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不同老化试验方法下SiC MOSFET失效机理分析  CNKI文献

SiC MOSFET凭借其优异的电热特性,正逐渐投入市场,长期运行其可靠性成为关注的重点,功率循环试验是考核器件可靠性最重要的老化试验。MOSFET具有三种导通模式,分别对应三种不同的功率循环测试方法。...

陈杰 邓二平... 《电工技术学报》 2020年24期 期刊

关键词: SiC / MOSFET / 功率循环试验 / 导通模式

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应用于中压配电网的碳化硅电力电子技术  CNKI文献

新型碳化硅功率半导体器件在近些年来发展迅速,获得越来越多的关注。相较于传统硅器件,碳化硅器件由于材料属性在电压等级、开关速度等方面都有很大优势,将其应用于中压配电网中可以提升变换器效率和功率密度等性能,实...

姬世奇 赵争鸣... 《广东电力》 2020年12期 期刊

关键词: 碳化硅 / 电力电子 / 中压配电网 / 开关速度

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一种基于SiC器件的谐振开关电容变换器  CNKI文献

提出一种谐振开关电容变换器(resonantswitched capacitor converter,RSCC)拓扑,并分别采用碳化硅混合绝缘栅双极型晶体管(hybridSiCinsulatedgatebipolar transistor,HSiC-IGBT)和碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管...

温飘 杨晓峰... 《中国电机工程学报》 2020年24期 期刊

关键词: 谐振开关电容变换器 / SiC功率模块 / 软开关 / 移相控制

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A SiC Modules Based Resonant Switched Capacitor ...  CNKI文献

This paper proposed a resonant switched capacitor converter (RSCC) using Hybrid SiC IGBT (HSiC-IGBT)and SiC-MOSFET power modules,respectively.The typical RSCC configuration was show...

WEN Piao YANG Xiaofeng... 《中国电机工程学报》 2020年24期 期刊

关键词: resonant / switched / capacitor / converter

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1200V大容量SiC MOSFET器件研制  CNKI文献

采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电...

刘新宇 李诚瞻... 《电子学报》 2020年12期 期刊

关键词: 碳化硅 / MOSFET / 栅极bus-bar / JFET注入

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SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用  CNKI文献

新一代宽禁带半导体SiC器件相比传统Si器件在耐压、高频、高温等性能方面有很大优势。该文基于SiC MOSFET三相PWM整流器设计了SiC MOSFET的驱动电路;SiC MOSFET在三相PWM整...

米保全 李许军... 《工业仪表与自动化装置》 2020年06期 期刊

关键词: SiC / MOSFET / 三相PWM整流器 / 高频

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压接式SiC MOSFET模块  CNKI文献

介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力接触。由于散热器同时也是电流通路,为减小由散热...

朱楠 陈敏... 《电源学报》 2020年06期 期刊

关键词: 功率半导体封装 / 压接式器件 / SiC / MOSFET

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SiC电机驱动系统传导电磁干扰建模及预测  CNKI文献

在基于碳化硅(SiC)功率器件的电机驱动系统中,由于SiC器件较高的dv/dt、di/dt,产生了不可忽略的振荡,传统的传导电磁干扰(EMI)电路模型不再适用。该文提出一种SiC电机驱动系统的传导EMI等效电路建模...

段卓琳 张栋... 《电工技术学报》 2020年22期 期刊

关键词: 碳化硅 / 电机驱动系统 / 电磁干扰 / 等效电路模型

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基于动态栅电阻的SiC MOSFET驱动电路设计  CNKI文献

SiC MOSFET以其开关速度快、开关损耗小、热导率高等特点逐渐成为高功率密度电力电子应用场合的新宠,但是较快的开关速度导致器件开关应力以及振荡严重。提出了一种基于动态栅电阻的SiC MOSFET

吴磊 梁剑 《电气传动》 2020年11期 期刊

关键词: 碳化硅器件 / 驱动电路 / 关断过压 / 开关损耗

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东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET  CNKI文献

东芝电子元件及存储装置株式会社("东芝")今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET——"TW070J120B"。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。该功率MOSFET采...

