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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT  CNKI文献

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN

任春江 李忠辉... 《半导体技术》 2008年S1期 期刊

关键词: 氧化镓铝/氮化镓 / 高电子迁移率晶体管 / 电流崩塌

下载(185)| 被引(10)

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT  CNKI文献

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)...

任春江 李忠辉... 第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议... 2008-11-30 中国会议

关键词: 氧化镓铝/氮化镓 / 高电子迁移率晶体管 / 电流崩塌

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4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进  CNKI文献

采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底A lGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性。与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏...

王冲 张进城... 《功能材料与器件学报》 2006年03期 期刊

关键词: 高电子迁移率晶体管 / 台面隔离 / 泄漏电流

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4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制  CNKI文献

报道了在 4 H- Si C衬底上 Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管 (HEMT)的研制和室温特性测试结果 .器件采用栅长为 0 .7μm,夹断电压为 - 3.2 V,获得了最高跨导为 2 0 2 m S/ m m,最大漏源饱和电流密度为 915 m A/ m m的...

郝跃 杨燕... 《半导体学报》 2004年12期 期刊

关键词: 4H-SiC / AlGaN/GaN / 高电子迁移率晶体管

下载(265)| 被引(5)

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