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非晶InSb探测器材料光电特性研究  CNKI文献

和晶态InSb材料相比,非晶a-InSb材料具有成本低,制备工艺简单等优点。但是目前国内外还缺乏非晶态半导体材料全面和详尽的研究。本文开展了a-InSb薄膜制备、表征和氢钝化方面的研究工作。 本论文根据非晶态薄膜的...

位永平 导师:高欣 长春理工大学 2010-06-01 硕士论文

关键词: InSb / 非晶态 / 磁控溅射 / 光电特性

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气体压强对非晶InGaAs薄膜光学常数的影响  CNKI文献

论述一种用透射谱包络线法计算非晶薄膜的折射率、消光系数和光学带隙的方法。通过正交实验确定除压强之外的工艺参数,研究压强的改变对薄膜主要光学常数的影响,运用最小二乘法、内插值法在matlab编程基础上,拟合出光...

陈甫 位永平... 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2010年01期 期刊

关键词: 光学常数 / 包络线法 / 折射率 / 消光系数

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一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器  CNKI文献

分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测...

车相辉 张宇... 《微纳电子技术》 2014年04期 期刊

关键词: InGaAs / 光电探测器 / 暗电流 / 响应度

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1.3μm AlGaInAs/InP量子阱激光器材料研究  CNKI文献

设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形...

陈宏泰 车相辉... 《微纳电子技术》 2013年04期 期刊

关键词: 1.3μm / FP激光器材料 / 无致冷 / AlGaInAs/InP

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976nm高效率半导体激光器  CNKI文献

976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提...

安振峰 林琳... 《半导体技术》 2011年05期 期刊

关键词: 高效率 / 半导体激光器 / 976nm / 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)

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976nm非对称波导结构高效率半导体激光器  CNKI文献

对976 nm激光器的三种非对称波导结构,即非对称直波导结构、非对称渐变波导结构和非对称梯形波导结构进行了基模光场和折射率分布的模拟,通过与对称波导结构的模拟结果进行对比,得到非对称直波导结构和非对称梯形波导...

林琳 陈宏泰... 《微纳电子技术》 2013年05期 期刊

关键词: 非对称波导 / 高效率 / 976nm / 半导体激光器

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808nm高效率激光二极管  CNKI文献

目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料...

陈宏泰 车相辉... 《微纳电子技术》 2011年07期 期刊

关键词: 高效率 / 激光二极管 / 808nm / 金属有机化学气相沉积(MOCVD)

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