《世界电子元器件》 2020年11期 期刊

关键词: MOSFET / 碳化硅

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新一代SiC功率MOSFET器件研究进展  CNKI文献

自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(R_(ON,SP))高等问题不断优化器件结构设计,本课题组改进关键加工工艺,使1200 V SiC MOSFE

柏松 李士颜... 《人工晶体学报》 2020年11期 期刊

关键词: 碳化硅 / 功率 / 金属-氧化物半导体场效应晶体管 / 高压

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基于SiC功率器件特性,家用空调控制器小型化、高效化...  CNKI文献

近年来,SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。与Si器件相比,SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。据资料显示,SiC功率器件的能量损耗只有Si器件...

刘军 周振威... 2020年中国家用电器技术大会论文集 2020-10-29 中国会议

关键词: 家用空调 / 小型化 / SiC功率器件 / 可靠性设计

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SiC-MOSFET在地铁牵引系统中的应用研究  CNKI文献

随着材料科学的进步,碳化硅(SiC)-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已可以实现高压、高功率运行。相比于传统硅(Si)材料,SiC材料具备低开关损耗、低导通电阻、宽禁带及高热导率。使用SiC

马法运 毕京斌... 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 / 地铁 / 牵引系统

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基于全碳化硅的车辆辅助逆变器应用研究  CNKI文献

为满足轨道交通高频化、小型化、轻量化、高功率密度的发展需求,在此研究一种基于高压全碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的轨道车辆辅助逆变器。采用某型号SiC器件建立20 kW试...

李东 王喜乐... 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 车辆辅助逆变器 / 碳化硅器件 / 高功率密度

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一种用于逆变器的SiC MOSFET自适应电流源驱动  CNKI文献

在传统电压型SiC MOSFET驱动电路中,驱动损耗、功率管开关损耗随着主电路开关频率、电压等级的提高而增大,驱动参数固定条件下,损耗不能得到优化。针对此问题,提出了一种应用于DC/AC逆变器的SiC ~#...

朱津仪 王勤... 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 逆变器 / 自适应电流源 / 驱动电路

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基于SiC-MOSFET的三相谐振LLC变换器设计  CNKI文献

风能作为使用最广泛和发展最快的新兴可再生能源之一,风电机组中变桨充电器设计面临小型化与高功率密度的发展趋势,针对变桨充电器中DC/DC电路拓扑进行了分析研究,在选取碳化硅(SiC)-金属氧化物半导体场效应晶体...

庞云亭 韦统振... 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 / 谐振变换器 / 功率密度

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基于SiC MOSFET的新型直线变压器驱动源设计  CNKI文献

采用新一代半导体开关器件碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过新型平面式布局升压技术和优化同步触发电路,设计出一种可获得快上升沿、短脉冲的直线变压器驱动源(LTD)。该驱动源由8级...

朱潮通 徐向宇... 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 / 变压器 / 同步触发

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基于电流纹波的SiC MOSFET逆变器死区消除方法  CNKI文献

针对碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)逆变器在高开关频率下死区效应严重的问题,提出一种基于电流纹波的死区消除策略。首先,分析了死区效应的产生原因;其次,介绍了非过零区与过零区的死...

党晓圆 李洁... 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 逆变器 / 死区消除 / 电流纹波

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基于混合并联器件的串联变换器故障运行研究  CNKI文献

高压大功率电力电力变换器的需求日益增加,而单个功率器件难以满足应用的需求,因此需采用器件串联的方式。宽禁带半导体器件SiC MOSFET具有高频、高耐压、高开关速度的优势,基于SiC MOSFET的...

施朝晖 朱安康... 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 串联变换器 / 故障运行 / 混合并联器件

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碳化硅MOSFET结电容模型  CNKI文献

针对碳化硅(SiC)MOSFET结电容,提出了一种建模方法。该方法通过统筹考虑寄生电容的物理结构模型、数学模型以及电路仿真模型后优化生成。此处考虑结电容对SiC MOSFET动态特性的影响情况,进而...

夏逸骁 陶雪慧 《电力电子技术》 2020年10期 期刊

关键词: 碳化硅 / 结电容 / 模型

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