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Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的缺陷研究及退火改性  CNKI文献

Cd_(1-x)Zn_xTe晶体具有十分优异的光、电性能,既可作为外延HgCdTe的衬底,又可用来制作X射线及γ射线探测器、太阳能电池等多种光电转换器件,是一种非常重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。对以外延衬底为应用背景的C...

李宇杰 导师:介万奇 西北工业大学 2001-01-01 博士论文

关键词: Cd_(1-x)Zn_xTe / 点缺陷 / 缺陷化学计算 / 退火

下载(770)| 被引(12)

大尺寸Cd_(1-x)Zn_xTe晶体籽晶垂直布里奇曼法生长...  CNKI文献

Cd_(1-x)Zn_xTe(CZT)晶体是迄今制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料,同时也是外延生长红外探测器材料HgCdTe的最佳衬底材料。而获得大尺寸的CZT单晶则成为目前研究的热点。本文主要研究了籽晶垂直布里...

徐亚东 导师:介万奇 西北工业大学 2007-03-01 硕士论文

关键词: Cd_(1-x)Zn_xTe / 晶体生长 / 籽晶垂直布里奇曼法 / 红外透过率

下载(565)| 被引(9)

化合物半导体Cd_(1-x)Zn_xTe中的In掺杂及其与Au的...  CNKI文献

Cd_(1-x)Zn_xTe晶体具有优异的光电特性,是理想的室温核辐射探测器用材料。尽管对Cd_(1-x)Zn_xTe的研究由来已久,但在高电阻Cd_(1-x)Zn_xTe晶体制备、大直径Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长以及金属与Cd_(1-x)Zn_xTe晶体接触...

杨戈 导师:介万奇 西北工业大学 2007-05-01 博士论文

关键词: Cd_(1-x)Zn_xTe / 生长掺杂 / 退火掺杂 / 缺陷

下载(299)| 被引(2)

温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe  CNKI文献

利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20~30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱...

王东 闵嘉华... 《功能材料》 2012年10期 期刊

关键词: 碲锌镉 / 温度梯度溶液生长法 / 红外透过率 / Te夹杂

下载(164)| 被引(2)

Characterization of Cd_(1-x)Zn_xTe(0≤x≤1...  CNKI文献

ZnTe,CdTe,and the ternary alloy CdZnTe are important semiconductor materials used widely for the detection of an important range of electromagnetic radiation as gamma ray and X-ray.Although,recently ...

Joel Díaz-Reyes Roberto Saúl Castillo-Ojeda... 《Journal of Electronic Science and Technology》 2019年02期 期刊

关键词: Ⅲ-Ⅴ / substrates / atomic / layer

下载(16)| 被引(0)

Cd_(1-x)Zn_xTe晶体退火条件的选择及Zn压对退...  CNKI文献

采用传统Bridgman方法和加入acceleratedcruciblerotationtechnique的Bridgman(缩写为ACRT B)方法生长的Cd1 -xZnxTe(x=0 .0 4)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷 .为了减少甚至消除这些缺陷 ,必须将生长...

李宇杰 张晓娜... 《物理学报》 2001年12期 期刊

关键词: Cd1-xZnxTe / 退火 / 气-固平衡

下载(171)| 被引(8)

Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的In气氛扩散热处理研究  CNKI文献

为了满足辐射探测器件的需要,将生长得到的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体在In气氛下进行退火处理能有效提高晶体的电阻率等性能.退火处理过程的实质是一个扩散过程,因此研究扩散系数与Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的性能特别是电阻率变化...

李万万 孙康 《物理学报》 2006年04期 期刊

关键词: CdZnTe / 热处理 / In气氛 / 扩散系数

下载(90)| 被引(8)

Cd_(1-x)Zn_xTe材料电子结构和光学性质的第一性原理...  CNKI文献

采用基于第一性原理密度泛函理论的CASTEP程序软件包,运用LDA+U的方法,计算了Cd1-xZnxTe的电子结构和光学性质。计算结果表明:通过LDA+U的修正计算,得到的Cd1-xZnxTe禁带宽度与实验值接近,消除了Cd1-xZnxTe材料在电子...

曾冬梅 刘皖... 《材料导报》 2015年S1期 期刊

关键词: Cd1-xZnxTe / LDA+U / 电子结构 / 光学性质

下载(97)| 被引(0)

碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_xTe)材料的第一性原理研究  CNKI文献

Cd_(1-x)Zn_xTe(CZT)材料具有优良的光敏特性和电学性质,其应用领域或多或少都涉及到材料结构完整性的问题,因此材料结构的优化已经成为亟待解决的重要问题之一。本文简要介绍了借助第一性原理的方法研究CZT材料,通过...

段鹤 《红外》 2006年12期 期刊

关键词: 碲锌镉材料 / 第一性原理

下载(238)| 被引(4)

HSE方法研究Cd_(1-x)Zn_xTe合金的性质  CNKI文献

采用HSE杂化势计算了Cd1-xZnxTe合金的性质,并获得了较传统GGA更为准确的光学带隙和形成焓.在构建超胞计算合金体系时,采用SQS模型.计算分析得出Cd1-xZnxTe合金的光学带隙下凹参数为0.266 eV,这与已报道实验结果 0.25...

徐海涛 徐闰... 《红外与毫米波学报》 2012年05期 期刊

关键词: Cd1-xZnxTe合金 / HSE杂化势 / 形成焓 / 光学带隙

下载(101)| 被引(0)

渐变带隙Cd_(1-x)Zn_xTe太阳电池光电转换效率的数值...  CNKI文献

Cd_(1-x)Zn_xTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV~2.26eV间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准电场。该电场不仅能将俄歇复合发生的位...

曹鸿 江锦春... 《红外》 2010年10期 期刊

关键词: 渐变带隙 / 太阳电池 / 复合速率 / 光电转换效率

下载(198)| 被引(1)

P型Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜的制备及性质研究  CNKI文献

采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnxTe薄膜进行p型掺杂。用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnxTe薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及...

赵宇 江洪超... 《光谱学与光谱分析》 2013年05期 期刊

关键词: Cd1-xZnxTe薄膜 / P型掺杂 / 退火

下载(63)| 被引(0)

垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研...  CNKI文献

使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度...

王智贤 赵北君... 《新疆大学学报(自然科学版)》 2008年04期 期刊

关键词: CdZnTe晶体 / 蚀坑 / 位错分布 / 完全弛豫弹性应力近似

下载(174)| 被引(2)

Cd_(1-x)Zn_xTe太阳电池的一维数值模拟研究  CNKI文献

具有禁带宽度在1.45~2.25eV连续可调特性的Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜,用于顶电池在叠层薄膜太阳电池中有巨大的应用潜力。文章使用AMPS-1D对CdS/CZT结构的薄膜太阳电池进行模拟,研究了CZT与金属接触的背电极势垒、CZT薄膜...

曹五星 武莉莉... 《半导体光电》 2013年04期 期刊

关键词: CZT / 数值模拟 / 叠层电池 / 效率

下载(75)| 被引(0)

三温区坩埚下降法生长Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体  CNKI文献

CdZnTe晶体是一种性能优异的室温核辐射探测器材料。在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响。根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZn...

邱春丽 赵北君... 《功能材料》 2009年01期 期刊

关键词: CdZnTe / 单晶生长 / 坩埚下降法 / 三温区

下载(209)| 被引(1)

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