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机械-化学耦合作用下GeSbTe相变材料的微观损伤行为  CNKI文献

为了研究机械磨损、化学腐蚀对锗锑碲(GeSbTe)相变材料微观损伤行为的影响,利用原子力显微镜(AFM)及SiO_2探针对GeSbTe表面在不同工况下产生的微观损伤进行了研究。实验结果表明:在大气环境下,G

杨凯 王晓东... 《微纳电子技术》 2020年09期 期刊

关键词: 微观磨损 / GeSbTe / 原子力显微镜(AFM) / 机械作用

下载(92)| 被引(0)

GeSbTe相变存储材料微观磨损及腐蚀损伤行为研究  CNKI文献

相变存储器由于其具有高存储密度、读/写速度快、抗干扰能力强等特点被誉为下一代非易失性存储器。在相变存储器的制备过程中,需使用CMP(Chemical Mechanical Polishing)工艺去除存储结构表面多余的Ge

杨凯 导师:程广贵 江苏大学 2020-06-01 硕士论文

关键词: 化学机械抛光 / GeSbTe / 微观磨损 / 机械作用

下载(85)| 被引(0)

基于相变材料GeSbTe的微结构制备及其光学性质...  CNKI文献

近年来,可调谐和可重构超材料和超表面成为研究热点,而相变材料GeSbTe(GST)合金相变可逆的特性为微结构的可调谐和可重构性提供了一种实现方案。GST被广泛用作可擦写光盘记录介质,具有实现相变

张腾 导师:姜永远 哈尔滨工业大学 2018-06-01 硕士论文

关键词: 相变材料 / GeSbTe / 激光直写 / 微结构

下载(440)| 被引(2)

碲基硫系化合物材料的忆阻特性研究  CNKI文献

自2008年被实验实现以来,忆阻器就受到了全球研究人员的广泛关注。忆阻器能记忆流经其的电荷,因而在非易失性存储、逻辑运算、神经网络和可编程电路等领域都具有广阔的应用前景。然而目前忆阻器的研究仍处于起步阶段,...

张金箭 导师:缪向水 华中科技大学 2014-05-01 博士论文

硫系相变存储材料SbTe/GeSbTe的光电性质及其基...  CNKI文献

随着信息科学的迅猛发展,人们对存储器的存储密度和存储容量的要求也在不断提高。在众多类型的半导体存储器中,相变存储器(PCRAM)被认为是最有可能取代静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)和闪存(FLASH...

杨菲 导师:徐岭 南京大学 2013-05-01 博士论文

关键词: 相变存储器 / GeSbTe相变材料 / 非晶态 / 晶态

下载(202)| 被引(3)

硅掺杂对硫系相变材料锗锑碲薄膜性质影响机制...  CNKI文献

相变存储器具有读写速率快、可靠性高、微缩能力强等优点,因而被认为是最有希望替代闪存的下一代通用非易失性存储器。目前相变存储器的研究中亟待解决的问题是降低器件功耗以提高器件集成密度,而解决该问...

江一帆 导师:徐岭 南京大学 2013-05-01 硕士论文

关键词: 相变存储器 / GeSbTe合金 / Si掺杂 / 原位电阻测试

下载(351)| 被引(1)

相变存储材料Ge_2Sb_2Te_5的电子显微学研究及非晶结...  CNKI文献

本论文工作综合使用了透射电镜明场像(BF-TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨像(HREM)、X射线能量色散谱(EDS)、能量过滤电镜(EFTEM)和原位透射电镜(in-situ TEM)等电子显微学表征方法,并建立了电子衍射径向分布函数(...

张雷 导师:张泽 北京工业大学 2012-04-01 博士论文

关键词: 相变存储材料 / 结构表征 / 径向分布函数 / 非晶结构

下载(1077)| 被引(6)

GeSbTe相变薄膜的激光热刻蚀性质研究  CNKI文献

GeSbTe是一种广泛研究用于光存储和电存储的相变材料,其在激光辐照产生的热效应的作用下可以发生晶态与非晶态之间的相互转化。这种相态之间的变化会引起物理化学性质的变化。在合适的刻蚀液中,两相的刻蚀速率会表现出...

邓常猛 耿永友... 中国光学学会2011年学术大会摘要集 2011-09-05 中国会议

关键词: 激光热刻蚀 / 相变材料 / GeSbTe / 湿法刻蚀

下载(62)| 被引(0)

用于新型相变存储器的锗锑碲薄膜的结构和电学...  CNKI文献

相变存储器由于具有读写速度快、能耗低、非挥发性、数据保持时间长以及与硅加工工艺兼容等特点,被认为是最有可能取代目前的SRAM、DRAM、FLASH等产品成为未来主流的存储器产品。因其广阔的前景,相变存储...

刘文强 导师:徐岭 南京大学 2011-05-01 硕士论文

关键词: 相变存储器 / GeSbTe相变材料 / 非晶态 / 晶态

下载(521)| 被引(4)

硫系薄膜的力学及摩擦性能研究  CNKI文献

利用电子回旋共振CVD设备制备了一种硫系GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性。结果表明:GeSb_2Te_4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增...

聂德品 《材料导报》 2008年S3期 期刊

关键词: GeSbTe膜 / 抗压性能 / 摩擦性能 / 相变存储

下载(45)| 被引(0)

相变存储薄膜的纳米压痕及摩擦性能研究  CNKI文献

利用电子回旋共振CVD设备制备了GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性。结果表明:GeSb2Te4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm...

丁建宁 解国新 第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛论文... 2006-08-01 中国会议

关键词: GeSbTe膜 / 机械性能 / 摩擦性能

下载(57)| 被引(1)

相变存储薄膜的纳米压痕及摩擦性能研究  CNKI文献

利用电子回旋共振CVD设备制备了GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性。结果表明:GeSb2Te4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm...

丁建宁 解国新 第六届全国表面工程学术会议论文集 2006-08-01 中国会议

关键词: GeSbTe膜 / 机械性能 / 摩擦性能

下载(25)| 被引(0)

基于GeSbTe膜的探针存储机制的研究  CNKI文献

针对基于原子力显微镜(AFM)的探针相变存储研究中存储介质和存储方法2个关键问题进行了尝试性的研究。比较了用直流磁控溅射部分不同工艺参数所制备的GeSb2Te4薄膜的表面性能,同时对探针诱导相变机...

范真 丁建宁... 《材料导报》 2006年02期 期刊

关键词: AFM / 信息存储 / GeSbTe膜

下载(112)| 被引(0)

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