激光退火在硅基光电探测器中的应用  CNKI文献

分别对p-i-n和n-i-p两种结构的硅基光电探测器的背面离子注入层进行激光退火处理,辐照功率分别为0.5、1、1.25和1.5J/cm~2。根据激光退火激活载流子模式计算了载流子激活率,获得了载流子浓度和接触...

周弘毅 李冲... 《半导体光电》 2016年01期 期刊

离子注入和退火技术  CNKI文献

离子注入和退火技术（索尼）野口隆１前言多晶硅ＴＦＴ已在ＬＣＤ、ＬＳＩ存储器两个领域中成为重要的开关元件。对于６００℃以上工艺，离子注入和退火技术就成了提高ＴＦＴ性能的最重要的工...

王景义 《微细加工技术》 1994年01期 期刊

离子注入硅CWCO_2激光退火的几个重要参数研究  CNKI文献

本文以CWCO_2激光为热源对不同剂量硼离子注入硅进行快速热退火。某些条件下在退火样品中会引进各种缺陷。本文讨论了注入剂量,激光功率及衬底温度对硅表面形貌的影响。

黄信凡 鲍希茂... 《南京大学学报(自然科学版)》 1990年02期 期刊

高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱  CNKI文献

用Raman光谱测量了高剂量B~+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器件的要求.设计了两...

钱佑华 冷静民... 《半导体学报》 1989年06期 期刊

磷离子注入硅的 CWCO_2激光退火的研究  CNKI文献

本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~+注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec.本文并应用隐式差...

周世禄 朱秉升... 《西安交通大学学报》 1987年01期 期刊

离子注入硅激光和热退火缺陷比较  CNKI文献

本文用透射电子显微镜观察比较了同一注入剂量(5×10~(14)—1×10~(16)cm~(-2)),分别经cw CO_2激光和热退火,磷离子注入硅中缺陷。在1×10~(16)cm~(-2)。激光退火样品中,观...

沈厚运 《武汉大学学报(自然科学版)》 1986年04期 期刊

离子注入硅的非相干光退火  CNKI文献

本文综合概述了非相干光退火的历史,国内外现状,以及在电子工业中的应用前景。将非相干光退火与热退火、射束退火作了比较,表明非相干光退火在很多方面兼有二者的优点,弥补了二者不足之...

罗益民 曹家驹 《微细加工技术》 1986年02期 期刊

激光技术制作硅太阳能电池的现状和展望  CNKI文献

本文概述了激光技术制作太阳能电池的发展状况,对离子注入和沉积掺杂硅太阳能电池的激光退火与热退火作了比较,激光退火离子注入Si太阳能电池转换效率达16.6％(AMI),激光退火沉积...

张思玉 郑克全 《激光与红外》 1985年06期 期刊

离子注入型蓝光灵敏的光电探测器  CNKI文献

报道了离子注入CW CO_2 激光退火硅光电二极管的结果.激光退火工艺与热退火工艺进行了比较,表明这种器件具有峰值响应波长短、蓝光灵敏度高等优点.在波长为4000A时量子效率达0.64.通过测量结...

孙宝寅 刘玉兰... 《半导体学报》 1985年04期 期刊

半导体材料的激光处理  CNKI文献

利用高功率激光加工各种材料已得到迅速发展和广泛应用,其中较成熟的有打孔、切割和焊接,仍在研究中的包括表面合金、激光冲击硬化和激光上釉。最近,利用激光处理半导体材料和制作各种器件引...

王戎瑞 《激光与红外》 1985年03期 期刊

激光在半导体学科中的应用  CNKI文献

电子工业正在迅速发展的今天,要求集成电路向高速度、高集成度、高可靠性、低成本和低功率消耗方向发展。因此对半导体材料和器件生产提出了更高的要求,如提高微细加工,薄层外延,低温浅结掺杂等工艺水平。微波二极管,...

郑克全 张思玉 《激光与红外》 1984年11期 期刊

高功率脉冲激光致硅表面氧的退吸研究  CNKI文献

引言近儿午来,离子注入硅的激光退火研究,引起了人们广泛的兴趣。许多文献报导,高功率脉冲激光退火,能够消除离子注入硅引起的辐射损伤,并使非品态转变为单品。但是,对于激光退火硅样品...

王忠烈 《北京师范大学学报(自然科学版)》 1984年04期 期刊

用激光探针研究CW CO_2激光对离子注入硅  CNKI文献

本文用激光探针测量了砷离子注入硅在 CW CO_2激光退火过程中的实时分辨反射率。从反射率随时间的变化曲线,计算出不同退火温度下的固相外延速率。提出了用 He-Ne、He—cd 双光束探针法可在更...

江剑平 霍玉晶 《应用激光》 1983年06期 期刊

用激光探针法研究CW CO_2激光对砷离子注入  CNKI文献

离子注入半导体的激光退火比通常的热处理方法更引人注意。激光处理的主要优点是掺杂原子可以完全电激活,而且不改变注入的空间分布。本工作是用激光探针直接观察和测量CW CO_2激光

江剑平 霍玉晶 《中国激光》 1983年Z1期 期刊

在离子注入硅激光退火时引入缺陷  CNKI文献

我们用CWCO_2激光对注B~+硅片从背面进行辐照,注入的样品受到激光退火的同时,在背面附近的体内引入了大量的晶格损伤.这些损伤可以作为有害杂质的非本征吸杂源.

鲍希茂 黄信凡... 《半导体学报》 1983年06期 期刊

利用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米...  CNKI文献

采用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波P~+nn~+结构雪崩二极管.器件输出功率达1.25W,效率达7.7％.与热退火工艺结果进行比较.讨论了将连续激光退火用于制备毫米波雪崩管的有利方面.

朱美芳 姚德成... 《半导体学报》 1983年02期 期刊

离子注入硅CO_2激光退火  CNKI文献

半导体硅用离子注入掺杂,优点是精度度、可控性好、问题是高能离子对样片的晶格有破坏作用,如注磷,当注入剂量大于10~(14)(厘米)~2时,样片注入层的晶格就全被打乱了。所以用离子注入掺...

丁乐礼 付汝廉... 《光电子.激光》 1981年02期 期刊

激光退火离子注入硅的电性质和熔化阈限的关系  CNKI文献

本文描述对以宽度为80毫微秒(FWHM,在半最大值的全带宽)、1.06微米激光脉冲退火的离子注入硅的电测量和再生长性能的结果进行比较的研究,在为熔化所需的阈限能量密度、掺杂剂的分布和二极管的结深和...

K.L.Wang 祝明廉 《半导体情报》 1980年05期 期刊

离子注入硅的连续激光退火研究  CNKI文献

离子注入造成的晶格损伤,在半导体应用中有截然相反的两种作用。制造器件的pn结需要消除损伤,

柳襄怀 陈朝荣 ... 《自然杂志》 1979年07期 期刊

离子注入硅Nd-YAG连续激光退火  CNKI文献

本文报导用扫描Nd-YAG连续激光对<100>硅中注铋的损伤层进行的退火研究。测量表明:退火能使离子注入造成的晶格损伤很好恢复,90％以上的铋原子处于替代位置,杂质浓度的分布保持不变。文...

邹世昌 B... 《电子学报》 1979年04期 期刊