主  题

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

主  题

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号

全  文

不  限

  • 不  限
  • 1915年
  • 1949年
  • 1979年

不  限

  • 不  限
  • 1979年
  • 1949年
  • 1915年
  • 全  文
  • 主  题
  • 篇  名
  • 关键词
  • 作  者
  • 作者单位
  • 摘  要
  • 参考文献
  • 基  金
  • 文献来源
  • 发表时间
  • 中图分类号
设置
  • 关闭历史记录
  • 打开历史纪录
  • 清除历史记录
引用
筛选:
文献类型 文献类型
学科分类 学科分类
发表年度 发表年度
作者 作者
机构 机构
基金 基金
研究层次 研究层次
排序:
显示:
CNKI为你找到相关结果

4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件  CNKI文献

介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶...

张跃 张腾... 《电子元件与材料》 2022年04期 期刊

关键词: 4H-SiC / 台阶型沟槽 / MOSFET / 栅氧化层

下载(31)| 被引(0)

新型双面交叉T型沟槽碳化硅中子传感器  CNKI文献

基于Geant4工具包对碳化硅中子传感器的性能进行了分析。分别对平面型和沟槽型中子传感器的结构参数进行了优化以使它们的本征探测效率取得最大值。基于双面交叉型碳化硅中子传感器结构,提出一种新型双面交叉T型沟槽结...

董翰林 于成浩... 《传感器与微系统》 2022年02期 期刊

关键词: 碳化硅 / 中子传感器 / 蒙特卡洛分析 / 探测效率

下载(72)| 被引(0)

碳化硅超级结肖特基二极管的理论和工艺研究  CNKI文献

近年来,随着新能源汽车、轨道交通、能源互联网和国防军工等应用领域的快速发展,碳化硅(SiC)凭借着卓越的材料性能受到产业界和学术界越来越广泛的关注。SiC作为第三代宽禁带半导体材料,有着禁带宽度宽、...

王宝柱 导师:张军明 浙江大学 2021-12-01 博士论文

关键词: 碳化硅 / 超级结 / 肖特基二极管 / 沟槽角度

下载(523)| 被引(0)

高鲁棒性碳化硅MOSFET的设计、研制和评估  CNKI文献

随着光伏发电、风力发电、氢能源等新能源技术的迅速发展,全球化石能源正在逐步被清洁新能源取代。将太阳能、风能、地热能、海洋能等转化为电能则是实现新能源得到广泛应用的关键途径。电力电子技术是支撑具有更高新...

徐弘毅 导师:盛况 浙江大学 2021-12-01 博士论文

关键词: 碳化硅 / 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET) / 平面栅 / 高温离子注入

下载(550)| 被引(0)

准分子激光辐照4H-SiC制备欧姆接触的表面损伤及工艺...  CNKI文献

碳化硅(SiC)因其优越的物理性能和超高的化学稳定性,在电子器件半导体材料中占据着举足轻重的地位。在制造以硅面为主的碳化硅功率器件过程中,可靠欧姆接触的制备一直是基于SiC电子器件的研究热点,传统上...

王震洲 导师:叶翔 上海师范大学 2021-09-01 硕士论文

关键词: 准分子激光 / 碳化硅 / 欧姆接触 / 周期性结构损伤

下载(45)| 被引(0)

SiC/Al基复合材料界面调控  CNKI文献

界面润湿性和界面反应极大地限制了SiC/Al基复合材料的制备和性能提升。虽然通过实验、计算机模拟计算等研究揭示了Al-SiC的高温润湿行为和界面反应机理,得到了界面润湿和界面反应的理论模型,但调控润湿...

焦宇鸿 朱建锋... 《材料导报》 2022年09期 期刊

关键词: SiC/Al基复合材料 / 界面润湿性 / 界面反应 / 界面调控因素

下载(640)| 被引(0)

碳化硅MPS二极管的设计、工艺与建模研究  CNKI文献

电能是当今人类消耗能源的主要形式,并且所占比例逐年上升。因此,对电能进行处理和变换的电力电子技术就显得越来越重要。半导体功率器件是电力电子技术的核心元件。近年来,基于碳化硅(SiC)材料的新一代功率器件...

吴九鹏 导师:盛况 浙江大学 2021-06-30 博士论文

刻蚀对SiC MOS界面特性的影响机理研究  CNKI文献

具有宽禁带、高击穿电压和高导热性的碳化硅(SiC)有潜力生产出功能远远优于硅(Si)半导体的大功率电子器件。SiC由于具有宽禁带、高击穿电压和高饱和电子漂移速度等优良的物理性能,是高功率电子器件中极具...

朱浩 导师:张静 北方工业大学 2021-06-01 硕士论文

关键词: SiC / MOSFET / SiC / SBD

下载(251)| 被引(0)

4H-SiC JBS二极管的设计与应用研究  CNKI文献

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为第三代半导体的代表,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率和高热导率等特性,是制作功率器件的理想材料。相较于传统硅(Silicon,Si)基功率器件,SiC器件可以缓解导通...

姜玉德 导师:顾晓峰 江南大学 2021-06-01 硕士论文

关键词: 碳化硅 / 结势垒肖特基二极管 / 电学特性 / 可靠性

下载(220)| 被引(0)

高性能SiC-TVS器件结构设计及实验研究  CNKI文献

电磁脉冲(EMP)与浪涌携带的高能量冲击会使整机或电子元器件损坏,瞬态电压抑制二极管(TVS)具有响应快、吸收功率高等优点,是常用的防护型器件。将其并联到工作电路两端,会以常规不到1 ns的时间吸收成千上万的浪涌功率...

