主  题

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

主  题

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

一种1200V碳化硅沟槽MOSFET的新结构设计  CNKI文献

为了实现能源的高效利用,通过减小器件的导通电阻和栅漏电容来降低MOSFET的功耗一直是功率电子学的研究热点,但二者存在折衷关系.碳化硅的材料优势使碳化硅MOSFET更适合高频应用,在不过多增大导通电阻...

高明阳 顾钊源... 《微电子学与计算机》 2022年07期 期刊

关键词: 碳化硅 / TSN结构 / 特征导通电阻 / 特征栅漏电容

下载(74)| 被引(0)

高压4H-SiC PiN二极管及其脉冲放电特性研究  CNKI文献

宽禁带半导体碳化硅(Silicon carbide,SiC)功率器件具有耐高压、耐高温、低损耗等独特优势,使得其在空间体积、能量效率以及可靠性要求较高的场景应用潜力巨大。结构简单且性能优异的高压SiC PiN二极管作为SiC功...

陶梦玲 导师:邓小川 电子科技大学 2022-04-01 硕士论文

关键词: 碳化硅 / 高压 / PiN二极管 / 终端结构

下载(19)| 被引(0)

1700V SiC MOSFET器件设计及可靠性研究  CNKI文献

由于集成电路产业的迅速发展和电力电子功率系统对高效率的要求,以碳化硅(SiC)为典型代表的第三代半导体(宽禁带半导体)引起普遍重视。因为优良材料特性,SiC功率器件可以在高温、高压、高频条件下工作。相比于传...

刘佳月 导师:邓小川 电子科技大学 2022-04-01 硕士论文

关键词: 碳化硅 / MOSFET / 阈值电压 / 偏置温度不稳定性

下载(62)| 被引(0)

集成二极管的碳化硅MOSFET器件新结构研究  CNKI文献

得益于单极导通输运机理和优越的材料特性,在相同功率密度下,SiC MOSFET往往比SiIGBT有着更高的工作频率,较大的禁带宽度和较高热导率也为SiC MOSFET的安全稳定运行提供了保障。近十年来,伴随着衬底质量的提高和制备技...

邢云鹏 导师:邓小川 电子科技大学 2022-04-01 硕士论文

关键词: SiC / MOSFET / 集成二极管 / 第三象限

下载(46)| 被引(0)

功率SiC MOSFET优化设计及可靠性研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)材料作为第三代宽禁带半导体材料之一,具有非常良好的物理和电学特性,在制造功率器件方面具有广阔的应用前景。与Si基MOSFET相比,SiC MOSFET具有导通电阻低,热稳定性好,开关速度快,阻断电压高等特点...

王奇涵 导师:张有润 电子科技大学 2022-04-01 硕士论文

关键词: 碳化硅 / MOSFET / 可靠性 / 栅氧失效

下载(49)| 被引(0)

碳化硅半导体材料的辐照试验及表征研究  CNKI文献

介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C...

朱泓达 《黑龙江科学》 2022年04期 期刊

关键词: 碳化硅材料 / 辐照试验 / 原子平均离位损伤 / C-AFM测试

下载(573)| 被引(0)

新型双面交叉T型沟槽碳化硅中子传感器  CNKI文献

基于Geant4工具包对碳化硅中子传感器的性能进行了分析。分别对平面型和沟槽型中子传感器的结构参数进行了优化以使它们的本征探测效率取得最大值。基于双面交叉型碳化硅中子传感器结构,提出一种新型双面...

董翰林 于成浩... 《传感器与微系统》 2022年02期 期刊

关键词: 碳化硅 / 中子传感器 / 蒙特卡洛分析 / 探测效率

下载(96)| 被引(0)

碳化硅超级结肖特基二极管的理论和工艺研究  CNKI文献

近年来,随着新能源汽车、轨道交通、能源互联网和国防军工等应用领域的快速发展,碳化硅(SiC)凭借着卓越的材料性能受到产业界和学术界越来越广泛的关注。SiC作为第三代宽禁带半导体材料,有着禁带宽度宽、临界击...

王宝柱 导师:张军明 浙江大学 2021-12-01 博士论文

关键词: 碳化硅 / 超级结 / 肖特基二极管 / 沟槽角度

下载(768)| 被引(0)

高鲁棒性碳化硅MOSFET的设计、研制和评估  CNKI文献

随着光伏发电、风力发电、氢能源等新能源技术的迅速发展,全球化石能源正在逐步被清洁新能源取代。将太阳能、风能、地热能、海洋能等转化为电能则是实现新能源得到广泛应用的关键途径。电力电子技术是支撑具有更高新...

徐弘毅 导师:盛况 浙江大学 2021-12-01 博士论文

关键词: 碳化硅 / 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET) / 平面栅 / 高温离子注入

下载(837)| 被引(1)

基于激光退火欧姆接触工艺的AlGaN/GaN HEMT器件研究  CNKI文献

作为第三代半导体材料中的杰出代表,氮化镓材料相比于硅材料具有更大的禁带宽度和更高的击穿场强,可广泛应用于LED照明、5G通讯、电动汽车和消费类电子充电器等领域,已经成为国际半导体领域的重点研究方向之一。不同于...

