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我国深紫外LED高端产业亟待突破  CNKI文献

全球对公共空间和家庭环境的消毒杀菌需求与日俱增,以深紫外LED为代表的新型宽禁带半导体光电器件正成为科技“新触角”,广泛应用于物流、交通、医疗、教育等多个重点行业。深紫外LED作为高效、安全、环保的杀...

解楠 吴頔... 《高科技与产业化》 2022年06期 期刊

关键词: 深紫外LED / 宽禁带半导体 / 氮化铝 / 光电产业

下载(38)| 被引(0)

高质量氮化铝薄膜的生长及其深紫外光电探测器的研究  CNKI文献

近年来,宽禁带半导体材料的相关研究如火如荼。其中,氮化铝(AlN)是典型的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达6.2 eV。作为直接带隙半导体材料,它的吸光系数大,光电转换效率高,截止波长...

张文博 导师:陈占国 吉林大学 2022-05-01 硕士论文

关键词: 超宽禁带半导体 / 氮化铝 / 反应射频磁控溅射 / 后退火

下载(7)| 被引(0)

宽禁带半导体材料——氮化铝单晶  CNKI文献

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝

王琦琨 《人工晶体学报》 2020年07期 期刊

关键词: 氮化铝单晶 / 宽禁带半导体材料 / 碳化硅单晶

下载(630)| 被引(1)

氮化铝宽禁带半导体薄膜的拉曼及椭偏光谱学...  CNKI文献

一系列的超宽禁带半导体氮化铝薄膜采用了MOCVD生长,这些薄膜有着不同位错密度[1]。我们选择其中典型的两片(000,001)进行深入的深紫外(266nm)和可见光(532nm)拉曼光谱及椭圆偏振光谱的研究。细致的分析增进了对氮化铝...

王炳军 尹军华... 第二十届全国光散射学术会议(CNCLS 20)论文摘要集 2019-11-03 中国会议

关键词: AlN / 拉曼光谱 / 椭圆偏振光谱

下载(232)| 被引(0)

宽禁带半导体材料的制备与欧姆接触研究  CNKI文献

氮化硼和氮化铝是一类属于第三代半导体的宽带隙半导体材料,因为这类材料具有良好的物理化学性质,使其在深紫外光电子器件、高频大功率射频器件等领域具有广泛的应用前景。随着研究的不断深入...

李金峰 导师:张纪才 北京化工大学 2019-05-24 硕士论文

关键词: 氮化物 / 欧姆接触 / 氧等离子体修饰 / 退火温度

下载(212)| 被引(1)

奥趋光电在氮化铝单晶生长领域取得突破性进展  CNKI文献

应诺贝尔物理奖获得者天野浩教授为会议主席的组委会邀请,奥趋光电技术(杭州)有限公司在日本横滨4月23~25日举行的LED工业应用国际会议(LEDIA-2019)上,推出了直径60 mm氮化铝单晶及晶圆,该晶圆为迄今为止国内外...

王琪琨 《人工晶体学报》 2019年05期 期刊

关键词: 氮化铝单晶 / 宽禁带半导体 / 突破性进展 / 第三代

下载(132)| 被引(0)

宽禁带AlN及ZnGa_2O_4光电材料的结构、光学与表面...  CNKI文献

随着电子技术及相关产业的迅速发展,以元素半导体Si为代表的第一代半导体材料及以GaAs,GaP,InP等化合物半导体为代表的第二代半导体材料已经不能满足现代电子产业的发展要求。因此,以III-V族...

李瑶 导师:陆翔 广西大学 2019-05-01 硕士论文

关键词: AlN / ZnGa_2O_4 / X射线光电子能谱 / X射线衍射

下载(263)| 被引(0)

宽禁带半导体材料的机遇与挑战  CNKI文献

近代半导体技术虽然仅有七十多年的历史,但已经彻底改变了社会的发展。追溯历史,不难发现半导体技术的蓬勃发展归因于半导体材料自身特殊的物理性质。半导体材料作为重要的基础材料广泛应用于...

李军男 曲研... 《新材料产业》 2018年09期 期刊

关键词: 宽禁带半导体材料 / 氮化硼薄膜 / 外延材料 / 机遇与挑战

下载(1377)| 被引(11)

磁控溅射法制备高质量六方氮化硼薄膜的研究  CNKI文献

六方氮化硼(h BN)既是良好的热导体又是优异的绝缘材料。由于h BN与石墨烯晶格匹配,所以又常被用作石墨烯器件的衬底或绝缘栅材料。而且,h BN还在深紫外光电器件和高温、大功率微电子器件领域有重要的应用前景。...

刘念 导师:陈占国 吉林大学 2016-06-01 硕士论文

关键词: 宽禁带半导体 / 六方氮化硼 / 薄膜制备 / 射频磁控溅射

下载(705)| 被引(2)

第三代半导体或将引发又一次照明革命  CNKI文献

事件:继硅(Si)引导的第一代半导体和砷化镓(GaAs)引导的第二代半导体后,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展...

《新材料产业》 2013年12期 期刊

关键词: 宽禁带半导体材料 / 碳化硅 / 金刚石 / ZnO

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氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)  CNKI文献

评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理...

郑瑞生 武红磊 《深圳大学学报(理工版)》 2010年04期 期刊

关键词: 半导体材料 / 晶体生长 / 氮化铝 / 单晶体

下载(615)| 被引(16)

宽禁带半导体材料—AIN薄膜的离子束合成与表征  CNKI文献

氮化铝(AlN)是近年来广受人们重视的宽禁带半导体材料。它具有许多特 殊的物理性能,因此,在许多方面已得到广泛应用或具有潜在的应用前景。AlN 的主要优异性能如下: ...

程莉莉 导师:俞跃辉 中国科学院上海冶金研究所 2000-05-01 硕士论文

关键词: AIN / 薄膜晶体 / 场发射性能 / 半导体材料

下载(341)| 被引(1)

AIN薄膜的研究进展  CNKI文献

AIN是一种重要的近紫外、蓝光半导体材料。本文就AIN的物理特性,薄膜生长,性能测试分析的研究进展作一些阐述。对AIN在制作发光器件、固溶体合金、电学绝缘等方面的应用也作了探讨

张伟 张仕国 《材料科学与工程》 1996年04期 期刊

关键词: 氮化铝 / 宽禁带半导体 / 异质外延

下载(153)| 被引(6)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

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