祁力峰 导师:汤晓燕 西安电子科技大学 2021-06-01 硕士论文

关键词: 4H-SiC / TVS / 击穿电压 / 钳位电压

下载(15)| 被引(0)

离子注入辅助在6H-SiC表面制备石墨烯  CNKI文献

为了寻找一种更便捷、更经济的在半导体SiC基底上直接生长石墨烯的方法,将5keVC离子注入商用6H-SiC(0001)单晶,通过拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征研究石墨烯质量和生长过程...

陈钰焓 赵子强... 《北京大学学报(自然科学版)》 2021年03期 期刊

关键词: 碳离子注入 / 石墨烯 / SiC / 石墨舟

下载(66)| 被引(0)

纳米粒子对氧化物弥散强化钢与钒合金的辐照损伤行为的影响  CNKI文献

结构材料是未来聚变堆开发应用面临的关键瓶颈问题之一,ODS钢和钒合金都因其优越的性能被认为是聚变堆结构材料的重要候选。但目前对辐照环境下ODS钢的组织稳定性尚未形成统一的结论;对钒合金的辐照损伤行为的研究还处...

张一帆 导师:万发荣 北京科技大学 2021-05-16 博士论文

关键词: 辐照损伤 / 纳米粒子 / 辐照硬化 / ODS钢

下载(280)| 被引(0)

4H-SiC MOS栅控器件新型结构设计与特性研究  CNKI文献

随着现代工业的进步与功率半导体技术的发展,碳化硅(SiC)功率器件作为“新起之秀”受到越来越多的关注,被称为是推进新能源消费革命的绿色环保器件。SiC MOSFET更是以其独特而优越的电学性能,在高频、高压...

宋旭 导师:罗小蓉 电子科技大学 2021-05-01 硕士论文

关键词: SiC / MOSFET / 双极退化 / 异质结二极管

下载(272)| 被引(0)

基于4H-SiC的高温CMOS集成电路关键工艺设计  CNKI文献

以4H-Si C为主的第三代宽禁带半导体Si C材料具有高工作温度、高热导率、高耐压强度等特点,它在石油勘探、高铁动车、航空航天等新时期最热门领域的应用将是未来高科技产业发展的关键。众所周知CMOS结构是集成电路体系...

何雨龙 导师:张艺蒙 西安电子科技大学 2021-05-01 硕士论文

关键词: 4H-SiC / CMOS工艺 / 高温特性 / 掺杂电阻

下载(79)| 被引(0)

超高压SiC功率器件新结构与实验研究  CNKI文献

万伏级超高压功率器件主要应用在高压直流输电、全电化舰船、高能激光武器等领域。尽管硅(Si)器件通过串联形式可以将模块电压做到10 kV以上,但是元器件数量多,拓扑结构繁杂,寄生效应增多,极大地制约了超高压大功率电...

文译 导师:张波 电子科技大学 2021-04-28 博士论文

关键词: 超高压 / 碳化硅 / 结终端结构 / PiN二极管

下载(429)| 被引(1)

高压场控型碳化硅功率晶体管的设计与制造  CNKI文献

相比于硅基绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT),碳化硅基金属-氧化物-场效应晶体管(SiC MOSFET)具有更低的功率损耗、更高的工作温度和更高的开关频率。面向下一代轨道交通牵引变流器提升转换效率和功率密度的迫切需求...

陈喜明 导师:张波 电子科技大学 2021-04-15 博士论文

大功率4H-SiC GTO的结构设计与特性研究  CNKI文献

随着轨道交通、电动汽车、脉冲功率和超高压直流输电等技术的不断进步,电力电子系统对大功率半导体开关器件的需求十分紧迫。依托于第三代宽禁带半导体材料的发展,碳化硅门极可关断晶闸管(SiC GTO)突破了硅基晶...

罗佳敏 导师:张有润 电子科技大学 2021-04-01 硕士论文

关键词: 4H-SiC / 门极可关断晶闸管 / 电导调制效应 / 脉冲放电特性

下载(113)| 被引(0)

SiC MOSFET器件设计及阈值电压稳定性研究  CNKI文献

随着半导体产业的不断发展以及功率半导体需求不断增加,宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件能在高温、高压、高频以及复杂的辐照环境下工作,因此受到广泛关注。相比于硅功率器件,SiC功率器件有更小的功率损...

侯子婕 导师:邓小川 电子科技大学 2021-04-01 硕士论文

关键词: 碳化硅 / MOSFET / 短沟道 / 迟滞效应

下载(341)| 被引(0)

SiC陶瓷表面活化及钎焊工艺与机理研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)陶瓷具有高温强度高、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数(CTE)小、硬度高以及抗热震性能优异等优良特性,广泛地应用于航空航天、核能、机械、石油、光学、集成电路等领域,常通过钎焊进行连接以扩展...

陈祖斌 导师:冯吉才 哈尔滨工业大学 2021-03-01 博士论文

关键词: SiC陶瓷 / 表面活化 / 润湿 / 钎焊

下载(219)| 被引(0)

Mo-C/4H-SiC肖特基二极管的设计与研究  CNKI文献

碳化硅(SiC)作为第三代的半导体材料因其优良的特性而成为近期研究的热门。在研究碳化硅器件时可以发现金属与半导体的接触质量会直接影响到碳化硅器件的电学特性,影响器件的应用。而如何制备良好的肖特基接触是...

杨朝阳 导师:王颖 杭州电子科技大学 2021-03-01 硕士论文

关键词: SiC / Mo-C合金 / 肖特基接触 / 势垒均匀性

下载(121)| 被引(0)

学术研究指数分析(近十年)详情>>

  • 发文趋势
时间的形状