侯明辰 导师:盛况 浙江大学 2021-09-30 博士论文

关键词: AlGaN/GaN / HEMT器件 / 激光退火工艺 / 欧姆接触

下载(688)| 被引(1)

准分子激光辐照4H-SiC制备欧姆接触的表面损伤及工艺研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)因其优越的物理性能和超高的化学稳定性,在电子器件半导体材料中占据着举足轻重的地位。在制造以硅面为主的碳化硅功率器件过程中,可靠欧姆接触的制备一直是基于SiC电子器件的研究热点,传统上...

王震洲 导师:叶翔 上海师范大学 2021-09-01 硕士论文

关键词: 准分子激光 / 碳化硅 / 欧姆接触 / 周期性结构损伤

下载(83)| 被引(0)

碳化硅MPS二极管的设计、工艺与建模研究  CNKI文献

电能是当今人类消耗能源的主要形式,并且所占比例逐年上升。因此,对电能进行处理和变换的电力电子技术就显得越来越重要。半导体功率器件是电力电子技术的核心元件。近年来,基于碳化硅(SiC)材料的新一代功率器件...

吴九鹏 导师:盛况 浙江大学 2021-06-30 博士论文

刻蚀对SiC MOS界面特性的影响机理研究  CNKI文献

具有宽禁带、高击穿电压和高导热性的碳化硅(SiC)有潜力生产出功能远远优于硅(Si)半导体的大功率电子器件。SiC由于具有宽禁带、高击穿电压和高饱和电子漂移速度等优良的物理性能,是高功率电子器件中极具吸引力...

朱浩 导师:张静 北方工业大学 2021-06-01 硕士论文

关键词: SiC / MOSFET / SiC / SBD

下载(321)| 被引(0)

4H-SiC JBS二极管的设计与应用研究  CNKI文献

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率和高热导率等特性,是制作功率器件的理想材料。相较于传统硅(Silicon,Si)基功率器件,SiC器件可以缓解导通电阻和...

姜玉德 导师:顾晓峰 江南大学 2021-06-01 硕士论文

关键词: 碳化硅 / 结势垒肖特基二极管 / 电学特性 / 可靠性

下载(309)| 被引(0)

用于IGBT的4H-SiC材料生长及器件制备研究  CNKI文献

更高阻断电压、更高功率密度、更高转化效率是电力电子器件技术发展持续追求的目标。相比于传统的硅(Si)材料,4H晶型碳化硅(4H-Si C)材料拥有更大的禁带宽度,更高的临界击穿电场强度和热导率等材料特性,适用于高...

李赟 导师:韩平 南京大学 2021-05-20 博士论文

关键词: 化学气相沉积 / 4H-SiC / 高速外延 / 缺陷

下载(260)| 被引(0)

超高压SiC功率器件新结构与实验研究  CNKI文献

万伏级超高压功率器件主要应用在高压直流输电、全电化舰船、高能激光武器等领域。尽管硅(Si)器件通过串联形式可以将模块电压做到10 kV以上,但是元器件数量多,拓扑结构繁杂,寄生效应增多,极大地制约了超高压大功率电...

文译 导师:张波 电子科技大学 2021-04-28 博士论文

关键词: 超高压 / 碳化硅 / 结终端结构 / PiN二极管

下载(535)| 被引(1)

高压场控型碳化硅功率晶体管的设计与制造  CNKI文献

相比于硅基绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT),碳化硅基金属-氧化物-场效应晶体管(SiC MOSFET)具有更低的功率损耗、更高的工作温度和更高的开关频率。面向下一代轨道交通牵引变流器提升转换效率和功率密度的迫切需求...

陈喜明 导师:张波 电子科技大学 2021-04-15 博士论文

SiC MOSFET器件设计及阈值电压稳定性研究  CNKI文献

随着半导体产业的不断发展以及功率半导体需求不断增加,宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件能在高温、高压、高频以及复杂的辐照环境下工作,因此受到广泛关注。相比于硅功率器件,SiC功率器件有更小的功率损耗和更...

侯子婕 导师:邓小川 电子科技大学 2021-04-01 硕士论文

关键词: 碳化硅 / MOSFET / 短沟道 / 迟滞效应

下载(486)| 被引(0)

Mo-C/4H-SiC肖特基二极管的设计与研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)作为第三代的半导体材料因其优良的特性而成为近期研究的热门。在研究碳化硅器件时可以发现金属与半导体的接触质量会直接影响到碳化硅器件的电学特性,影响器件的应用。而如何制备良好的...

杨朝阳 导师:王颖 杭州电子科技大学 2021-03-01 硕士论文

关键词: SiC / Mo-C合金 / 肖特基接触 / 势垒均匀性

下载(167)| 被引(0)

高压碳化硅功率UMOSFET的元胞设计与单粒子损伤模拟研...  CNKI文献

由于碳化硅功率UMOSFET器件集高性能与高可靠性于一身,所以碳化硅功率UMOSFET器件除了在日常生活场景中得到广泛的应用外,在各种军用设备和各种航天航空设备上都被普遍的使用。当碳化硅功率UMOSFET...

程有忠 导师:王颖 杭州电子科技大学 2021-03-01 硕士论文

关键词: 4H-SiC / UMOSFET / 击穿电压 / 特征导通电阻

下载(103)| 被引(0)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势
时间的形状