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He~(2+)注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼...  CNKI文献

利用拉曼光谱研究了He~(2+)注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关...

韩驿 彭金鑫... 《现代应用物理》 2018年03期 期刊

关键词: 碳化硅 / 离子注入 / 拉曼光谱 / 损伤累积

下载(105)| 被引(0)

碳化硅超级结肖特基二极管的研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带宽度、高临界击穿场强、高热导率及高载流子饱和速率等特性。上述材料优势使得SiC功率半导体器件在新能源发电、高铁牵引设备、混合动力汽车...

仲雪倩 导师:盛况 浙江大学 2018-07-04 博士论文

关键词: 碳化硅 / 超级结 / 肖特基二极管 / 深槽刻蚀

下载(1110)| 被引(2)

高能离子注入SiC后的离子分布和损伤程度研究  CNKI文献

电力系统对于SiC功率器件的迫切需求使其制造工艺成为研究热点和必须解决的关键问题,掌握离子注入掺杂工艺对于提升SiC功率器件的性能具有重要意义。应用基于蒙特卡洛算法的SRIM程序对高能N、P、B、...

陈杰 邓二平... 《智能电网》 2017年08期 期刊

关键词: 高能离子 / SiC / 蒙特卡洛 / 离子分布

下载(207)| 被引(3)

正电子湮没技术研究离子注入型半导体材料中的缺陷与...  CNKI文献

同时利用了电子电荷属性和自旋属性的稀磁半导体是自旋电子学器件的核心材料,有望给未来的信息传输与处理、存储方式与规模带来重大变革,是目前材料科学和信息技术等众多研究领域的前沿热点。稀磁半导体通常由含有3d或...

徐菊萍 导师:叶邦角 中国科学技术大学 2017-04-26 博士论文

关键词: 稀磁半导体 / d0 / 磁性 / 电子自旋极化

下载(350)| 被引(5)

4H-SiC常温Al离子注入技术  CNKI文献

通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和剂量的组合进行了常温注入实验,注入深度为500 ...

王冬雨 林文魁... 《微纳电子技术》 2017年02期 期刊

关键词: 碳化硅 / 离子注入 / 注入损伤 / 喇曼光谱

下载(389)| 被引(1)

基于石墨烯通道的场效应晶体管的可制造性研究  CNKI文献

晶体管是计算机高速运行的保障,晶体管技术的发展推动了计算机产业的革命,摩尔定律则间接推动了整个半导体行业的发展。现有的加工工艺已经发挥到了较高的阶段,传统材料极限无法突破,亟待更优良的新型材料出现来推...

蔡佳媛 导师:彭倍 电子科技大学 2012-04-01 硕士论文

关键词: 石墨烯 / 场效应晶体管 / TCAD / 制造工艺

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钒掺杂半绝缘SiC的制备及特性研究  CNKI文献

半绝缘碳化硅(SiC)材料对于SiC器件的制作和性能具有非常重要的意义,特别是对功率器件、深亚微米器件和微波功率器件更是如此。半绝缘材料既可以做器件的衬底,又可以作为器件间的隔离。更重要的是,无论从...

王超 导师:张义门 西安电子科技大学 2008-04-01 博士论文

关键词: 半绝缘碳化硅 / / 离子注入 / 退火

下载(840)| 被引(7)

微波低噪声放大器毁伤机理研究和SiC薄膜的外延生长与...  CNKI文献

本文由两篇构成,第一篇是微波低噪声放大器(LNA)毁伤机理研究,第二篇是SiC薄膜的外延生长与等离子体刻蚀技术研究。 由于半导体器件和集成电路以及由其构成的电路系统自身存在着一些易损的薄弱环节,在外界电...

柴常春 导师:杨银堂 西安电子科技大学 2005-10-01 博士论文

关键词: 半导体器件 / 集成电路 / 微波低噪声放大器 / 注入式毁伤实验

下载(318)| 被引(3)

注入钒形成碳化硅半绝缘层的理论和技术研究  CNKI文献

本文对离子注入钒形成半绝缘碳化硅的机理、方法和工艺进行了深入的研究。首先对碳化硅材料中的深能级进行了仔细研究,发现钒在碳化硅带隙中引入位于带隙中央附近的深施主能级和深受主能级,为补偿形成半绝缘碳...

杨晓菲 导师:张玉明 西安电子科技大学 2005-01-01 硕士论文

关键词: 碳化硅 / 半绝缘 / 离子注入 /

下载(206)| 被引(5)

SGOI新材料制备与PⅢ硅基发光材料研究  CNKI文献

SiGe-On-Insulator(SGOI)新材料是微电子技术领域的前沿技术,它结合SiGe和SOI两种先进技术的优势,在将来高速、低耗、高密集成电路以及光电集成、系统级芯片(System-On-Chip)等方面有着重要的应用前景,尤其是在实现...

安正华 导师:林成鲁 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) 2003-12-25 博士论文

关键词: 锗硅 / 绝缘层上的硅 / 绝缘层上锗硅 / 束线离子注入

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离子注入6H-SiC引起的损伤及其光学性质...  CNKI文献

离子注入是制作半导体器件和集成电路的重要工艺之一。对于Si而言,离子注入技术已经相当成熟,但对于SiC,则仍然是需要进一步研究的课题。本文就利用椭圆偏振光技术、拉曼光谱和吸收光谱对离子~#...

洪根深 导师:龚敏 四川大学 2002-05-24 硕士论文

关键词: 6H-SiC / 离子注入 / 椭圆偏振光法 / 拉曼光谱

下载(191)| 被引(1)

注入损伤对6HSiC光学性质的影响  CNKI文献

SiC是一种重要的宽禁带半导体材料,在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。SiC中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了SiC 的~#...

王连卫 黄继颇... 《功能材料与器件学报》 1999年03期 期刊

关键词: SiC / 注入损伤 / 光学性质

下载(72)| 被引(0)

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