材料而备受关注。自从ZnO的室温光泵浦紫外受激发射被发现后,ZnO在紫外发光器件、低阈值激光器...

刘吉山 导师:申德振 中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2013-05-01 博士论文

关键词: ZnO / ρ型掺杂 / 发光二极管 / 电致发光

下载(475)| 被引(1)

氧化锌基电泵浦激光器件的制备及特性研究  CNKI文献

ZnO材料由于具有宽带隙(3.37 eV),大的激子束缚能(60 meV)等优点,在紫外发光二极管、半导体激光器等方面具有广阔的应用前景。针对目前国际上ZnO电泵浦激光研究方面的不足以及MgZnO材料深紫外激光的研究空白。本...

朱海 导师:姚斌 中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2011-04-01 博士论文

关键词: ZnO薄膜 / MBE / MOS结构 / 异质结构

下载(598)| 被引(6)

纳米结构MgZnO的制备和表征  CNKI文献

本论文利用粉末冶金结合热氧化法制备出纳米结构的MgZnO,并利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜、荧光分光光度计,对样品的成分、形貌、光致发光进行了表征。进而研究了不同Mg质量分数比例的ZnMg合金与温...

陶鹏 导师:徐金城 兰州大学 2010-05-01 硕士论文

关键词: 氧化锌 / MgZnO合金 / 粉末冶金法 / 热氧化法

下载(139)| 被引(0)

氧化锌的能带工程  CNKI文献

ZnO由于具有3.4eV的宽直接禁带和60meV的高激子束缚能,近年来引起了研究者的广泛兴趣,被认为是制备室温或高温蓝光或紫外光发光二极管以及激光二极管的理想材料。ZnO的能带工程是发展高效率的ZnO发光器件的关键,这已经...

胡海华 王家玮 《材料导报》 2009年19期 期刊

关键词: 氧化锌 / 能带工程 / 禁带宽度 / MgZnO

下载(598)| 被引(5)

MgZnO薄膜材料的MOCVD法生长、退火及其发光器件研究  CNKI文献

ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料,室温带宽约为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO和GaN的能带间隙和晶格常数非常接近,可互相提供缓冲层,有相近光电特性。但ZnO还有较GaN更优越特性,如:具有更高的...

董鑫 导师:杜国同 大连理工大学 2008-03-01 博士论文

关键词: 氧锌镁合金 / 氧化锌材料 / 金属有机物化学气相沉积 / 退火工艺

下载(739)| 被引(9)

热氧化金属锌膜制备氧化锌基材料紫外发光性质研究  CNKI文献

氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度高达3.3eV。由于氧化锌具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光,因而被认为是制作紫外半导体激光器的...

陈世建 导师:刘益春 东北师范大学 2002-11-01 硕士论文

关键词: ZnO薄膜 / MgZnO合金薄膜 / 光致发光 / 二次退火

下载(189)| 被引(1)

氧化锌基材料紫外发光性质研究  CNKI文献

ZnO是一种宽带隙的半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。自从日本和香港的科学家在1997年首次实现了室温光泵浦条件下ZnO薄膜的紫外受激发射以来,ZnO材料的研究已经成为国际光电子领域前...

赵东旭 导师:申德振 中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2002-04-01 博士论文

关键词: 溶胶凝胶法 / MgZnO合金薄膜 / ZnO微柱 / 光致发光

下载(799)| 被引(5)

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