In_2O_3及SiC基稀磁半导体薄膜的局域结构和磁...  CNKI文献

稀磁半导体（DMS）因兼具半导体和磁性的特点，即在同一种材料中同时应用电子自旋和电子电荷两种自由度，而受到广泛关注。同时，其作为自旋电子学器件的后备材料，迅速成为研究的热点。目前，DMS尚处于研究阶段，存在...

段岭申 导师:安玉凯 天津理工大学 2012-01-01 硕士论文

Cr掺杂SiC薄膜的制备与光致发光特性  CNKI文献

利用高纯SiC烧结靶上粘贴金属Cr片的复合靶用双离子束溅射沉积方法,在Si和KBr单晶衬底上制备了掺杂SiC薄膜。用傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)和喇曼光谱仪对制得的薄膜样品进行了表征,用荧...

朱小健 洪波... 《微纳电子技术》 2009年04期 期刊

掺杂SiC薄膜的结构及物性研究  CNKI文献

SiC作为一种优秀的微电子材料,以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点,在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子集成器件方面具有重要的应用价值而备受重视。稀磁半导体在自旋...

金成刚 导师:吴雪梅 苏州大学 2008-05-01 硕士论文