放电功率对VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的生长特性的仿真...  CNKI文献

甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅(μc-Si:H)薄膜的主流方法,其生长机理也一直是研究的热点和难点。本文采用Comsol软件中的等离子模块和Chemkin软件中的AUROR模...

陈喜平 陈永生... 《真空科学与技术学报》 2014年01期 期刊

分步法高速沉积微晶硅薄膜  CNKI文献

为提高微晶硅薄膜的纵向结晶性能,在甚高频等离子体增强化学气相沉积技术的基础上,采用过渡参数缓变和两步法相结合的方法在普通玻璃衬底上高速沉积薄膜。当功率密度为2.1 W/cm~2,硅烷浓度在6%和9....

高海波 李瑞... 《物理学报》 2012年01期 期刊

沉积速率对甚高频等离子体增强化学气相沉积制...  CNKI文献

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了沉积速率系列不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明:沉积速率为0....

丁艳丽 朱志立... 《物理学报》 2010年02期 期刊

微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究  CNKI文献

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术在高功率密度和高压强条件下,通过改变硅烷浓度和气体总流量对薄膜沉积参数进行了两因素优化,最终在硅烷浓度为4.5%,气体总流量为100sccm条件下,获得~...

申陈海 卢景霄... 《物理学报》 2009年10期 期刊

单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜太阳电池的初步研究  CNKI文献

单室技术制备硅薄膜太阳电池是降低其成本的重要方法之一。本文在单室中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,以降低单室沉积工艺中的界面污染和提高单室沉积微晶硅电池的性能为目标,详细...

孙福河 导师:张晓丹 南开大学 2009-05-01 硕士论文

硼对沉积本征微晶硅薄膜特性的影响  CNKI文献

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究....

孙福河 张晓丹... 《物理学报》 2009年02期 期刊

VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的等离子体模拟研究  CNKI文献

采用二维自适应流体模型对甚高频等离子体增强化学气相沉积高速率的微晶硅薄膜的过程进行了模拟研究。模拟的结果显示出:同非晶硅薄膜的沉积相比,关键基团的密度具有不同的量级,而且微晶硅薄膜沉积过程中原子H的密度和...

张晓丹 张发荣... 第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代 2008-09-19 中国会议

单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其在电池中的应用  CNKI文献

为确定单室高效太阳电池的沉积参数,用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征微晶硅薄膜,并研究其结构及电学输运特性。选择器件质量级的本征微晶硅薄膜作为电池的有源层,针对单室...

王光红 张晓丹... 第十届中国太阳能光伏会议论文集：迎接光伏发电新时代 2008-09-19 中国会议

微晶硅材料和电池特性的相关研究  CNKI文献

主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在1...

张晓丹 赵颖... 《太阳能学报》 2007年12期 期刊

1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应...  CNKI文献

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得...

张晓丹 张发荣... 《半导体学报》 2007年02期 期刊

本征微晶硅材料及其在电池中的应用  CNKI文献

采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和功率的微晶硅薄膜。材料的电学特性和结构特性测试结果表明:制备出了符合太阳电池用的本征微晶硅薄膜。材料应用于电池中,制备出了效率达6.6%的微晶硅电...

高艳涛 张晓丹 ... 《真空科学与技术学报》 2005年05期 期刊

微晶硅薄膜的制备及结构和稳定性研究  CNKI文献

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅...

张晓丹 赵颖 ... 《物理学报》 2005年08期 期刊

高速微晶硅材料的制备及其特性分析  CNKI文献

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜。对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500~700、激活能在0.5 eV左右、沉积...

张晓丹 赵颖 ... 《真空科学与技术学报》 2005年04期 期刊

弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响  CNKI文献

研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜(μc-Si∶H)及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大,μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加,变化范围...

黄君凯 杨恢东 《半导体学报》 2005年06期 期刊

VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究  CNKI文献

采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含...

张晓丹 赵颖 ... 《电子学报》 2005年05期 期刊

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池  CNKI文献

采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试...

张晓丹 赵颖... 《半导体学报》 2005年05期 期刊

本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研...  CNKI文献

本文对VHF PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0. 51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的...

张晓丹 高艳涛... 《人工晶体学报》 2005年02期 期刊

二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染  CNKI文献

运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶...

张晓丹 赵颖 ... 《物理学报》 2005年04期 期刊

VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析  CNKI文献

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅

张晓丹 高艳涛 ... 《人工晶体学报》 2005年01期 期刊

VHF-PECVD低温制备微晶硅薄膜的拉曼散射光谱和光发射...  CNKI文献

采用拉曼散射光谱和PR6 5 0光谱光度计对VHF PECVD制备的微晶硅薄膜进行了结构表征和在线监测研究 .结果表明 :功率对材料的晶化率 ( χc)有一定的调节作用 ,硅烷浓度大 ,微调作用更明显 ;SiH 的强度只能在一定...

张晓丹 赵颖... 《物理学报》 2005年01期 期刊