太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算  CNKI文献

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器...

李凡 史衍丽... 《红外与激光工程》 2011年07期 期刊

GaAs集成电路辐照效应试验研究  CNKI文献

GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面。电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研究,主要对该电路进行中子、γ...

王文君 田国平 《半导体技术》 2010年08期 期刊

硅基螺旋电感和GaAs HEMT建模研究  CNKI文献

近年来,无线通信市场的飞速发展对小型化、低功耗、低成本、高性能的收发机提出了大量的需求,使得射频集成电路越来越受到人们的重视,成为当今科技研究的热点。本文围绕射频集成电路中应用的无源硅基片上螺旋电感和有...

谷明凤 导师:马建国 电子科技大学 2010-05-10 硕士论文

X波段脉冲功率放大器的设计与实现  CNKI文献

微波功率放大器在雷达、卫星、飞船、电子对抗等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比,微波功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点。由于微波功率放大器在...

张亮 导师:肖高标 上海交通大学 2009-03-01 硕士论文

GaAs MESFET和HEMT大信号模型的研究  CNKI文献

砷化嫁(GaAs)晶体是一种电学性能优越的Ⅲ一V族化合物半导体材料,以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、低功耗、低噪声等突出的优点而得到广泛应用。GaAs器件及其集成电路在...

陈辉 导师:马建国 电子科技大学 2008-04-01 硕士论文

GaAs PHEMT开关电路研究  CNKI文献

概述了微波毫米波结构高电子迁移率晶体管的结构特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件。利用GaAs PHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通信用的GaAs MMIC大功率高线性单...

肖湘萍 《贵州教育学院学报》 2008年03期 期刊

砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究  CNKI文献

在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT。在大量统...

王蕴辉 莫郁薇... 《电子产品可靠性与环境试验》 2007年02期 期刊

GaAs MESFET微波固态振荡器的设计与实现  CNKI文献

通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器。电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化。由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54 GHz,输出功率为14.95 dBm,在200 kHz下的相位噪声为...

陈维富 林基明 《半导体技术》 2007年04期 期刊

GaAs MESFET/PHEMT大信号建模  CNKI文献

大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础,在分析传统建模方法的基础上,对传统的ColdFET测量技术和寄生元件参数提取提出了改进方法,大栅宽器件引入了脉冲I-V曲线的测试方法,改进了EEFET/EEHEMT模型的...

张书敬 杨瑞霞... 《电子器件》 2007年01期 期刊

超快电脉冲瞬态取样理论、方法和实验研究  CNKI文献

在高能物理和天体物理实验中，涉及到许多纳秒级至皮秒级单次事件，因此超快电脉冲(皮秒级上升沿、单次)的瞬态取样方法成为一个重要的科学问题，由此兴起一个新兴的电子科学—皮秒电子学。目前基于GaAs、InP材料制作...

陈宇晓 导师:杨谟华 电子科技大学 2006-12-01 博士论文

高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响  CNKI文献

采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程。研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效...

张寒峭 黄卡玛 《强激光与粒子束》 2006年11期 期刊

基于流体动力学模型的2维砷化镓金属半导体场效应管数...  CNKI文献

介绍了用于描述工作在高频强电场条件下的亚微米半导体器件的流体动力学模型,并讨论了为求解流体动力学模型所采用的算子分裂方法和有限体积法。使用流体动力学模型,对亚微米GaAs金属半导体场效应管器件进行了2维数值...

贡顶 韩峰... 《强激光与粒子束》 2006年07期 期刊

射频功率放大器的研究与设计  CNKI文献

射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点...

李文广 导师:吴国安 华中科技大学 2006-05-01 硕士论文

面向高频的GaAs开关电流镜设计  CNKI文献

讨论了采用砷化镓场效应管对改进开关电流电路高频性能作用,采用砷化镓技术设计了电流镜电路,对电路主要的时钟匮入、电荷注入以及输出电导效应造成的误差原理及其补偿进行了分析,提出了一种新的包含共栅...

李友明 胡惟文 《湖南文理学院学报(自然科学版)》 2006年01期 期刊

半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶中的杂质与缺陷  CNKI文献

GaAs晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及集成电路，由于具有信息处理速度快等优点而受到青睐，成为近年来研究的热点。以液封直拉半绝缘GaAs为衬底的金属半导体场效应晶...

孙卫忠 导师:徐岳生 河北工业大学 2006-03-01 博士论文

GaAs MESFET电压驱动器  CNKI文献

采用射频GaAs集成电路的技术,开发GaAs MESFET低功耗电压驱动器电路,电路采用3英寸0.5um栅长GaAs圆片工艺,单路TTL电平输入,输出两路互补的电压信号。高电平0.2V,低电平-4.1V,驱动器工作电流0.7mA。

陈新宇 2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册） 2006-02-27 中国会议

GaAs MESFET的热电子应力退化  CNKI文献

进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤V_(DS)≤28V,-5．5V≤V_(CS)≤-4V 的应力条件下,热电子效应将导致 GaAs MESFET 直流参数的严重退化。退化模式主要表现为饱和漏电流 I_(DSS)减小,跨导 g_m 减小...

朱炜容 黄云... 《电子产品可靠性与环境试验》 2005年06期 期刊

砷化镓射频功率MESFET大信号模型研究  CNKI文献

砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料，广泛应用于射频微波领域。GaAs 材料具有较宽的禁带、高载流子漂移速度等许多优点，具有广阔的应用领域。在 微波功率器件中，GaAs金属半导体场效应晶体...

刘桂云 导师:张义门 西安电子科技大学 2005-01-01 硕士论文

砷化镓高速专用集成电路设计  CNKI文献

随着电子信息技术的飞速发展，更高的信息容量和传输速率要求半导体器件的工 作频率进一步提高。人们通过多年探索找到了新的第二代半导体材料-(GaAs)。GaAs 中的电子迁移率是Si中电子迁移率的6倍，...

吴振奎 导师:李跃进 西安电子科技大学 2005-01-01 硕士论文

提高GaAs MESFET击穿电压的研究  CNKI文献

砷化镓微波功率场效应晶体管(GaAs MESFET)是一种在电子行业中广泛应用的化合物半导体器件,它对微波功率器件和集成电路的发展具有很重要的影响。但是,国内GaAs MESFET栅漏击穿电压(BV_(gd))普遍偏...

李亚丽 导师:杨瑞霞 河北工业大学 2005-01-01 硕士论文