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Ag纳米颗粒修饰的ZnCdO薄膜及其异质结器件的发光性能...  CNKI文献

ZnO是一种透明氧化物半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV。通过向ZnO中掺入Cd元素得到ZnCdO合金,可以有效减小ZnO的禁带宽度,从而调节ZnO的光致发光从紫外至绿光波段。然而,由于p型ZnO制备困难,人们通常选择用...

程熹 导师:吕有明 深圳大学 2019-06-30 硕士论文

关键词: 脉冲激光沉积 / ZnCdO薄膜 / Ag局域表面等离子体 / 异质结发光二极管

下载(42)| 被引(0)

ZnCdO合金薄膜及其异质结构的制备和光学性能的...  CNKI文献

ZnO是直接跃迁宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下禁带宽3.37e V,激子束缚能高达60me V,是制备发光二极管和半导体激光器的理想材料。通过能带工程可以实现对Zn O的能带调节,将与Zn O晶格匹配的合金材料应用到Zn O...

马一丹 导师:吕有明 深圳大学 2015-05-10 硕士论文

关键词: ZnCdO薄膜 / 能带工程 / 脉冲激光沉积 / 光致发光

下载(75)| 被引(1)

非极性ZnO基薄膜制备及Na掺杂和ZnMgO/ZnO多量子阱研...  CNKI文献

氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带的直接带隙化合物半导体材料,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能60meV,是制备发光二极管和半导体激光器的一种有潜力的材料。由于ZnO通常沿着c轴方向生长,具有很强的自发极化和压电极化效...

李洋 导师:叶志镇 浙江大学 2014-06-09 博士论文

关键词: 非极性ZnO薄膜 / 非极性ZnMgO薄膜 / 非极性ZnCdO薄膜 / Na掺杂

下载(441)| 被引(1)

掺杂ZnO和In_2O_3电子结构和光学性质的第一性原理及实验研...  CNKI文献

透明导电氧化物薄膜(TCO)由于其优异的性能,成为科研和工业上的重点研究课题。TCO薄膜具有较低的电阻系数和高的可见光透明度,已经广泛应用于光电子器件之中(例如:太阳能电池,触摸屏,传感器等)。In2...

白丽娜 导师:连建设 吉林大学 2014-06-01 博士论文

关键词: 密度泛函理论 / 脉冲激光沉积 / 溶胶凝胶方法 / 掺杂氧化锌

下载(2204)| 被引(7)

高晶体质量ZnCdO薄膜ZnCdO/ZnO多量子阱的生...  CNKI文献

分别在石英衬底和c面蓝宝石衬底上制备了ZnCdO薄膜ZnCdO/ZnO多量子阱结构。XRD和PL测试分析表明该ZnCdO薄膜具有单一取向和高晶体质量。对多量子阱结构进行低温PL测试得到较强的势阱层发光峰和较...

蒋杰 朱丽萍... 《中国科技论文》 2013年06期 期刊

关键词: ZnCdO薄膜 / 量子阱 / 脉冲激光沉积 / 光致发光

下载(60)| 被引(1)

ZnO基合金薄膜ZnCdO/ZnO量子阱的结构与光学...  CNKI文献

ZnO的禁带宽度为3.37eV和激子束缚能为60meV,是制备半导体发光二极管和激光器的理想材料。ZnO基器件设计的一个重要步骤是实现其能带调节从而制备量子阱结构。为实现ZnO的能带调节,ZnMgO、ZnCdO以及ZnSO等...

蒋杰 导师:朱丽萍 浙江大学 2013-04-30 博士论文

关键词: ZnO薄膜 / ZnCdO合金薄膜 / ZnSO合金薄膜 / 量子阱

下载(501)| 被引(4)

ZnCdO薄膜的制备及性能研究  CNKI文献

在半导体研究中,具有六方纤锌矿晶体结构的ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽带隙化合物半导体材料的研究热点。ZnO的晶格常数a=0.3249nm, c=0.5207nm,禁带宽度在室温下约为3.28eV,激子束缚能为60meV,可实现室温下的紫外受激发射,被认为...

周祖全 导师:张庆瑜 大连理工大学 2012-05-10 硕士论文

关键词: 脉冲激光沉积 / 磁控溅射 / ZnCdO薄膜 / 导电原子力

下载(159)| 被引(1)

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