采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究。结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层...
唐元洪 裴立宅 《中国有色金属学报》 2004年S1期 期刊
硅纳米管在晶体管等纳米电子器件、传感器、场发射显示器件、纳米磁性器件及光电器件、储氢及电化学等领域有着广阔的应用前景。综述了近年来硅纳米管在储氢能力、热稳定性、量子限制行为及力学性能等理论方面的研究成...
自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的一种新型的一维纳米材料,它完全可以体现硅纳米管的真实特性,同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能,在传感器、晶体管、光电器等纳米器...
VHF无线电话(Very High Frequency Radiotelephone)作为水上移动通信的一种近距离通信工具,是船舶交通管理系统(VTS,Vessel Traffic Services)的重要组成部分,可以进行日常业务通信和船舶遇险、紧急、安全通信,在海上...
唐元洪 导师:刘繁明 哈尔滨工程大学 2014-05-19 硕士论文
关键词： VHF无线电话 / CELP编解码 / FSK调制解调 / ADSP-BF609
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文章作者的研究小组在世界上首次合成自组生长的硅纳米管(SiNTs)后,对它的稳定性研究又获得进展.采用5wt%的HF酸对自组生长的硅纳米管的稳定性进行了研究,研究表明HF酸可以去除硅纳米管的氧化物外层,只剩下晶体硅纳米...
采用X射线吸收精细结构光谱探索性地研究了多壁碳纳米管束.在多壁碳纳米管束不同入射角的X射线吸收精细结构光谱中,观察到C—Hσ共振峰强度随入射角的变化而发生变化.在常温常压下出现C—H键可能与多壁碳纳米管束中存...
关键词： X射线吸收精细结构光谱 / 碳纳米管 / 储氢 / 化学吸附
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在大学生中开展创业教育,造就具有创业意识和创业能力的开创型人才,以增强毕业生的就业能力,增加获得未来职业的成功机会,成为当前大学生实践教学过程中所面临的重要课题。本科生虚拟公司为实践教学改革拓宽了新的研究...
采用X射线吸收光谱研究了热丝化学气相沉积 (CVD)合成的纳米金刚石薄膜和脉冲激光沉积的纳米SiC薄膜。结果表明 :纳米金刚石薄膜的碳K边X射线吸收精细结构光谱显示的激发峰相当于微米金刚石薄膜的蓝移 ,是量子效应的显...
采用热蒸发法制备了类金刚石碳纳米线,利用透射电子显微镜(TEM)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)对样品的形貌和结构进行观察,发现该碳纳米线具有圆形实心结构,表面光滑,直径1040nm;拉曼光谱研究显示特征峰出现在1352...
唐元洪 张勇 《中国有色金属学报》 2004年09期 期刊
双偏压辅助HF-PECVD沉积纳米金刚石薄膜工艺参数的AFM分析 CNKI文献
采用双偏压辅助热丝-等离子增强化学沉积系统制备了纳米金刚石薄膜。采用AFM、SEM、Raman等考察了不同工艺条件对纳米金刚石薄膜形貌、粗糙度、内部结构等的影响。结果表明,热丝温度降低,所形成薄膜的晶粒尺寸变大,薄...
关键词： 纳米金刚石薄膜 / 双偏压 / 热丝-等离子化学气相沉积 / 原子力显微镜
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等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解...
硅纳米管作为一种新型一维纳米材料,因其独特的性质有望在纳米电子器件、锂离子电池、传感器、场效应晶体管、磁性纳米器件、储氢器、光电子器件、场发射显示器件和量子计算机等方面获得非常广泛的应用。虽然研究人员...
关键词： 硅纳米管 / 制备方法 / 化学气相沉积(CVD) / 掺杂
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采用X射线吸收精细结构谱(XAFS)和X射线激发发光谱(XEOL),在Si的K边和L3,2边研究了硅纳米线的光电特性。在XAFS中虽然没有观察到跃迁边的明显蓝移,但可观察到跃迁边平缓上升和特征峰逐渐变得模糊,这意味着长程有序被破...
提出了计算非晶硅肖特基二极管伏安特性的新方法,这种方法不需知道非晶硅隙态密度具体分布就可导出其伏安特性表达式,而且与实验结果相吻合。
提出了用空间电荷限制电流（SCLC）法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法，并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。
纳米碳纤维具有优异的物理和化学特性,在复合材料、电子器件、储氢等领域极具应用价值,批量制备低成本的纳米碳纤维是应用的关键。介绍了纳米碳纤维批量制备的方法,并对纳米碳纤维的应用和市场前景进行了评述。
一、 引言 非晶硅(α-Si)肖特基二极管是最基本的太阳能电池,但要从理论上计算其电学参数是比较困难的,因为必须知道材料能隙中的定域态密度分布g(E)。1972年以来虽已发展了多种技术(FE,SCLC,DLTS等)来测定g(E),但是没...
首次报告了用国产的廉价的ＺＣ３６型微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度的原理和结果，其结果与美国生产的昂贵的４０６１Ａ型半导体综合测试仪测量结果相一致。
声子限制效应会引起本征硅纳米线拉曼光谱红移及不对称宽化,但研究发现其并非引起硅纳米线拉曼光谱改变的主要因素。研究表明,由于在拉曼光谱测量中,通常使用的入射激光功率都在5mW以上,激光加热会导致很高的局部温度...
